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采用無膠鍵合(AFB)技術(shù)制備的晶體波導具有良好的模式限制作用。在考慮模式競爭的情況下，對晶體波導的單橫模條件進行計算，得出在芯層材料為原子數(shù)分數(shù)為1%的YbYAG，內(nèi)包層材料為原子數(shù)分數(shù)為0.5%的ErYAG中，芯層和內(nèi)包層的單橫模厚度范圍。計算結(jié)果表明芯層...

和小編來看看什是CeYAG晶體？基于CeYAG晶體的摻Ce光纖拉制技術(shù)，基于管棒法(Rod-in-Tube)技術(shù)，以CeYAG晶體作為芯棒，純石英玻璃管作為套管，利用石墨爐，拉絲塔拉制了摻鈰(Ce)光纖.通過X射線能譜(EDX)分析拉制而成的光纖，得到光纖的纖...

在Ce:YAG晶體中，Ce3離子以D2對稱性取代Y3位。在晶體場的作用下，4f1電子構(gòu)型的Ce3離子基態(tài)分裂為2F5/2和2F7/2雙態(tài)，其5d能級分裂為5個子能級，比較低5d子能級離基態(tài)約22 000波。在Ce:YAG閃爍晶體中，其吸收熒光光譜也屬于F-D躍...

鈰離子摻雜氧化物和硫化物閃爍晶體與鹵素化合物晶體相比，氧化物晶體具有優(yōu)良的熱力學性能以及穩(wěn)定的化學性質(zhì)等優(yōu)點。因此，鈰離子摻雜的無機氧化物閃爍晶體包括鋁酸鹽、硅酸鹽、硼酸鹽以及磷酸鹽等晶體受到人們的極大重視并被普遍研究[9]。表1-8總結(jié)了鈰離子摻雜氧化物閃爍...

在技術(shù)上，稀土的技術(shù)門檻和涉及的上下游也和半導體差距很大。稀土的主要門檻是精煉能力，在這方面中國是全球頭一。但別國若想在技術(shù)上追平我國，或許比我們在半導體產(chǎn)業(yè)投入的資金與時間少許多。在上下游產(chǎn)業(yè)鏈中，半導體牽扯到的產(chǎn)業(yè)鏈無疑更為普遍，從設(shè)計到制造、還有設(shè)備，材...

白光LED用新型YAG單晶熒光材料的制備和光譜性能研究，采用提拉法生長Eu，CeYAG晶體及Gd，CeYAG晶體，并通過吸收光譜，激發(fā)，發(fā)射光譜及電光性能等對晶體材料的光譜特性進行表征.結(jié)果表明，Eu或Gd共摻雜的CeYAG單晶熒光材料均可以被波長460nm左...

CeYAG高溫閃爍晶體主要應用在輕粒子探測、α粒子探測、gamma射線探測等領(lǐng)域，另外它還可以應用于電子探測成像（SEM）、高分辨率顯微成像熒光屏等領(lǐng)域。目前，可以提供摻雜濃度0.08－1at%摻雜高度透明的CeYAG閃爍晶體。CeYAG閃爍晶體具有快衰減時間...

不同摻雜濃度的YbYAG晶體，通過不同Yb3雜濃度30at﹪的YbYAG晶休的陰極射線發(fā)光譜，衰減時間，光輸出及其溫度依賴關(guān)系的測量研究了YbYAG晶體的閃爍性能。不同Yb3，摻雜濃度的YbYAG晶體具有不同的光輸出和淬滅溫度，光輸出隨Yb，摻雜濃度升高而降低...

稀土與官方半導體與稀土在很多領(lǐng)域都是如影隨形的，比如在官方領(lǐng)域，沒有稀土與半導體的官方，無法形成強大的威懾力。如今，幾乎所有的大中型武器都實現(xiàn)了電子信息化，小到夜視儀，大到飛機、坦克和航母，半導體無處不在，而稀土在特定的官方領(lǐng)域，也發(fā)揮著極強的作用。根據(jù)美國國...

高能物理和核物理實驗要求無機閃爍晶體密度高、衰減常數(shù)快、光輸出高。此外，由于高能物理領(lǐng)域無機閃爍晶體數(shù)量巨大，合適的價格也是一個重要指標 什么YAG晶體可以用于極端的探測環(huán)境中？此外，在較高濃度或溫度的情況下，閃爍晶體中的發(fā)光中心也可以通過濃度或熱猝滅產(chǎn)生較短...

YbYAG晶體中的色心，在用引上法生長的YbYAG晶體中，存在一個獨特的色心，其吸收帶位于375nm和625nm，隨著Yb2O3摻雜濃度的增加，色心濃度增加。探討了晶體生長過程中色心形成機理。良好C射線輻照YbYAG晶體，誘導大量色心的形成。晶體中的色心對激發(fā)...

從Ce3+ 離子2F7/2和2F5/2 態(tài)能級在YAP 晶體中的能級分裂看，2F7/2能級在晶體場中分裂的子能級寬度對應波數(shù)范圍為3250 cm-1到2085cm-1, 2F5/2 態(tài)能級分裂的子能級寬度范圍為500 cm-1左右， 5d比較低能級的對應波數(shù)為...

CeYAG晶體和透明陶瓷的光學和閃爍性能，采用溫梯法生長了CeYAG晶體和真空燒結(jié)法制備了CeYAG透明陶瓷，并對晶體和透明陶瓷的光學和閃爍性能進行了對比研究.CeYAG晶體和陶瓷都具有位于230，340和460nm波段的Ce3+離子的特征吸收帶和540nm附...

為了更好了解Tm3+在Tm:YAP晶體中吸收躍遷特性以及其溫度依賴特性，我們測試了4at%Tm:YAP晶體b向樣品的變溫吸收譜。圖4-7為3H6→3H4躍遷對應的變溫吸收譜。低溫下Tm3+吸收為尖銳譜線，隨溫度升高，吸收峰變寬，吸收強度減弱，這是由于溫度升高，...

脈沖LD端面抽運變熱導率方片YbYAG晶體溫度場，對脈沖激光二極管(LD)端面抽運變熱導率方片YbYAG晶體的溫度場進行了分析和研究，建立了端面絕熱，周邊恒溫的熱傳導模型，采用半解析理論，結(jié)合牛頓法得到了晶體的溫度場分布，分析了不同的抽運功率，超高斯階次，光斑...

2019年，全球釔鋁石榴石（YAG）市場規(guī)模達到了xx億元，預計2026年將達到xx億元，年復合增長率(CAGR)為xx%。本報告研究全球與中國市場釔鋁石榴石（YAG）的產(chǎn)能、產(chǎn)量、銷量、銷售額、價格及未來趨勢。重點分析全球與中國市場的主要廠商產(chǎn)品特點、產(chǎn)品規(guī)...

Ce:YAP作為閃爍晶體的真正研究始于T. Takada等人[41](1980)和R. Autrata等人[42](1983)的提議以及YAP晶體作為掃描電鏡電子射線和紫外光子檢測的研究。1991年，Baryshevky等人用水平區(qū)熔法生長了Ce:YAP閃爍晶...

無機晶體中的載流子熱化時間為10-11 s到10-12s，比電子之間的弛豫時間長(一般為10-13 s到10-15 s)，因此可以認為電子-電子弛豫過程和電子-聲子弛豫過程依次發(fā)生。在空間坐標下，熱化過程可以表示為具有一定特征長度L的載流子遷移過程，對于離子晶...

Tm:YAP晶體能量轉(zhuǎn)移參數(shù)計算結(jié)果如何？由于Tm:YAP的各向異性，對3F4→3H6躍遷的發(fā)射截面，我們采用F-L公式以及偏振發(fā)射譜進行了計算。F-L公式可表示為：（4-3）式中c為光速，λ為波長，I(λ)為熒光光譜上某一波長λ處的熒光強度，n為折射率，τr...

大尺寸YbYAG激光晶體泡生法制備方法，其步驟包括裝爐，化料，引晶，縮頸，放肩，等徑生長，冷卻和退火.放肩時，晶體的轉(zhuǎn)速為零，放肩及其以后各階段，晶體都不轉(zhuǎn)動.把拉速控制在0.05~0.3mm/h范圍內(nèi)，重量增加速率控制在10~250g/h范圍內(nèi)，待晶體直徑長...

生長CeYAP晶體批發(fā)價過渡金屬摻雜對YAP晶體透過邊有哪些影響？Ce: YAP晶體自吸收機制分析，從以上實驗可以看出，存在自吸收的累積效應，隨著厚度和濃度的增加而增加。在氧氣氛中退火后，自吸收增加，而在還原氣氛中，自吸收減少。自吸收隨ce離子濃度的增加而增...

利用提拉法生長出的品質(zhì)高的CeYAG閃爍晶體開展了高分辨率X射線成像系統(tǒng)關(guān)鍵器件——閃爍體研制工作，成功制備了尺寸為Φ30mm，厚度為30-45μm的品質(zhì)高的閃爍晶體元件，并研制出基于超薄CeYAG閃爍晶體的高分辨X光探測器，實現(xiàn)X光輻照條件下高分辨成像。Ce...

在室溫下，陷激子的三線態(tài)-單線態(tài)躍遷只在某些基質(zhì)中有效。具有復雜陰離子的化合物如WO4和MoO4也顯示出固有的發(fā)光。發(fā)光來源于電荷數(shù)高的過渡金屬離子，0外層電子構(gòu)型為np6nd0。有些化合物，如CdWO4和CaWO4，光輸出很高。在離子晶體中還觀察到了一種新的...

YbYAG晶體的優(yōu)勢：1、高斜率效率。2、高光學質(zhì)量。3、熱導率高，機械強度高。4、無激發(fā)態(tài)吸收和上轉(zhuǎn)換。5、單位泵浦功率產(chǎn)生的熱負荷比NdYAG晶體低。6、二極管泵浦吸收帶寬約8nm@940nm，適合常用的高功率InGaAs激光二極管（波長940nm或970...

對于摻Ce3的無機閃爍晶體，高能射線作用下的閃爍機制一般認為如下[16，17]:晶體吸收高能射線后，晶體內(nèi)部產(chǎn)生大量的熱化電子空穴對。由于鈰元素的四階電離能是所有稀土元素中比較低的(如圖1-6所示)，晶體發(fā)光中心的Ce3離子首先俘獲一個空穴形成Ce4離子。然后...

Ce:YAG無機閃爍晶體的性能表征有哪些？顯然，以NaI:Tl和BGO為表示的傳統(tǒng)無機閃爍晶體已經(jīng)不能滿足閃爍晶體在許多應用領(lǐng)域?qū)Ω吖廨敵龅目焖偎p要求(前一節(jié)1.2.1.1描述的三個要求)。而且，隨著閃爍探測器技術(shù)的快速發(fā)展，傳統(tǒng)無機閃爍晶體的局限性將日益突...

由于晶體放肩階段屬強迫限制晶體直徑增大的過程，晶體尺寸的變化率比較大，如果程序段過少，容易在晶體表面出現(xiàn)明顯的分段現(xiàn)象，從而影響晶體的內(nèi)部質(zhì)量。在確?？刂凭鹊那疤嵯?，為了效控制晶體外形尺寸，需要考慮增加晶體的生長程序。在生長大尺寸Ce: YAP晶體時我們使用...

電子元器件自主可控是指在研發(fā)、生產(chǎn)和保證等環(huán)節(jié)，主要依靠國內(nèi)科研生產(chǎn)力量，在預期和操控范圍內(nèi)，滿足信息系統(tǒng)建設(shè)和信息化發(fā)展需要的能力。電子元器件關(guān)鍵技術(shù)及應用，對電子產(chǎn)品和信息系統(tǒng)的功能性能影響至關(guān)重要，涉及到工藝、合物半導體、微納系統(tǒng)芯片集成、器件驗證、可靠...

用直拉法成功地生長了濃度分別為1at%、3at%、4at%、5at%和15at%的Tm:YAP晶體，這些晶體均具有較高的光學質(zhì)量，無宏觀缺陷。用XRD和ICP分析了晶體結(jié)構(gòu)和偏析特征，用激光脈沖法測試了TM3360YAP晶體的熱導率。結(jié)果表明，隨著摻雜濃度的增...

不同溫度退火的Fe: YAP樣品的吸收光譜和差分吸收光譜是Fe: YAP樣品在不同溫度退火后的吸收光譜和微分吸收光譜。Fe: YAP晶體的吸收光譜在203納米、246納米、270納米和325納米附近有吸收峰。差示吸收光譜顯示，氫退火后264 ~ 270納米波長...