常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。 圖1所示為一個N 溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構, N+ 區(qū)稱為源區(qū),附于其上的電極稱為源極。N+ 區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū),附于其上的電極稱為柵極。...
?IGBT電源模塊?是一種由絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)構成的功率模塊。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半...
正式商用的高壓大電流IGBT器件至今尚未出現,其電壓和電流容量還很有限,遠遠不能滿足電力電子應用技術發(fā)展的需求,特別是在高壓領域的許多應用中,要求器件的電壓等級達到10KV以上。目前只能通過IGBT高壓串聯等技術來實現高壓應用。國外的一些廠家如瑞士ABB公司采...
至于型號后綴字母的觸發(fā)電流,各個廠家的**含義如下:PHILIPS公司:D=5mA,E=10mA,C=15mA,F=25mA,G=50mA,R=200uA或5mA,型號沒有后綴字母之觸發(fā)電流,通常為25-35mA;PHILIPS公司的觸發(fā)電流**字母沒有統(tǒng)一的...
安裝過程中,螺絲刀決不能對器件塑料體施加任何力量;和接頭片接觸的散熱器表面應處理,保證平坦,10mm上允許偏差0.02mm;安裝力矩(帶墊圈)應在0.55nm 和0.8nm 之間;應避免使用自攻絲螺釘,因為擠壓可能導致安裝孔周圍的隆起,影響器件和散熱器之間的熱...
雙向可控硅可被認為是一對反并聯連接的普通可控硅的集成,工作原理與普通單向可控硅相同。雙向可控硅有兩個主電極T1和T2, 一個門極G, 門極使器件在主電極的正反兩個方向均可觸發(fā)導通,所以雙向可控硅在第1和第3象限有對稱的伏安特性。雙向可控硅門極加正、負觸發(fā)脈沖都...
變容二極管將萬用表紅、黑表筆怎樣對調測量,變容二極管的兩引腳間的電阻值均應為無窮大。如果在測量中,發(fā)現萬用表指針向右有輕微擺動或阻值為零,說明被測變容二極管有漏電故障或已經擊穿壞。 [8]單色發(fā)光二極管在萬用表外部附接一節(jié)能1.5V干電池,將萬用表置R×10或...
當外界有正向電壓偏置時,外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時,外界電場和自建電場進一步加強,形成在一定反向電壓范圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流。 [5]當外加的反向電壓高到一定程度時,PN結空間電...
若U1與U2的電壓值相同,但與U的電壓值不同,則說明該雙向觸發(fā)二極管的導通性能對稱性良好。若U1與U2的電壓值相差較大時,則說明該雙向觸發(fā)二極管的導通性不對稱。若U1、U2電壓值均與市電U相同時,則說明該雙向觸發(fā)二極管內部已短路損壞。若U1、U2的電壓值均為0...
應用類型雙向可控硅的特性曲線圖4示出了雙向可控硅的特性曲線。由圖可見,雙向可控硅的特性曲線是由一、三兩個象限內的曲線組合成的。***象限的曲線說明當加到主電極上的電壓使Tc對T1的極性為正時,我們稱為正向電壓,并用符號U21表示。當這個電壓逐漸增加到等于轉折電...
2. 額定電壓:熔斷器所在電路中的最高電壓不應超過熔斷器的額定電壓。3.額定電流:通過熔斷器的工作電流不應超過額定電流的75%。4. 短路截流能力:熔斷器所在的電路中可能出現的最大短路電流不應超過熔斷器的短路截流能力。5. 熔斷特性:熔斷器在出現需要切斷的過載...
· 驅動器必須能夠提供所需的門極平均電流IoutAV 及門極驅動功率PG。驅動器的比較大平均輸出電流必須大于計算值。· 驅動器的輸出峰值電流IoutPEAK 必須大于等于計算得到的比較大峰值電流。· 驅動器的比較大輸出門極電容量必須能夠提供所需的門極電荷以對I...
額定速態(tài)平均屯成系列共分為14個,如表1一5所示。正反向重復蜂值屯壓級別規(guī)定1000V以下的管子每100V為一級,1000V以上的管子每200V為一級。取電壓教除以100做為級別標志,如表1-6所示。通態(tài)平均電壓組別依電壓大小分為9組,用宇毋表示,如表1一所示...
反向電流反向電流是指二極管在常溫(25℃)和比較高反向電壓作用***過二極管的反向電流。反向電流越小,管子的單方向導電性能越好。值得注意的是反向電流與溫度有著密切的關系,大約溫度每升高10℃,反向電流增大一倍。例如2AP1型鍺二極管,在25℃時反向電流若為25...
當柵極和發(fā)射極短接并在集電極端子施加一個正電壓時,P/NJ3結受反向電壓控制。此時,仍然是由N漂移區(qū)中的耗盡層承受外部施加的電壓。 [2]閂鎖IGBT在集電極與發(fā)射極之間有一個寄生PNPN晶閘管。在特殊條件下,這種寄生器件會導通。這種現象會使集電極與發(fā)射極之間...
當晶閘管全部導通時,靜態(tài)閂鎖出現。只在關斷時才會出現動態(tài)閂鎖。這一特殊現象嚴重地限制了安全操作區(qū)。為防止寄生NPN和PNP晶體管的有害現象,有必要采取以下措施:一是防止NPN部分接通,分別改變布局和摻雜級別。二是降低NPN和PNP晶體管的總電流增益。此外,閂鎖...
(2)先用萬用表判別普通二極管正、負電極的方法進行檢查,即交換紅、黑表筆兩次測量管子兩引腳間的電阻值,正常時,所得阻值應為一大一小。以阻值較小的一次為準,紅表筆所接的管腳步為負極,黑表筆所接的管腳為正極。 [8]2. 檢測性能好壞。用萬用表電阻擋測量紅外接收二...
路器一般由觸頭系統(tǒng)、滅弧系統(tǒng)、操作機構、脫扣器、外殼等構成。當短路時,大電流(一般10至12倍)產生的磁場克服反力彈簧,脫扣器拉動操作機構動作,開關瞬時跳閘。當過載時,電流變大,發(fā)熱量加劇,雙金屬片變形到一定程度推動機構動作(電流越大,動作時間越短)。有電子型...
快速熔斷器是一種熔斷器的一種,快速熔斷器主要用于半導體整流元件或整流裝置的短路保護。由于半導體元件的過載能力很低。只能在極短時間內承受較大的過載電流,因此要求短路保護具有快速熔斷的能力??焖偃蹟嗥鞯慕Y構和有填料封閉式熔斷器基本相同,但熔體材料和形狀不同,它是以...
5、 維持電流IH 在規(guī)定溫度下,控制極斷路,維持可控硅導通所必需的**小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世,如適于高頻應用的快速可控硅,可以用正或負的觸發(fā)信號控制兩個方向導通的雙向可控硅,可以用正觸發(fā)信號使其導通,用負觸發(fā)信號使其關斷的可控硅等等??煽?..
b、主電路用螺絲擰緊,控制極g要用插件,盡可能不用焊接方式。c、裝卸時應采用接地工作臺,接地地面,接地腕帶等防靜電措施。 d、儀器測量時,將1000電阻與g極串聯。e、要在無電源時進行安裝。f,焊接g極時,電烙鐵要停電并接地,選用定溫電烙鐵**合適。當手工焊...
3、調節(jié)功率開關器件的通斷速度柵極電阻小,開關器件通斷快,開關損耗??;反之則慢,同時開關損耗大。但驅動速度過快將使開關器件的電壓和電流變化率**提高,從而產生較大的干擾,嚴重的將使整個裝置無法工作,因此必須統(tǒng)籌兼顧。二、柵極電阻的選取1、柵極電阻阻值的確定各種...
可控硅一個關鍵用途在于做為無觸點開關。在自動化設備中,用無觸點開關代替通用繼電器已被逐步應用。其***特點是無噪音,壽命長??煽毓?**陽極A1與第二陽極A2間,無論所加電壓極性是正向還是反向,只要控制極G和***陽極A1間加有正負極性不同的觸發(fā)電壓,就可觸發(fā)...
為了使熔斷器起到其應有的作用,確保整車用電器安全工作,選擇合適的類型及規(guī)格就變得尤為重要。熔斷器的選型涉及以下因素:施加在熔斷器上的電流特性、電壓特性、熔斷器的環(huán)境溫度、安裝尺寸限制、應用線路等。當外加電壓和安裝尺寸一定的情況下,熔斷器的選擇主要從電流特性、環(huán)...
可控硅元件的結構不管可控硅的外形如何,它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結構。見圖1。它有三個PN結(J1、J2、J3),從J1結構的P1層引出陽極A,從N2層引出陰級K,從P2層引出控制極G,所以它是一種四層三端的半導體器件。結構原件可...
在晶閘管導通后,如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻,使陽極電流Ia減小到維持電流IH以下時,由于a1和a1迅速下降,當1-(a1+a2)≈0時,晶閘管恢復阻斷狀態(tài)。普通可控硅**基本的用途就是可控整流。二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成可控硅...
為防止發(fā)生越級熔斷、擴大事故范圍,上、下級(即供電干、支線)線路的熔斷器間應有良好配合。選用時,應使上級(供電干線)熔斷器的熔體額定電流比下級(供電支線)的大1~2個級差。常用的熔斷器有管式熔斷器R1系列、螺旋式熔斷器RLl系列、填料封閉式熔斷器RT0系列及快...
敞開式熔斷器結構簡單,熔體完全暴露于空氣中,由瓷柱作支撐,沒有支座,適于低壓戶外使用。分斷電流時在大氣中產生較大的聲光。半封閉式熔斷器的熔體裝在瓷架上,插入兩端帶有金屬插座的瓷盒中,適于低壓戶內使用。分斷電流時,所產生的聲光被瓷盒擋住。管式熔斷器的熔體裝在熔斷...
變容二極管將萬用表紅、黑表筆怎樣對調測量,變容二極管的兩引腳間的電阻值均應為無窮大。如果在測量中,發(fā)現萬用表指針向右有輕微擺動或阻值為零,說明被測變容二極管有漏電故障或已經擊穿壞。 [8]單色發(fā)光二極管在萬用表外部附接一節(jié)能1.5V干電池,將萬用表置R×10或...
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在***的電力電子領域中已經得到廣泛的應用,在實際使用中除IGBT自身外,IGBT 驅動器的作用對整個換流系統(tǒng)來說同樣至關重要。驅動器的選擇及輸出功率的計算決定了換流系統(tǒng)的可靠性。驅動器功率不足或選擇錯誤可能會直接導致 IGBT ...