非破壞性分析（NDA）以非侵入方式分析樣品內(nèi)部結(jié)構(gòu)和性能，無需切割、拆解或化學(xué)處理，能保留樣品完整性，為后續(xù)研究留有余地，在高精度、高成本的半導(dǎo)體領(lǐng)域作用突出。

無損分析，通過捕捉樣品自身紅外熱輻射成像，全程無接觸，無需對晶圓、芯片等進行破壞性處理。在半導(dǎo)體制造中，可識別晶圓晶體缺陷；封裝階段，能檢測焊接點完整性或封裝層粘結(jié)質(zhì)量；失效分析時，可定位內(nèi)部短路或斷裂區(qū)域的隱性熱信號，為根源分析提供依據(jù)，完美適配半導(dǎo)體行業(yè)對高價值樣品的保護需求。 熱紅外顯微鏡支持芯片、電路板等多類電子元件熱檢測。半導(dǎo)體熱紅外顯微鏡設(shè)備

無損熱紅外顯微鏡的非破壞性分析（NDA）技術(shù)，為失效分析提供了 “保全樣品” 的重要手段。它在不損傷高價值樣品的前提下，捕捉隱性熱信號以定位內(nèi)部缺陷，既保障了分析的準確性，又為后續(xù)驗證、復(fù)盤保留了完整樣本，讓失效分析從 “找到問題” 到 “解決問題” 的閉環(huán)更高效、更可靠。

相較于無損熱紅外顯微鏡的非侵入式檢測，這些有損分析方法雖能獲取內(nèi)部結(jié)構(gòu)信息，但會破壞樣品完整性，更適合無需保留樣品的分析場景，與無損分析形成互補。 科研用熱紅外顯微鏡平臺熱紅外顯微鏡通過熱成像技術(shù)，快速定位 PCB 板上的短路熱點 。

熱紅外顯微鏡（Thermal EMMI) 也是科研與教學(xué)領(lǐng)域的利器，其設(shè)備能捕捉微觀世界的熱信號。它將紅外探測與顯微技術(shù)結(jié)合，呈現(xiàn)物體表面溫度分布，分辨率達微米級，可觀察半導(dǎo)體芯片熱點、電子器件熱分布等。非接觸式測量是其一大優(yōu)勢，無需與被測物體直接接觸，避免了對樣品的干擾，適用于多種類型的樣品檢測。實時成像功能可追蹤動態(tài)熱變化，如材料相變、化學(xué)反應(yīng)熱釋放。在高校，熱紅外顯微鏡助力多學(xué)科實驗；在企業(yè)，為產(chǎn)品研發(fā)和質(zhì)量檢測提供支持，推動各領(lǐng)域創(chuàng)新突破。

在電子領(lǐng)域，所有器件都會在不同程度上產(chǎn)生熱量。器件散發(fā)一定熱量屬于正?，F(xiàn)象，但某些類型的缺陷會增加功耗，進而導(dǎo)致發(fā)熱量上升。

在失效分析中，這種額外的熱量能夠為定位缺陷本身提供有用線索。熱紅外顯微鏡可以借助內(nèi)置攝像系統(tǒng)來測量可見光或近紅外光的實用技術(shù)。該相機對波長在3至10微米范圍內(nèi)的光子十分敏感，而這些波長與熱量相對應(yīng)，因此相機獲取的圖像可轉(zhuǎn)化為被測器件的熱分布圖。通常，會先對斷電狀態(tài)下的樣品器件進行熱成像，以此建立基準線；隨后通電再次成像。得到的圖像直觀呈現(xiàn)了器件的功耗情況，可用于隔離失效問題。許多不同的缺陷在通電時會因消耗額外電流而產(chǎn)生過多熱量。例如短路、性能不良的晶體管、損壞的靜電放電保護二極管等，通過熱紅外顯微鏡觀察時會顯現(xiàn)出來，從而使我們能夠精細定位存在缺陷的損壞部位。 熱紅外顯微鏡突破傳統(tǒng)限制，以超分辨率清晰呈現(xiàn)芯片內(nèi)部熱分布細節(jié) 。

在國內(nèi)失效分析設(shè)備領(lǐng)域，專注于原廠研發(fā)與生產(chǎn)的企業(yè)數(shù)量相對較少，尤其在熱紅外檢測這類高精度細分領(lǐng)域，具備自主技術(shù)積累的原廠更為稀缺。這一現(xiàn)狀既源于技術(shù)門檻 —— 需融合光學(xué)、紅外探測、信號處理等多學(xué)科技術(shù)，也受限于市場需求的專業(yè)化程度，導(dǎo)致多數(shù)企業(yè)傾向于代理或集成方案。

致晟光電正是國內(nèi)少數(shù)深耕該領(lǐng)域的原廠之一。不同于單純的設(shè)備組裝，其從中樞技術(shù)迭代入手，在傳統(tǒng)熱發(fā)射顯微鏡基礎(chǔ)上進化出熱紅外顯微鏡，形成從光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計、信號算法研發(fā)到整機制造的完整能力。這種原廠基因使其能深度理解國內(nèi)半導(dǎo)體、材料等行業(yè)的失效分析需求，例如針對先進制程芯片的微小熱信號檢測、國產(chǎn)新材料的熱特性研究等場景，提供更貼合實際應(yīng)用的設(shè)備與技術(shù)支持，成為本土失效分析領(lǐng)域不可忽視的自主力量。 熱紅外顯微鏡結(jié)合自研算法，對微弱熱信號進行定位分析，鎖定潛在缺陷 。半導(dǎo)體熱紅外顯微鏡設(shè)備

在高低溫循環(huán)（-40℃~125℃）中監(jiān)測車載功率模塊、傳感器的熱疲勞退化。半導(dǎo)體熱紅外顯微鏡設(shè)備

當電子設(shè)備中的某個元件發(fā)生故障或異常時，常常伴隨局部溫度升高。熱紅外顯微鏡通過高靈敏度的紅外探測器，能夠捕捉到極其微弱的熱輻射信號。這些探測器通常采用量子級聯(lián)激光器等先進技術(shù)，或其他高性能紅外傳感方案，具備寬溫區(qū)、高分辨率的成像能力。通過對熱輻射信號的精細探測與分析，熱紅外顯微鏡能夠?qū)㈦娮釉O(shè)備表面的溫度分布以高對比度的熱圖像形式呈現(xiàn)，直觀展現(xiàn)熱點區(qū)域的位置、尺寸及溫度變化趨勢，從而幫助工程師快速鎖定潛在的故障點，實現(xiàn)高效可靠的故障排查。半導(dǎo)體熱紅外顯微鏡設(shè)備

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