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貴州Infineon英飛凌晶閘管

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025-07-16
晶閘管的過(guò)壓保護(hù)、過(guò)流保護(hù)

晶閘管在實(shí)際應(yīng)用中面臨過(guò)壓、過(guò)流、di/dt和dv/dt等應(yīng)力,必須設(shè)計(jì)完善的保護(hù)電路以確保其安全可靠運(yùn)行。
過(guò)壓保護(hù)通常采用RC吸收電路和壓敏電阻(MOV)。RC吸收電路并聯(lián)在晶閘管兩端,當(dāng)出現(xiàn)電壓尖峰時(shí),電容充電限制電壓上升率,電阻則消耗能量防止振蕩。壓敏電阻具有非線性伏安特性,當(dāng)電壓超過(guò)閾值時(shí),其阻值急劇下降,將過(guò)電壓鉗位在安全范圍內(nèi)。例如,在感性負(fù)載電路中,晶閘管關(guān)斷時(shí)會(huì)產(chǎn)生反電動(dòng)勢(shì),RC吸收電路和MOV可有效抑制這一電壓尖峰。
過(guò)流保護(hù)主要依靠快速熔斷器和電流檢測(cè)電路??焖偃蹟嗥髟陔娏鞒^(guò)額定值時(shí)迅速熔斷,切斷電路;電流檢測(cè)電路(如霍爾傳感器)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)電流,當(dāng)檢測(cè)到過(guò)流時(shí),通過(guò)控制電路提前關(guān)斷晶閘管或觸發(fā)保護(hù)動(dòng)作。在高壓大容量系統(tǒng)中,還可采用限流電抗器限制短路電流上升率。 逆導(dǎo)晶閘管(RCT)內(nèi)部集成二極管,適用于逆變電路。貴州Infineon英飛凌晶閘管

晶閘管

晶閘管的di/dt保護(hù)、dv/dt保護(hù)

晶閘管在實(shí)際應(yīng)用中面臨過(guò)壓、過(guò)流、di/dt 和 dv/dt 等應(yīng)力,必須設(shè)計(jì)完善的保護(hù)電路以確保其安全可靠運(yùn)行。
di/dt保護(hù)是防止晶閘管在導(dǎo)通瞬間因電流上升率過(guò)大而損壞的關(guān)鍵。過(guò)大的di/dt會(huì)導(dǎo)致結(jié)溫局部過(guò)高,甚至引發(fā)器件長(zhǎng)久性損壞。通常在晶閘管陽(yáng)極串聯(lián)電感(如空心電抗器)或采用飽和電抗器,限制di/dt在允許范圍內(nèi)(一般為幾十A/μs至幾百A/μs)。
dv/dt保護(hù)用于防止晶閘管在阻斷狀態(tài)下因電壓上升率過(guò)大而誤觸發(fā)。過(guò)高的dv/dt會(huì)使結(jié)電容充電電流增大,當(dāng)該電流超過(guò)門(mén)極觸發(fā)電流時(shí),晶閘管將誤導(dǎo)通。常用的dv/dt保護(hù)措施是在晶閘管兩端并聯(lián)RC緩沖電路,降低電壓上升率。 吉林門(mén)極可關(guān)斷晶閘管晶閘管模塊的并聯(lián)使用可提高電流承載能力。

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單向晶閘管的測(cè)試與故障診斷方法

對(duì)單向晶閘管進(jìn)行測(cè)試和故障診斷是確保其正常工作的重要環(huán)節(jié)。常用的測(cè)試方法有萬(wàn)用表測(cè)試和示波器測(cè)試。使用萬(wàn)用表的電阻檔可以初步判斷晶閘管的好壞。正常情況下,陽(yáng)極與陰極之間的正反向電阻都應(yīng)該很大,門(mén)極與陰極之間的正向電阻較小,反向電阻較大。如果測(cè)得的電阻值不符合上述規(guī)律,則說(shuō)明晶閘管可能存在故障。示波器測(cè)試可以更直觀地觀察晶閘管的工作狀態(tài)。通過(guò)觀察觸發(fā)脈沖的波形、幅度和寬度,以及晶閘管導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)的電壓、電流波形,可以判斷觸發(fā)電路和晶閘管本身是否正常。在故障診斷時(shí),常見(jiàn)的故障現(xiàn)象有晶閘管無(wú)法導(dǎo)通、晶閘管無(wú)法關(guān)斷、晶閘管過(guò)熱等。對(duì)于無(wú)法導(dǎo)通的故障,可能是觸發(fā)電路故障、門(mén)極開(kāi)路或晶閘管本身?yè)p壞。對(duì)于無(wú)法關(guān)斷的故障,可能是負(fù)載電流過(guò)大、維持電流過(guò)小或晶閘管內(nèi)部短路。對(duì)于過(guò)熱故障,可能是散熱不良、電流過(guò)大或晶閘管性能下降。通過(guò)逐步排查,可以確定故障原因并進(jìn)行修復(fù)。

晶閘管特性

晶閘管VS與小燈泡EL串聯(lián)起來(lái),通過(guò)開(kāi)關(guān)S接在直流電源上。注意陽(yáng)極A是接電源的正極,陰極K接電源的負(fù)極,控制極G通過(guò)按鈕開(kāi)關(guān)SB接在1.5V直流電源的正極(這里使用的是KP1型晶閘管,若采用KP5型,應(yīng)接在3V直流電源的正極)。晶閘管與電源的這種連接方式叫做正向連接,也就是說(shuō),給晶閘管陽(yáng)極和控制極所加的都是正向電壓。合上電源開(kāi)關(guān)S,小燈泡不亮,說(shuō)明晶閘管沒(méi)有導(dǎo)通;再按一下按鈕開(kāi)關(guān)SB,給控制極輸入一個(gè)觸發(fā)電壓,小燈泡亮了,說(shuō)明晶閘管導(dǎo)通了。這個(gè)演示實(shí)驗(yàn)給了我們什么啟發(fā)呢? 晶閘管在電力系統(tǒng)中可用于無(wú)功補(bǔ)償(如TSC)。

這個(gè)實(shí)驗(yàn)告訴我們,要使晶閘管導(dǎo)通,一是在它的陽(yáng)極A與陰極K之間外加正向電壓,二是在它的控制極G與陰極K之間輸入一個(gè)正向觸發(fā)電壓。晶閘管導(dǎo)通后,松開(kāi)按鈕開(kāi)關(guān),去掉觸發(fā)電壓,仍然維持導(dǎo)通狀態(tài)。
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單向晶閘管的保護(hù)電路設(shè)計(jì)

為了確保單向晶閘管在工作過(guò)程中的安全性和可靠性,必須設(shè)計(jì)完善的保護(hù)電路。過(guò)電壓保護(hù)電路能夠防止晶閘管因承受過(guò)高的電壓而損壞。常見(jiàn)的過(guò)電壓保護(hù)措施有阻容吸收電路和壓敏電阻保護(hù)。阻容吸收電路利用電容和電阻的組合,在過(guò)電壓出現(xiàn)時(shí)吸收能量,限制電壓的上升率。壓敏電阻則在電壓超過(guò)其擊穿電壓時(shí),呈現(xiàn)低電阻狀態(tài),將過(guò)電壓能量釋放掉。過(guò)電流保護(hù)電路用于防止晶閘管因過(guò)大的電流而燒毀。常用的過(guò)電流保護(hù)方法有快速熔斷器保護(hù)、過(guò)電流繼電器保護(hù)和電子保護(hù)電路。快速熔斷器能夠在電路出現(xiàn)短路等故障時(shí)迅速熔斷,切斷電路,保護(hù)晶閘管。在設(shè)計(jì)保護(hù)電路時(shí),需要根據(jù)晶閘管的額定參數(shù)和實(shí)際工作環(huán)境,合理選擇保護(hù)元件的參數(shù),以確保保護(hù)電路的有效性。 晶閘管常用于電機(jī)調(diào)速、溫度控制、電焊機(jī)等工業(yè)應(yīng)用。貴州Infineon英飛凌晶閘管

晶閘管模塊的過(guò)載能力強(qiáng),能在短時(shí)間內(nèi)承受數(shù)倍額定電流。貴州Infineon英飛凌晶閘管

單向晶閘管的伏安特性研究

單向晶閘管的伏安特性曲線直觀地反映了其工作狀態(tài)。當(dāng)門(mén)極開(kāi)路時(shí),如果陽(yáng)極加正向電壓,在一定范圍內(nèi),晶閘管處于正向阻斷狀態(tài),只有很小的漏電流。當(dāng)正向電壓超過(guò)正向轉(zhuǎn)折電壓時(shí),晶閘管會(huì)突然導(dǎo)通,進(jìn)入低阻狀態(tài)。而當(dāng)門(mén)極施加正向觸發(fā)脈沖時(shí),晶閘管在較低的正向電壓下就能導(dǎo)通,觸發(fā)電流越大,導(dǎo)通時(shí)間越短。在反向電壓作用下,晶閘管處于反向阻斷狀態(tài),只有極小的反向漏電流,當(dāng)反向電壓超過(guò)反向擊穿電壓時(shí),器件會(huì)因擊穿而損壞。深入理解伏安特性對(duì)于合理選擇晶閘管的參數(shù)以及設(shè)計(jì)觸發(fā)電路至關(guān)重要。例如,在設(shè)計(jì)過(guò)壓保護(hù)電路時(shí),需要確保晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓高于正常工作電壓,以避免誤觸發(fā)。 貴州Infineon英飛凌晶閘管