傳統(tǒng)可控硅采用電信號(hào)觸發(fā)，門(mén)極驅(qū)動(dòng)電流（IGT）從5mA到200mA不等，如ST的BTA41需要50mA觸發(fā)電流。這類器件需配套隔離驅(qū)動(dòng)電路（如脈沖變壓器或光耦）。而光觸發(fā)可控硅（LASCR）如MOC3083，通過(guò)內(nèi)置LED將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為觸發(fā)電流，絕緣耐壓可達(dá)7500V以上，特別適合高壓隔離場(chǎng)合，如智能電表的固態(tài)繼電器。混合觸發(fā)方案如三菱的光控模塊（LPCT系列）結(jié)合了光纖傳輸和電觸發(fā)優(yōu)勢(shì)，在核電站控制系統(tǒng)等強(qiáng)電磁干擾環(huán)境中表現(xiàn)優(yōu)異。值得注意的是，光觸發(fā)器件雖然可靠性高，但響應(yīng)速度通常比電觸發(fā)慢1-2個(gè)數(shù)量級(jí)，且成本明顯提升。 可控硅模塊的dv/dt耐量影響其抗干擾性能。賽米控可控硅

可控硅的四層PNPN結(jié)構(gòu)是其獨(dú)特工作原理的物理基礎(chǔ)。從結(jié)構(gòu)上可等效為一個(gè)PNP三極管和一個(gè)NPN三極管的組合：上層P區(qū)與中間N區(qū)、P區(qū)構(gòu)成PNP管，中間N區(qū)、P區(qū)與下層N區(qū)構(gòu)成NPN管。當(dāng)控制極加正向電壓時(shí)，NPN管首先導(dǎo)通，其集電極電流作為PNP管的基極電流，使PNP管隨之導(dǎo)通；PNP管的集電極電流又反哺NPN管的基極，形成強(qiáng)烈正反饋，兩管迅速飽和，可控硅整體導(dǎo)通。這種結(jié)構(gòu)決定了可控硅必須同時(shí)滿足陽(yáng)極正向電壓和控制極觸發(fā)信號(hào)才能導(dǎo)通，且導(dǎo)通后通過(guò)內(nèi)部電流反饋維持狀態(tài)，直至外部條件改變才關(guān)斷。 賽米控可控硅Infineon英飛凌可控硅采用優(yōu)化的dv/dt特性，有效抑制開(kāi)關(guān)過(guò)程中的電壓尖峰。

在實(shí)際應(yīng)用中，正確選型單向可控硅至關(guān)重要。首先要關(guān)注額定電壓，其值必須大于電路中可能出現(xiàn)的極大正向和反向電壓，以確保在電路異常情況下，單向可控硅不會(huì)被擊穿損壞。例如在 220V 的交流市電經(jīng)整流后的電路中，考慮到電壓波動(dòng)和浪涌等因素，應(yīng)選擇額定電壓在 600V 以上的單向可控硅。額定電流也是關(guān)鍵參數(shù)，要根據(jù)負(fù)載電流大小來(lái)選擇，確保單向可控硅能安全承載負(fù)載電流，一般需留有一定余量。觸發(fā)電壓和電流參數(shù)要與觸發(fā)電路相匹配，若觸發(fā)電路提供的信號(hào)無(wú)法滿足單向可控硅的觸發(fā)要求，可控硅將無(wú)法正常導(dǎo)通。此外，還需考慮其導(dǎo)通壓降、維持電流等參數(shù)。導(dǎo)通壓降會(huì)影響電路的功耗，維持電流決定了可控硅導(dǎo)通后保持導(dǎo)通狀態(tài)所需的小電流。只有綜合考量這些參數(shù)，才能選出適合具體電路應(yīng)用的單向可控硅。

10A以下的小功率器件通常依賴自然對(duì)流散熱，如Diodes公司的BTA204X-600C（4A/600V）的TO-252封裝。功率（10-100A）模塊如FujiElectric的6RI200E-060需加裝散熱片，熱阻（Rth(j-a)）約1.5℃/W。而大功率模塊如Infineon的FZ1500R33HE3（1500A/3300V）必須采用強(qiáng)制水冷，冷卻液流量需≥8L/min才能控制結(jié)溫。特別地，新型相變冷卻模塊如三菱的LV100系列使用沸點(diǎn)45℃的氟化液，散熱能力比水冷提升3倍，但系統(tǒng)復(fù)雜度大幅增加。散熱設(shè)計(jì)需遵循"結(jié)溫≤125℃"的紅線，否則每升高10℃壽命減半。 賽米控SKM系列大功率可控硅模塊額定電流可達(dá)1000A以上，適用于工業(yè)級(jí)高功率應(yīng)用場(chǎng)景。

在工業(yè)領(lǐng)域，英飛凌大功率可控硅被廣泛應(yīng)用于各種大型設(shè)備。在鋼鐵冶煉行業(yè)，大功率可控硅用于控制電弧爐的電流，精確調(diào)節(jié)爐內(nèi)溫度。英飛凌的大功率可控硅能夠承受極高的電流和電壓，確保電弧爐在長(zhǎng)時(shí)間、高負(fù)荷的工作狀態(tài)下穩(wěn)定運(yùn)行。在電解鋁生產(chǎn)中，可控硅整流裝置為電解槽提供穩(wěn)定的直流電源，英飛凌產(chǎn)品的高可靠性和低導(dǎo)通損耗，不僅保證了電解過(guò)程的高效進(jìn)行，還降低了能源消耗。在工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)方面，英飛凌大功率可控硅用于變頻器，能夠根據(jù)電機(jī)的實(shí)際負(fù)載需求，靈活調(diào)節(jié)輸出頻率和電壓，實(shí)現(xiàn)電機(jī)的高效節(jié)能運(yùn)行，提高了工業(yè)生產(chǎn)的自動(dòng)化水平和能源利用效率。 Infineon英飛凌智能可控硅模塊集成溫度保護(hù)和故障診斷功能。賽米控可控硅

可控硅模塊作為大功率半導(dǎo)體器件，采用模塊封裝，內(nèi)部是有三個(gè) PN 結(jié)的四層結(jié)構(gòu)。賽米控可控硅

單向可控硅和雙向可控硅雖都屬于可控硅家族，但在諸多方面存在明顯差異。雙向可控硅與單向可控硅的主要差異在于導(dǎo)電方向和應(yīng)用場(chǎng)景。單向可控硅只能能單向?qū)?，適用于直流電路；雙向可控硅可雙向?qū)?，專為交流電路設(shè)計(jì)。結(jié)構(gòu)上，單向可控硅為四層結(jié)構(gòu)，雙向可控硅為五層結(jié)構(gòu)。觸發(fā)方式上，單向可控硅需正向觸發(fā)，雙向可控硅正負(fù)觸發(fā)均可。關(guān)斷方式上，兩者均需電流過(guò)零或反向電壓，但雙向可控硅在交流半周自然關(guān)斷更便捷，無(wú)需額外關(guān)斷電路。 賽米控可控硅