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按引出方式二級(jí)電路分中點(diǎn)引出整流電路，橋式整流電路，帶平衡電抗器整流電路，環(huán)形整流電路，十二相整流電路1）中點(diǎn)引出整流電路分：?jiǎn)蚊}波（單相半波），兩脈波（單相全波），三脈波（三相半波），六脈波（三相全波）2）橋式整流電路分：兩脈波（單相）橋式，六脈波（三相）橋...

優(yōu)良的驅(qū)動(dòng)電路對(duì)變換器性能的影響驅(qū)動(dòng)電路1.提高系統(tǒng)可靠性2.提高變換效率(開(kāi)關(guān)器件開(kāi)關(guān)、導(dǎo)通損耗)3.減小開(kāi)關(guān)器件應(yīng)力(開(kāi)/關(guān)過(guò)程中)4.降低EMI/EMC驅(qū)動(dòng)電路為什么要采取隔離措施安規(guī)問(wèn)題，驅(qū)動(dòng)電路副邊與主電路有耦合關(guān)系，而驅(qū)動(dòng)原邊是與控制電路連在一起，...

畫(huà)出它的波形圖，可以看到，只有在觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)時(shí)，負(fù)載RL上才有電壓UL輸出。Ug到來(lái)得早，可控硅導(dǎo)通的時(shí)間就早；Ug到來(lái)得晚，可控硅導(dǎo)通的時(shí)間就晚。通過(guò)改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)的時(shí)間，就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技...

Windows 9x專門提供有“添加新硬件向?qū)А保ㄒ韵潞?jiǎn)稱硬件向?qū)В﹣?lái)幫助使用者安裝硬件驅(qū)動(dòng)程序，使用者的工作就是在必要時(shí)告訴硬件向?qū)г谀膬嚎梢哉业脚c硬件型號(hào)相匹配的.inf文件，剩下的絕大部分安裝工作都將由硬件安裝向?qū)ё约和瓿?。給硬件設(shè)備安裝驅(qū)動(dòng)程序?qū)in...

門極驅(qū)動(dòng)功率 PG = E · fSW = QG · [ VG(on) - VG(off) ] · fSW驅(qū)動(dòng)器總功率 P = PG + PS（驅(qū)動(dòng)器的功耗）平均輸出電流 IoutAV = PG / ΔUGE = QG · fSW比較高開(kāi)關(guān)頻率 fSW max...

2023年5月，新加坡—麻省理工學(xué)院研究與技術(shù)聯(lián)盟的科學(xué)家開(kāi)發(fā)了世界上**小的LED（發(fā)光二極管）。 [10]2024年2月5日，中國(guó)科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所團(tuán)隊(duì)深挖機(jī)理、創(chuàng)新工藝，制備出一款高效穩(wěn)定的鈣鈦礦發(fā)光二極管，相關(guān)論文發(fā)于國(guó)際學(xué)術(shù)期刊《自然·光...

IGBT 的開(kāi)關(guān)特性主要取決于IGBT的門極電荷及內(nèi)部和外部的電阻。圖1是IGBT 門極電容分布示意圖，其中CGE 是柵極-發(fā)射極電容、CCE 是集電極-發(fā)射極電容、CGC 是柵極-集電極電容或稱米勒電容（Miller Capacitor）。門極輸入電容Cie...

光敏二極管，又叫光電二極管（英語(yǔ)：photodiode ）是一種能夠?qū)⒐飧鶕?jù)使用方式，轉(zhuǎn)換成電流或者電壓信號(hào)的光探測(cè)器。管芯常使用一個(gè)具有光敏特征的PN結(jié)，對(duì)光的變化非常敏感，具有單向?qū)щ娦裕夜鈴?qiáng)不同的時(shí)候會(huì)改變電學(xué)特性，因此，可以利用光照強(qiáng)弱來(lái)改變電路中...

所以對(duì)這兩種整流電路，要求電路的整流二極管其承受反向峰值電壓的能力較高；兩只二極管導(dǎo)通，另兩只二極管截止，它們串聯(lián)起來(lái)承受正向峰值電壓，在每只二極管兩端只有正向峰值電壓的一半，所以對(duì)這一電路中整流二極管承受反向峰值電壓的能力要求較低。整流電路5、在要求直流電壓...

IGBT 的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET 的溝道形成后，從P+ 基極注入到N 一層的空穴（少子），對(duì)N 一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減小N 一層的電阻，使IGBT 在高電壓時(shí)，也具有低的通...

變壓器次級(jí)電壓u21和u22大小相等，相位相反，即 u21 = - u22 。式中，U2 是變壓器次級(jí)半邊繞組交流電壓的有效值。全波整流電路的工作過(guò)程是：在u2 的正半周（ωt = 0~π）D1正偏導(dǎo)通，D2反偏截止，RL上有自上而下的電流流過(guò)，RL上的電壓與...

意法ST公司：TW=5mA，SW=10mA，CW=35mA，BW=50mA，C=25mA，B=50mA，H=15mA，T=15mA，注意：以上觸發(fā)電流均有一個(gè)上下起始誤差范圍，產(chǎn)品PDF文件中均有詳細(xì)說(shuō)明一般分為最小值/典型值/最大值，而非“=”一個(gè)參數(shù)值。雙...

“雙向可控硅”：是在普通可控硅的基礎(chǔ)上發(fā)展而成的，它不僅能代替兩只反極性并聯(lián)的可控硅，而且*需一個(gè)觸發(fā)電路，是比較理想的交流開(kāi)關(guān)器件。其英文名稱TRIAC即三端雙向交流開(kāi)關(guān)之意。雙向可控硅為什么稱為“TRIAC”?三端：TRIode(取**個(gè)字母)交流半導(dǎo)體開(kāi)...

（二）按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅?？煽毓栝_(kāi)關(guān)（三）按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅...

led驅(qū)動(dòng)電路是一種用于可控硅調(diào)光器的電路，分為兩類AC/ DC轉(zhuǎn)換和DC/ DC轉(zhuǎn)換兩類，又根據(jù)驅(qū)動(dòng)原理的不同，可以分為線性驅(qū)動(dòng)電路和開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)電路。LED在具體的使用時(shí)，要注意驅(qū)動(dòng)電路的選用。LED 驅(qū)動(dòng)電路除了要滿足安全要求外，另外的基本功能應(yīng)有兩個(gè)方面：...

1、柵極上的噪聲電平在有電噪聲的環(huán)境中，如果柵極上的噪聲電壓超過(guò)VGT，并有足夠的柵電流激發(fā)可控硅(晶閘管)內(nèi)部的正反饋，則也會(huì)被觸發(fā)導(dǎo)通。應(yīng)用安裝時(shí)，首先要使柵極外的連線盡可能短。當(dāng)連線不能很短時(shí)，可用絞線或屏蔽線來(lái)減小干擾的侵入。在然后G與MT1之間加一個(gè)...

二極管的電路符號(hào)如圖1所示。二極管有兩個(gè)電極，由P區(qū)引出的電極是正極，又叫陽(yáng)極；由N區(qū)引出的電極是負(fù)極，又叫陰極。三角箭頭方向表示正向電流的方向，二極管的文字符號(hào)用VD表示。 [4]二極管的主要原理就是利用PN結(jié)的單向?qū)щ娦裕赑N結(jié)上加上引線和封裝就成了一個(gè)...

動(dòng)態(tài)電阻二極管特性曲線靜態(tài)工作點(diǎn)附近電壓的變化與相應(yīng)電流的變化量之比。 [4]電壓溫度系數(shù)電壓溫度系數(shù)指溫度每升高一攝氏度時(shí)的穩(wěn)定電壓的相對(duì)變化量。 [4]比較高工作頻率比較高工作頻率是二極管工作的上限頻率。因二極管與PN結(jié)一樣，其結(jié)電容由勢(shì)壘電容組成。所以比...

MOSFET驅(qū)動(dòng)器是一款高頻高電壓柵極驅(qū)動(dòng)器，可利用一個(gè)同步 DC/DC 轉(zhuǎn)換器和高達(dá) 100V 的電源電壓來(lái)驅(qū)動(dòng)兩個(gè) N 溝道 MOSFET。強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)能力降低了具高柵極電容 MOSFET 中的開(kāi)關(guān)損耗。針對(duì)兩個(gè)與電源無(wú)關(guān)的輸入進(jìn)行配置。高壓側(cè)輸入邏輯信號(hào)在...

根據(jù)圖2中，RC充放電電路的輸出經(jīng)過(guò)增益電路后可得電流參考為：式中k為增益，VC為RC充放電電路的輸入電壓，τ為RC的時(shí)間系數(shù)，θ為可控硅的導(dǎo)通角。則在**小導(dǎo)通角對(duì)應(yīng)的輸出為零，即電路輸出的**大值對(duì)應(yīng)電流參考的**大值：從式(1)和式(2)可得輸出電流表達(dá)...

在應(yīng)用可控硅時(shí)，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽(yáng)極電流或電壓。電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。電壓測(cè)方法可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我們用...

引言近年來(lái)，高亮度LED照明以高光效、長(zhǎng)壽命、高可靠性和無(wú)污染等優(yōu)點(diǎn)正在逐步取代白熾燈、熒光燈等傳統(tǒng)光源。在一些應(yīng)用中，希望在某些情況下可調(diào)節(jié)燈光的亮度，以便進(jìn)一步節(jié)能和提供舒適的照明。常見(jiàn)的調(diào)光有雙向可控硅調(diào)光、后沿調(diào)光、ON/OFF調(diào)光、遙控調(diào)光等?？煽毓?..

波長(zhǎng)對(duì)于LED的光譜特性我們主要看它的單色性是否優(yōu)良，而且要注意到紅、黃、藍(lán)、綠、白色LED等主要的顏色是否**。因?yàn)樵谠S多場(chǎng)合下，比如交通信號(hào)燈對(duì)顏色就要求比較嚴(yán)格，不過(guò)據(jù)觀察我國(guó)的一些LED信號(hào)燈中綠色發(fā)藍(lán)，紅色的為深紅，從這個(gè)現(xiàn)象來(lái)看我們對(duì)LED的光譜特...

意法ST公司：TW=5mA，SW=10mA，CW=35mA，BW=50mA，C=25mA，B=50mA，H=15mA，T=15mA，注意：以上觸發(fā)電流均有一個(gè)上下起始誤差范圍，產(chǎn)品PDF文件中均有詳細(xì)說(shuō)明一般分為最小值/典型值/最大值，而非“=”一個(gè)參數(shù)值。雙...

PN結(jié)形成原理P型和N型半導(dǎo)體P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體（一種完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體）摻入少量三價(jià)元素雜質(zhì)，如硼等。因硼原子只有三個(gè)價(jià)電子，它與周圍的硅原子形成共價(jià)鍵，因缺少一個(gè)電子，在晶體中便產(chǎn)生一個(gè)空位，當(dāng)相鄰共價(jià)鍵上的電子獲得能量時(shí)就有可能填補(bǔ)這...

MOSFET驅(qū)動(dòng)器是一款高頻高電壓柵極驅(qū)動(dòng)器，可利用一個(gè)同步 DC/DC 轉(zhuǎn)換器和高達(dá) 100V 的電源電壓來(lái)驅(qū)動(dòng)兩個(gè) N 溝道 MOSFET。強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)能力降低了具高柵極電容 MOSFET 中的開(kāi)關(guān)損耗。針對(duì)兩個(gè)與電源無(wú)關(guān)的輸入進(jìn)行配置。高壓側(cè)輸入邏輯信號(hào)在...

若測(cè)得元件陰陽(yáng)極正反向已短路，或陽(yáng)極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說(shuō)明元件已損壞。可控硅是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。實(shí)際上，可控硅的功用不僅是整流，它還可以用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)以快速接通或切斷...

可控硅一經(jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后，由于循環(huán)反饋的原因，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1，而是經(jīng)過(guò)BG1、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠(yuǎn)大于Ib1，足以保持BG1的持續(xù)導(dǎo)通。此時(shí)觸發(fā)信號(hào)即使消失，可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài)只有斷開(kāi)電源Ea或降低Ea，使...

-- 適用于Cies 的測(cè)試條件為 VCE = 10 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGBT當(dāng)為各個(gè)應(yīng)用選擇IGBT驅(qū)動(dòng)器時(shí)，必須考慮下列細(xì)節(jié)：· 驅(qū)動(dòng)器必須能夠提供所需的門極平均電流IoutAV 及門極驅(qū)動(dòng)功率PG。驅(qū)動(dòng)器的比較大平均輸出電...

可控硅從外形上分類主要有：螺栓形、平板形和平底形?？煽毓柙慕Y(jié)構(gòu)不管可控硅的外形如何，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu)。見(jiàn)圖1。它有三個(gè)PN結(jié)（J1、J2、J3），從J1結(jié)構(gòu)的P1層引出陽(yáng)極A，從N2層引出陰級(jí)K，從P2層引出控制...