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熱紅外顯微鏡(Thermal EMMI) 圖像分析是通過(guò)探測(cè)物體自身發(fā)出的紅外輻射,將其轉(zhuǎn)化為可視化圖像,進(jìn)而分析物體表面溫度分布等信息的技術(shù)。其原理是溫度高于零度的物體都會(huì)向外發(fā)射紅外光,熱紅外顯微鏡通過(guò)吸收這些紅外光,利用光電轉(zhuǎn)換將其變?yōu)闇囟葓D像。物體內(nèi)電荷擾動(dòng)會(huì)產(chǎn)生遠(yuǎn)場(chǎng)輻射和近場(chǎng)輻射,近場(chǎng)輻射以倏逝波形式存在,強(qiáng)度隨遠(yuǎn)離物體表面急劇衰退,通過(guò)掃描探針技術(shù)可散射近場(chǎng)倏逝波,從而獲取物體近場(chǎng)信息,實(shí)現(xiàn)超分辨紅外成像。熱紅外顯微鏡通過(guò)納秒級(jí)瞬態(tài)熱捕捉,揭示高速芯片開(kāi)關(guān)過(guò)程的瞬態(tài)熱失效機(jī)理。工業(yè)檢測(cè)熱紅外顯微鏡運(yùn)動(dòng)
在失效分析的有損分析中,打開(kāi)封裝是常見(jiàn)操作,通常有三種方法。全剝離法會(huì)將集成電路完全損壞,留下完整的芯片內(nèi)部電路。但這種方法會(huì)破壞內(nèi)部電路和引線(xiàn),導(dǎo)致無(wú)法進(jìn)行電動(dòng)態(tài)分析,適用于需觀察內(nèi)部電路靜態(tài)結(jié)構(gòu)的場(chǎng)景。局部去除法通過(guò)特定手段去除部分封裝,優(yōu)點(diǎn)是開(kāi)封過(guò)程不會(huì)損壞內(nèi)部電路和引線(xiàn),開(kāi)封后仍可進(jìn)行電動(dòng)態(tài)分析,能為失效分析提供更豐富的動(dòng)態(tài)數(shù)據(jù)。自動(dòng)法則是利用硫酸噴射實(shí)現(xiàn)局部去除,自動(dòng)化操作可提高效率和精度,不過(guò)同樣屬于破壞性處理,會(huì)對(duì)樣品造成一定程度的損傷。
芯片用熱紅外顯微鏡區(qū)分 LED、激光二極管的電致發(fā)光熱點(diǎn)與熱輻射異常,優(yōu)化光電轉(zhuǎn)換效率。
從傳統(tǒng)熱發(fā)射顯微鏡到熱紅外顯微鏡的演變,是其技術(shù)團(tuán)隊(duì)對(duì)微觀熱分析需求的深度洞察與持續(xù)創(chuàng)新的結(jié)果。它既延續(xù)了通過(guò)紅外熱輻射解析熱行為的原理,又通過(guò)全尺度觀測(cè)、高靈敏度檢測(cè)、場(chǎng)景化分析等創(chuàng)新,突破了傳統(tǒng)技術(shù)的邊界。如今,這款設(shè)備已成為半導(dǎo)體失效分析、新材料熱特性研究、精密器件研發(fā)等領(lǐng)域的專(zhuān)業(yè)工具,為行業(yè)在微觀熱管控、缺陷排查、性能優(yōu)化等方面提供了更高效的技術(shù)支撐,推動(dòng)微觀熱分析從 “可見(jiàn)” 向 “可知”“可控” 邁進(jìn)。
ThermalEMMI(熱紅外顯微鏡)是一種先進(jìn)的非破壞性檢測(cè)技術(shù),主要用于精細(xì)定位電子設(shè)備中的熱點(diǎn)區(qū)域,這些區(qū)域通常與潛在的故障、缺陷或性能問(wèn)題密切相關(guān)。該技術(shù)可在不破壞被測(cè)對(duì)象的前提下,捕捉電子元件在工作狀態(tài)下釋放的熱輻射與光信號(hào),為工程師提供關(guān)鍵的故障診斷線(xiàn)索和性能分析依據(jù)。在諸如復(fù)雜集成電路、高性能半導(dǎo)體器件以及精密印制電路板(PCB)等電子組件中,ThermalEMMI能夠快速識(shí)別出異常發(fā)熱或發(fā)光的區(qū)域,幫助工程師迅速定位問(wèn)題根源,從而及時(shí)采取有效的維修或優(yōu)化措施。熱紅外顯微鏡可用于研究電子元件在不同環(huán)境下的熱行為 。
致晟光電的熱紅外顯微鏡(Thermal EMMI)系列 ——RTTLIT P10 實(shí)時(shí)瞬態(tài)鎖相熱分析系統(tǒng),搭載非制冷型熱紅外成像探測(cè)器,采用鎖相熱成像(Lock-In Thermography)技術(shù),通過(guò)調(diào)制電信號(hào)大幅提升特征分辨率與檢測(cè)靈敏度,具備高靈敏度、高性?xún)r(jià)比的突出優(yōu)勢(shì)。該系統(tǒng)鎖相靈敏度可達(dá) 0.001℃,顯微分辨率可達(dá) 5μm,分析速度快且檢測(cè)精度高,重點(diǎn)應(yīng)用于電路板失效分析領(lǐng)域,可多用于適配 PCB、PCBA、大尺寸主板、分立元器件、MLCC 等產(chǎn)品的維修檢測(cè)場(chǎng)景。 熱紅外顯微鏡可對(duì)不同材質(zhì)的電子元件進(jìn)行熱特性對(duì)比分析 。制冷熱紅外顯微鏡成像儀
熱紅外顯微鏡通過(guò)熱成像技術(shù),快速定位 PCB 板上的短路熱點(diǎn) 。工業(yè)檢測(cè)熱紅外顯微鏡運(yùn)動(dòng)
RTTLIT P10 熱紅外顯微鏡在光學(xué)配置上的靈活性,可通過(guò)多種可選物鏡得以充分體現(xiàn),為不同尺度、不同場(chǎng)景的熱分析需求提供精細(xì)適配。
Micro 廣角鏡頭擅長(zhǎng)捕捉大視野范圍的整體熱分布,適合快速定位樣品宏觀熱異常區(qū)域,如整片晶圓的整體散熱趨勢(shì)觀測(cè);0.2X 鏡頭在保持一定視野的同時(shí)提升細(xì)節(jié)捕捉能力,可用于中等尺寸器件(如傳感器模組)的熱行為分析,平衡效率與精度;0.4X 鏡頭進(jìn)一步聚焦局部,能清晰呈現(xiàn)芯片封裝級(jí)的熱分布特征,助力排查封裝缺陷導(dǎo)致的散熱不均問(wèn)題;1X 與 3X 鏡頭則聚焦微觀尺度,1X 鏡頭可解析芯片內(nèi)部功能模塊的熱交互,3X 鏡頭更是能深入到微米級(jí)結(jié)構(gòu)(如晶體管陣列、引線(xiàn)鍵合點(diǎn)),捕捉納米級(jí)熱點(diǎn)的細(xì)微溫度波動(dòng)。
工業(yè)檢測(cè)熱紅外顯微鏡運(yùn)動(dòng)