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無(wú)錫商甲半導(dǎo)體中低壓 MOSFET 為 BMS 提供了可靠保障。導(dǎo)通電阻和柵極電荷低，意味著在電流傳輸中消耗的能量少，系統(tǒng)溫升得到有效控制，延長(zhǎng)了 BMS 內(nèi)部元件的使用壽命?？寡┍滥芰?qiáng)，能應(yīng)對(duì)電池工作時(shí)可能出現(xiàn)的能量沖擊，保護(hù)系統(tǒng)免受損壞?？苟搪纺芰?qiáng)可在電路短路瞬間發(fā)揮作用，防止故障擴(kuò)大。參數(shù)一致性好，讓 BMS 的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)更順暢，減少了因器件差異導(dǎo)致的調(diào)試難題，降低失效概率。同時(shí)，高可靠性使其在極端條件下也能正常工作，滿(mǎn)足 BMS 的應(yīng)用需求。MOSFET、IGBT 選商甲半導(dǎo)體。山東好的MOSFET供應(yīng)商銷(xiāo)售價(jià)格SGTMOSFET在中低壓領(lǐng)域展現(xiàn)出獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。在48V的通信電源系統(tǒng)中...

商甲半導(dǎo)體產(chǎn)品：SJ MOS（超結(jié)MOSFET） 商甲半導(dǎo)體提供擊穿電壓等級(jí)范圍為500V至900V的SJ系列功率MOSFET產(chǎn)品，產(chǎn)品以低導(dǎo)通電阻，低柵極電荷，出色的開(kāi)關(guān)速度，以及更好的EMI表現(xiàn)，成為開(kāi)關(guān)電源的理想選擇；針對(duì)不同的電路要求，公司開(kāi)發(fā)出多個(gè)系列產(chǎn)品，在產(chǎn)品抗沖擊、EMI特性、開(kāi)關(guān)特性、反向恢復(fù)特性、性?xún)r(jià)比等多個(gè)因素中相互平衡，致力于為客戶(hù)提供比較好的選型方案。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用在家用電器、通信電源、UPS、光伏逆變、電動(dòng)汽車(chē)充電等領(lǐng)域。 為 MOSFET 、IGBT、FRD產(chǎn)品選型提供支持。北京工程MOSFET供應(yīng)商價(jià)格行情無(wú)錫商甲半導(dǎo)體中低壓 MOSFET 為 BMS ...

MOSFET 作為一種可控硅器件，有著獨(dú)特的結(jié)構(gòu)。其基本結(jié)構(gòu)為晶體管結(jié)構(gòu)，由源極、漏極、控制極和屏蔽極構(gòu)成，這是它實(shí)現(xiàn)電流與電壓控制功能的基礎(chǔ)架構(gòu)。而源極結(jié)構(gòu)和漏極結(jié)構(gòu)作為變化結(jié)構(gòu)，同樣由這些基本電極組成，卻能通過(guò)不同的設(shè)計(jì)方式改變 MOSFET 的特性，以適應(yīng)各種復(fù)雜的應(yīng)用場(chǎng)景。這種結(jié)構(gòu)上的多樣性，為工程師們?cè)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供了豐富的選擇空間。 MOSFET 以其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)、關(guān)鍵的參數(shù)、鮮明的特性、與 MOS 管的差異以及廣泛的應(yīng)用，在電子技術(shù)領(lǐng)域占據(jù)著重要地位。隨著科技的不斷進(jìn)步，相信 MOSFET 會(huì)不斷優(yōu)化升級(jí)，為我們帶來(lái)更多的驚喜與便利，持續(xù)推動(dòng)電子技術(shù)的發(fā)展與創(chuàng)新。 封裝代...

無(wú)錫商甲半導(dǎo)體提供 30V-200V Trench&SGT MOSFET，用戶(hù)可根據(jù)電機(jī)電壓及功率情況選用對(duì)應(yīng)產(chǎn)品。30V Trench MOSFET 適合 12V 低壓小功率電機(jī)，如智能門(mén)鎖電機(jī)，低導(dǎo)通電阻特性減少能耗，讓電機(jī)運(yùn)行更節(jié)能。其柵極電荷低，開(kāi)關(guān)響應(yīng)快，能精細(xì)控制電機(jī)啟停，適配頻繁換向的工作場(chǎng)景，為小型電機(jī)提供穩(wěn)定的功率支持。 無(wú)錫商甲半導(dǎo)體 48V SGT MOSFET 是理想之選。適配這類(lèi)中等電壓電機(jī)的功率需求，低內(nèi)阻特性降低運(yùn)行損耗，讓手持?jǐn)嚢铏C(jī)等設(shè)備的電機(jī)輸出更穩(wěn)定。同時(shí)，柵極控制特性?xún)?yōu)異，能靈活調(diào)節(jié)電機(jī)轉(zhuǎn)速，滿(mǎn)足不同工況下的動(dòng)力需求，用戶(hù)可依據(jù)電機(jī)功率輕松選型。...

在醫(yī)療設(shè)備領(lǐng)域，如便攜式超聲診斷儀，對(duì)設(shè)備的小型化與低功耗有嚴(yán)格要求。SGTMOSFET緊湊的芯片尺寸可使超聲診斷儀在更小的空間內(nèi)集成更多功能。其低功耗特性可延長(zhǎng)設(shè)備電池續(xù)航時(shí)間，方便醫(yī)生在不同場(chǎng)景下使用，為醫(yī)療診斷提供更便捷、高效的設(shè)備支持。在戶(hù)外醫(yī)療救援或偏遠(yuǎn)地區(qū)醫(yī)療服務(wù)中，便攜式超聲診斷儀需長(zhǎng)時(shí)間依靠電池供電，SGTMOSFET低功耗優(yōu)勢(shì)可確保設(shè)備持續(xù)工作，為患者及時(shí)診斷病情。其小尺寸特點(diǎn)使設(shè)備更輕便，易于攜帶與操作，提升醫(yī)療服務(wù)可及性，助力醫(yī)療行業(yè)提升診斷效率與服務(wù)質(zhì)量，改善患者就醫(yī)體驗(yàn)無(wú)論是車(chē)載充電系統(tǒng)還是充電樁，都離不開(kāi)商甲半導(dǎo)體 MOSFET。安徽新型MOSFET供應(yīng)商產(chǎn)品介紹 ...

對(duì)于消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品，如手機(jī)快速充電器，SGTMOSFET的尺寸優(yōu)勢(shì)尤為突出。隨著消費(fèi)者對(duì)充電器小型化、便攜化的需求增加，SGTMOSFET緊湊的芯片尺寸可使充電器在更小的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。在有限的電路板空間中，它能高效完成電壓轉(zhuǎn)換，實(shí)現(xiàn)快速充電功能，同時(shí)減少充電器的整體體積與重量，滿(mǎn)足消費(fèi)者對(duì)便捷出行的需求。以常見(jiàn)的65W手機(jī)快充為例，采用SGTMOSFET后，充電器體積可大幅縮小，便于攜帶，且在充電過(guò)程中能保持高效穩(wěn)定，減少充電時(shí)間，為用戶(hù)帶來(lái)極大便利，推動(dòng)消費(fèi)電子行業(yè)產(chǎn)品創(chuàng)新與升級(jí)。80-250V產(chǎn)品主要用于低壓系統(tǒng)新能源汽車(chē)、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、逆變器、儲(chǔ)能、BMS、LED。四川應(yīng)用MOS...

SGTMOSFET在中低壓領(lǐng)域展現(xiàn)出獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。在48V的通信電源系統(tǒng)中，其高效的開(kāi)關(guān)特性可降低系統(tǒng)能耗。傳統(tǒng)器件在頻繁開(kāi)關(guān)過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生較大的能量損耗，而SGTMOSFET憑借低開(kāi)關(guān)損耗的特點(diǎn)，能使電源系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換效率大幅提升，減少能源浪費(fèi)。在該電壓等級(jí)下，其導(dǎo)通電阻也能控制在較低水平，進(jìn)一步提高了系統(tǒng)的功率密度。以通信基站中的電源模塊為例，采用SGTMOSFET后，模塊尺寸得以縮小，在有限的空間內(nèi)可容納更多功能，同時(shí)降低了散熱需求，保障通信基站穩(wěn)定運(yùn)行，助力通信行業(yè)提升能源利用效率，降低運(yùn)營(yíng)成本。TrenchMOSFET 、N/P通道MOSFET/SGT MOSFET/ SJ MOSFET量產(chǎn)成...

MOSFET是汽車(chē)電子中的重要元件，被廣泛應(yīng)用于汽車(chē)中涉及（有刷、無(wú)刷）直流電機(jī)、電源等零部件中，汽車(chē)引擎、驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的變速箱控制器以及制動(dòng)、轉(zhuǎn)向控制，車(chē)身、照明及智能出行都離不開(kāi)MOSFET?，F(xiàn)今社會(huì)，汽車(chē)已不再是單純的代步工具，逐步在變成一種生活方式互聯(lián)網(wǎng)+，各種智能化電子設(shè)備的使用在不斷促進(jìn)這種趨勢(shì)；新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展帶來(lái)大量的MOSFET新增需求，汽車(chē)電氣化帶來(lái)巨大MOSFET增量空間，有刷電機(jī)往無(wú)刷電機(jī)的應(yīng)用轉(zhuǎn)移使MOSFET用量成倍增加，傳統(tǒng)汽車(chē)單車(chē)MOSFET用量大概100-200個(gè)，如今新能源汽車(chē)單車(chē)MOSFET用量達(dá)400顆以上。先進(jìn)技術(shù)加持，先試為快，別錯(cuò)過(guò)哦！上海工...

功率半導(dǎo)體的技術(shù)門(mén)檻在于對(duì)應(yīng)用場(chǎng)景的深度理解。“比如服務(wù)器電源需要高頻、大電流的芯片，但電流大了頻率就容易上不去。我們通過(guò)改進(jìn)SGT（屏蔽柵溝槽）及超結(jié)產(chǎn)品工藝，把高頻性能優(yōu)化到接近氮化鎵的水平，成本卻只有三分之一。”這款芯片已通過(guò)幾家頭部服務(wù)器廠(chǎng)商的測(cè)試，計(jì)劃明年量產(chǎn)。技術(shù)團(tuán)隊(duì)的“老炮兒”背景是商甲的核心競(jìng)爭(zhēng)力。公司研發(fā)負(fù)責(zé)人曾主導(dǎo)過(guò)多款國(guó)產(chǎn)MOSFET的量產(chǎn)，工藝團(tuán)隊(duì)則來(lái)自國(guó)內(nèi)頭部晶圓廠(chǎng)?！拔覀兊膬?yōu)勢(shì)是‘接地氣’——客戶(hù)提出需求，我們能快速調(diào)整設(shè)計(jì)和工藝，不用等海外大廠(chǎng)漫長(zhǎng)的排期?！遍_(kāi)關(guān)速度快、功耗低，電路高效運(yùn)行的得力助手。安徽哪里有MOSFET供應(yīng)商技術(shù)隨著物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的發(fā)展，眾多物聯(lián)網(wǎng)...

SGTMOSFET在中低壓領(lǐng)域展現(xiàn)出獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。在48V的通信電源系統(tǒng)中，其高效的開(kāi)關(guān)特性可降低系統(tǒng)能耗。傳統(tǒng)器件在頻繁開(kāi)關(guān)過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生較大的能量損耗，而SGTMOSFET憑借低開(kāi)關(guān)損耗的特點(diǎn)，能使電源系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換效率大幅提升，減少能源浪費(fèi)。在該電壓等級(jí)下，其導(dǎo)通電阻也能控制在較低水平，進(jìn)一步提高了系統(tǒng)的功率密度。以通信基站中的電源模塊為例，采用SGTMOSFET后，模塊尺寸得以縮小，在有限的空間內(nèi)可容納更多功能，同時(shí)降低了散熱需求，保障通信基站穩(wěn)定運(yùn)行，助力通信行業(yè)提升能源利用效率，降低運(yùn)營(yíng)成本。60V產(chǎn)品主要用于馬達(dá)控制、BMS、UPS、汽車(chē)雨刷、汽車(chē)音響；江蘇新型MOSFET供應(yīng)商廠(chǎng)家價(jià)格無(wú)...

商甲半導(dǎo)體自公司成立以來(lái)，飛速發(fā)展，產(chǎn)品已涵蓋了電源管理等諸多種類(lèi)上20V-300VTrench&SGTN/P溝道MOSFET,用戶(hù)可根據(jù)電池電壓及功率情況選用合適的料號(hào)： 1-3串：SJD20N060、SJD20N030等產(chǎn)品 3-5串：SJD30N042/SJH30N015/SJD30P055/SJD30N030/SH30N015/SJP30P180 5-7串：SJD40N058/SJD40N042/SJD40N022/SJD40P078 7-11串：SJD60N075/SJD60N064/SJH015N06 11-15串：SJD80N075/SJJ80N...

在數(shù)據(jù)中心的電源系統(tǒng)中，為滿(mǎn)足大量服務(wù)器的供電需求，需要高效、穩(wěn)定的電源轉(zhuǎn)換設(shè)備。SGTMOSFET可用于數(shù)據(jù)中心的AC/DC電源模塊，其低導(dǎo)通電阻與低開(kāi)關(guān)損耗特性，能大幅降低電源模塊的能耗，提高數(shù)據(jù)中心的能源利用效率，降低運(yùn)營(yíng)成本，同時(shí)保障服務(wù)器穩(wěn)定供電。數(shù)據(jù)中心服務(wù)器全年不間斷運(yùn)行，耗電量巨大，SGTMOSFET可有效降低電源模塊發(fā)熱，減少散熱成本，提高電源轉(zhuǎn)換效率，將更多電能輸送給服務(wù)器，保障服務(wù)器穩(wěn)定運(yùn)行，減少因電源問(wèn)題導(dǎo)致的服務(wù)器故障，提升數(shù)據(jù)中心整體運(yùn)營(yíng)效率與可靠性，符合數(shù)據(jù)中心綠色節(jié)能發(fā)展趨勢(shì)?？煽啃愿撸瑵M(mǎn)足極端條件應(yīng)用需求，保障電池安全穩(wěn)定運(yùn)行。北京哪里有MOSFET供應(yīng)商技術(shù)...

SGTMOSFET制造：芯片封裝芯片封裝是SGTMOSFET制造的一道重要工序。封裝前，先對(duì)晶圓進(jìn)行切割，將其分割成單個(gè)芯片，切割精度要求達(dá)到±20μm。隨后，選用合適的封裝材料與封裝形式，常見(jiàn)的有TO-220、TO-247等封裝形式。以TO-220封裝為例，將芯片固定在引線(xiàn)框架上，采用銀膠粘接，確保芯片與引線(xiàn)框架電氣連接良好，銀膠固化溫度在150-200℃，時(shí)間為30-60分鐘。接著，通過(guò)金絲鍵合實(shí)現(xiàn)芯片電極與引線(xiàn)框架引腳的連接，鍵合拉力需達(dá)到5-10g。用環(huán)氧樹(shù)脂等封裝材料進(jìn)行灌封，固化溫度在180-220℃，時(shí)間為1-2小時(shí)，保護(hù)芯片免受外界環(huán)境影響，提高器件的機(jī)械強(qiáng)度與電氣性能穩(wěn)定性，...

MOS 管，又被稱(chēng)為場(chǎng)效應(yīng)管、開(kāi)關(guān)管，其英文名稱(chēng) “MOSFET” 是 Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor 的縮寫(xiě)，在實(shí)際應(yīng)用中，人們常簡(jiǎn)稱(chēng)它為 MOS 管。從外觀(guān)封裝形式來(lái)看，MOS 管主要分為插件類(lèi)和貼片類(lèi)。眾多的 MOS 管在外觀(guān)上極為相似，常見(jiàn)的封裝類(lèi)型有 TO-252、TO-251、TO-220、TO-247 等，其中 TO-220 封裝常用。由于型號(hào)繁多，依靠外觀(guān)難以區(qū)分不同的 MOS 管。 按照導(dǎo)電方式來(lái)劃分，MOS 管可分為溝道增強(qiáng)型和耗盡型，每種類(lèi)型又進(jìn)一步分為 N 溝道和 P 溝道。在實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景中，...

MOS 管，又被稱(chēng)為場(chǎng)效應(yīng)管、開(kāi)關(guān)管，其英文名稱(chēng) “MOSFET” 是 Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor 的縮寫(xiě)，在實(shí)際應(yīng)用中，人們常簡(jiǎn)稱(chēng)它為 MOS 管。從外觀(guān)封裝形式來(lái)看，MOS 管主要分為插件類(lèi)和貼片類(lèi)。眾多的 MOS 管在外觀(guān)上極為相似，常見(jiàn)的封裝類(lèi)型有 TO-252、TO-251、TO-220、TO-247 等，其中 TO-220 封裝常用。由于型號(hào)繁多，依靠外觀(guān)難以區(qū)分不同的 MOS 管。 按照導(dǎo)電方式來(lái)劃分，MOS 管可分為溝道增強(qiáng)型和耗盡型，每種類(lèi)型又進(jìn)一步分為 N 溝道和 P 溝道。在實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景中，...

商甲半導(dǎo)體自公司成立以來(lái)，飛速發(fā)展，產(chǎn)品已涵蓋了電源管理等諸多種類(lèi)上20V-300VTrench&SGTN/P溝道MOSFET,用戶(hù)可根據(jù)電池電壓及功率情況選用合適的料號(hào)： 1-3串：SJD20N060、SJD20N030等產(chǎn)品 3-5串：SJD30N042/SJH30N015/SJD30P055/SJD30N030/SH30N015/SJP30P180 5-7串：SJD40N058/SJD40N042/SJD40N022/SJD40P078 7-11串：SJD60N075/SJD60N064/SJH015N06 11-15串：SJD80N075/SJJ80N...

無(wú)錫商甲半導(dǎo)體多款 MOSFET 在 BLDC（無(wú)刷直流電機(jī)）中應(yīng)用較多。其低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷的特點(diǎn)，能減少電機(jī)運(yùn)行時(shí)的能量損耗，保證良好的溫升效果，讓 BLDC 在長(zhǎng)時(shí)間工作后仍能保持穩(wěn)定性能。良好的抗雪崩能力可承受感性負(fù)載帶來(lái)的能量沖擊，避免電機(jī)啟動(dòng)或變速時(shí)的瞬間能量對(duì)器件造成損害。反向續(xù)流能力出色，能有效吸收電機(jī)負(fù)載產(chǎn)生的續(xù)電流，減少電路干擾。參數(shù)一致性好，在大功率場(chǎng)景下支持多管并聯(lián)，確保電流分配均勻。高可靠性使其能滿(mǎn)足不同終端場(chǎng)景的應(yīng)用環(huán)境，如電動(dòng)工具、風(fēng)機(jī)、吸塵器、電風(fēng)扇、電動(dòng)自行車(chē)、電動(dòng)汽車(chē)等。開(kāi)關(guān)速度快、功耗低，電路高效運(yùn)行的得力助手。中國(guó)臺(tái)灣選型MOSFET供應(yīng)商代理品牌在...

SGTMOSFET在中低壓領(lǐng)域展現(xiàn)出獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。在48V的通信電源系統(tǒng)中，其高效的開(kāi)關(guān)特性可降低系統(tǒng)能耗。傳統(tǒng)器件在頻繁開(kāi)關(guān)過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生較大的能量損耗，而SGTMOSFET憑借低開(kāi)關(guān)損耗的特點(diǎn)，能使電源系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換效率大幅提升，減少能源浪費(fèi)。在該電壓等級(jí)下，其導(dǎo)通電阻也能控制在較低水平，進(jìn)一步提高了系統(tǒng)的功率密度。以通信基站中的電源模塊為例，采用SGTMOSFET后，模塊尺寸得以縮小，在有限的空間內(nèi)可容納更多功能，同時(shí)降低了散熱需求，保障通信基站穩(wěn)定運(yùn)行，助力通信行業(yè)提升能源利用效率，降低運(yùn)營(yíng)成本。未來(lái)兩年內(nèi)做全硅基產(chǎn)品線(xiàn)并拓展至寬禁帶領(lǐng)域；中國(guó)臺(tái)灣樣品MOSFET供應(yīng)商歡迎選購(gòu)在太陽(yáng)能光伏逆變器...

在工業(yè)自動(dòng)化生產(chǎn)線(xiàn)中，各類(lèi)伺服電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)的精細(xì)驅(qū)動(dòng)至關(guān)重要。TrenchMOSFET憑借其性能成為電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的重要器件。以汽車(chē)制造生產(chǎn)線(xiàn)為例，用于搬運(yùn)、焊接和組裝的機(jī)械臂，其伺服電機(jī)的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)采用TrenchMOSFET。低導(dǎo)通電阻大幅降低了電機(jī)運(yùn)行時(shí)的功率損耗，減少設(shè)備發(fā)熱，提高了系統(tǒng)效率。同時(shí)，快速的開(kāi)關(guān)速度使得電機(jī)能夠快速響應(yīng)控制信號(hào)，實(shí)現(xiàn)精細(xì)的位置控制和速度調(diào)節(jié)。機(jī)械臂在進(jìn)行精密焊接操作時(shí)，TrenchMOSFET驅(qū)動(dòng)的電機(jī)可以在毫秒級(jí)時(shí)間內(nèi)完成啟動(dòng)、停止和轉(zhuǎn)向，保證焊接位置的準(zhǔn)確性，提升產(chǎn)品質(zhì)量和生產(chǎn)效率。柵極電壓足夠高時(shí)，絕緣層形成導(dǎo)電溝道，電流流通；廣東常見(jiàn)MOSFET供應(yīng)...

工業(yè)電力系統(tǒng)常常需要穩(wěn)定的直流電源，DC-DC轉(zhuǎn)換器是實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的關(guān)鍵設(shè)備，TrenchMOSFET在此發(fā)揮重要作用。在數(shù)據(jù)中心的電力供應(yīng)系統(tǒng)中，DC-DC轉(zhuǎn)換器用于將高壓直流母線(xiàn)電壓轉(zhuǎn)換為服務(wù)器所需的低壓直流電壓。TrenchMOSFET的低導(dǎo)通電阻有效降低了轉(zhuǎn)換過(guò)程中的能量損耗，提高了電源轉(zhuǎn)換效率，減少了電能浪費(fèi)。高功率密度的特性，使得DC-DC轉(zhuǎn)換器能夠在緊湊的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)大功率輸出，滿(mǎn)足數(shù)據(jù)中心大量服務(wù)器的供電需求。其快速的開(kāi)關(guān)速度支持高頻工作模式，有助于減小濾波電感和電容的尺寸，降低設(shè)備成本和體積。送樣活動(dòng)開(kāi)啟，熱穩(wěn)定性好、能承載大電流，無(wú)錫商甲值得信賴(lài)。重慶什么是MOSFET供應(yīng)商...

電 子?煙是一種模仿卷 煙的電子產(chǎn)品，其原理是通過(guò)加熱將電 子 煙油霧化的過(guò)程，而霧化是通過(guò)電熱絲瞬間大電流大功率來(lái)實(shí)現(xiàn)。電 子 煙由功率大小分為小煙和大煙兩種。小煙功率一般20W以下，發(fā)熱量100-200度之間；大煙功率一般20W以上，發(fā)熱量200-500度之間。小煙是利用控制單顆MOSFET占空比大小控制電熱絲電流，通常使用12VP-20VPMOSFET，對(duì)內(nèi)阻要求較高。無(wú)錫商甲半導(dǎo)體該領(lǐng)域MOSFET型號(hào)齊全，產(chǎn)品內(nèi)阻低且參數(shù)穩(wěn)定。大煙由于功率高，一般采用DC-DC變壓以提升電壓和電流大小，通常使用30VNSGT大電流MOSFET，常見(jiàn)PDFN3X3-8L和PDFN5X6-8L封裝形式。...

無(wú)錫商甲半導(dǎo)體多款 MOSFET 在 BLDC（無(wú)刷直流電機(jī)）中應(yīng)用較多。其低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷的特點(diǎn)，能減少電機(jī)運(yùn)行時(shí)的能量損耗，保證良好的溫升效果，讓 BLDC 在長(zhǎng)時(shí)間工作后仍能保持穩(wěn)定性能。良好的抗雪崩能力可承受感性負(fù)載帶來(lái)的能量沖擊，避免電機(jī)啟動(dòng)或變速時(shí)的瞬間能量對(duì)器件造成損害。反向續(xù)流能力出色，能有效吸收電機(jī)負(fù)載產(chǎn)生的續(xù)電流，減少電路干擾。參數(shù)一致性好，在大功率場(chǎng)景下支持多管并聯(lián)，確保電流分配均勻。高可靠性使其能滿(mǎn)足不同終端場(chǎng)景的應(yīng)用環(huán)境，如電動(dòng)工具、風(fēng)機(jī)、吸塵器、電風(fēng)扇、電動(dòng)自行車(chē)、電動(dòng)汽車(chē)等。送樣活動(dòng)開(kāi)啟，熱穩(wěn)定性好、能承載大電流，無(wú)錫商甲值得信賴(lài)。北京新能源MOSFET供應(yīng)...

進(jìn)行無(wú)線(xiàn)充 MOS 選型時(shí)進(jìn)行無(wú)線(xiàn)充 MOS 選型時(shí)，需考慮器件的反向耐壓和高頻穩(wěn)定性，無(wú)錫商甲半導(dǎo)體的 MOSFET 能滿(mǎn)足這些要求。其產(chǎn)品耐壓等級(jí)適配無(wú)線(xiàn)充的工作電壓，避免電壓波動(dòng)對(duì)器件造成損壞。高頻下的穩(wěn)定性好，在無(wú)線(xiàn)充能量傳輸?shù)母哳l交變過(guò)程中，性能穩(wěn)定不出現(xiàn)異常。此外，產(chǎn)品的參數(shù)一致性好，批量生產(chǎn)的無(wú)線(xiàn)充產(chǎn)品性能更統(tǒng)一，減少因器件差異導(dǎo)致的充電效果不一問(wèn)題。，需考慮器件的反向耐壓和高頻穩(wěn)定性，無(wú)錫商甲半導(dǎo)體的 MOSFET 能滿(mǎn)足這些要求。其產(chǎn)品耐壓等級(jí)適配無(wú)線(xiàn)充的工作電壓，避免電壓波動(dòng)對(duì)器件造成損壞。高頻下的穩(wěn)定性好，在無(wú)線(xiàn)充能量傳輸?shù)母哳l交變過(guò)程中，性能穩(wěn)定不出現(xiàn)異常。此外，產(chǎn)品的...

無(wú)錫商甲半導(dǎo)體提供 30V-200V Trench&SGT MOSFET，用戶(hù)可根據(jù)電機(jī)電壓及功率情況選用對(duì)應(yīng)產(chǎn)品。30V Trench MOSFET 適合 12V 低壓小功率電機(jī)，如智能門(mén)鎖電機(jī)，低導(dǎo)通電阻特性減少能耗，讓電機(jī)運(yùn)行更節(jié)能。其柵極電荷低，開(kāi)關(guān)響應(yīng)快，能精細(xì)控制電機(jī)啟停，適配頻繁換向的工作場(chǎng)景，為小型電機(jī)提供穩(wěn)定的功率支持。 無(wú)錫商甲半導(dǎo)體 48V SGT MOSFET 是理想之選。適配這類(lèi)中等電壓電機(jī)的功率需求，低內(nèi)阻特性降低運(yùn)行損耗，讓手持?jǐn)嚢铏C(jī)等設(shè)備的電機(jī)輸出更穩(wěn)定。同時(shí)，柵極控制特性?xún)?yōu)異，能靈活調(diào)節(jié)電機(jī)轉(zhuǎn)速，滿(mǎn)足不同工況下的動(dòng)力需求，用戶(hù)可依據(jù)電機(jī)功率輕松選型。...

PD快充(PowerDelivery)是USB連接器中的一種新的快速充電技術(shù)，在使用期間具有喚醒、智能協(xié)商、安全設(shè)置及實(shí)時(shí)監(jiān)控功能，將充電過(guò)程中實(shí)現(xiàn)更低的損耗、更高的效率、更安全的功率傳輸。PD快充是目前較完善的快充協(xié)議，最大支持功率可以達(dá)到100W以上，目前常見(jiàn)功率是18W,30W,45W,60/65W等，常見(jiàn)應(yīng)用領(lǐng)域包括：手機(jī)快充、筆記本快充、平板快充、通訊電源、車(chē)載充電等。 功率MOSFET作為PD快充的重要原件，在功率轉(zhuǎn)換過(guò)程中發(fā)揮著重要的作用，無(wú)錫商甲半導(dǎo)體可以提供完善的PD快充MOSFET解決方案。高壓PFC&Flyback采用650VSJMOSFETG1系列產(chǎn)品，具備低...

無(wú)錫商甲半導(dǎo)體有限公司為一家功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司，專(zhuān)業(yè)從事各類(lèi)MOSFET、IGBT產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)與銷(xiāo)售。公司總部位于江蘇省無(wú)錫市經(jīng)開(kāi)區(qū)，是無(wú)錫市太湖人才計(jì)劃重點(diǎn)引進(jìn)項(xiàng)目。 公司秉承：“致力于功率半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)與營(yíng)銷(xiāo)，參與和傳承功率半導(dǎo)體的發(fā)展”的愿景，堅(jiān)持“質(zhì)量至上、創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)”的發(fā)展策略，遵循“問(wèn)題解決+產(chǎn)品交付+售后服務(wù)”的營(yíng)銷(xiāo)法則，努力將公司建設(shè)成一個(gè)具有國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的功率半導(dǎo)體器件供應(yīng)商。公司緊密結(jié)合自身的優(yōu)勢(shì)，與國(guó)內(nèi)前列的芯片代工廠(chǎng)、封裝測(cè)試代工廠(chǎng)保持密切配合與合作，嚴(yán)格控制產(chǎn)品質(zhì)量，保證產(chǎn)品的質(zhì)量品質(zhì)和穩(wěn)定供貨。 輕、薄、小，功率密度大幅提升，更低功耗；山東質(zhì)量MOSFET供...

無(wú)錫商甲半導(dǎo)體提供 30V-200V Trench&SGT MOSFET，用戶(hù)可根據(jù)電機(jī)電壓及功率情況選用對(duì)應(yīng)產(chǎn)品。30V Trench MOSFET 適合 12V 低壓小功率電機(jī)，如智能門(mén)鎖電機(jī)，低導(dǎo)通電阻特性減少能耗，讓電機(jī)運(yùn)行更節(jié)能。其柵極電荷低，開(kāi)關(guān)響應(yīng)快，能精細(xì)控制電機(jī)啟停，適配頻繁換向的工作場(chǎng)景，為小型電機(jī)提供穩(wěn)定的功率支持。 無(wú)錫商甲半導(dǎo)體 48V SGT MOSFET 是理想之選。適配這類(lèi)中等電壓電機(jī)的功率需求，低內(nèi)阻特性降低運(yùn)行損耗，讓手持?jǐn)嚢铏C(jī)等設(shè)備的電機(jī)輸出更穩(wěn)定。同時(shí)，柵極控制特性?xún)?yōu)異，能靈活調(diào)節(jié)電機(jī)轉(zhuǎn)速，滿(mǎn)足不同工況下的動(dòng)力需求，用戶(hù)可依據(jù)電機(jī)功率輕松選型。...

MOS 管的性能和適用場(chǎng)景，很大程度上取決于它的關(guān)鍵參數(shù)。額定電壓（VDSS）是指在柵 - 源極電壓為零、室溫條件下，MOS 管能夠持續(xù)承受的最高電壓。在實(shí)際使用中，漏極（D 極）和源極（S 極）之間的電壓絕不能超過(guò)這個(gè)數(shù)值，常見(jiàn)的額定電壓有 600V、650V 等，也有 500V 的情況。額定電流（ID）是指在殼溫 25°C、柵 - 源極電壓為 10V（一般 MOSFET 的柵 - 源極導(dǎo)通閾值電壓）時(shí)，漏極和源極能夠承受的持續(xù)電流值。不過(guò)，隨著殼溫升高，額定電流會(huì)下降，當(dāng)殼溫達(dá)到 150°C 時(shí)，額定電流甚至?xí)禐?0。導(dǎo)通電阻（Rds (on)）是在結(jié)溫為室溫、柵 - 源極電壓為 10V...

無(wú)錫商甲半導(dǎo)體提供 30V-200V Trench&SGT MOSFET，用戶(hù)可根據(jù)電機(jī)電壓及功率情況選用對(duì)應(yīng)產(chǎn)品。30V Trench MOSFET 適合 12V 低壓小功率電機(jī)，如智能門(mén)鎖電機(jī)，低導(dǎo)通電阻特性減少能耗，讓電機(jī)運(yùn)行更節(jié)能。其柵極電荷低，開(kāi)關(guān)響應(yīng)快，能精細(xì)控制電機(jī)啟停，適配頻繁換向的工作場(chǎng)景，為小型電機(jī)提供穩(wěn)定的功率支持。 無(wú)錫商甲半導(dǎo)體 48V SGT MOSFET 是理想之選。適配這類(lèi)中等電壓電機(jī)的功率需求，低內(nèi)阻特性降低運(yùn)行損耗，讓手持?jǐn)嚢铏C(jī)等設(shè)備的電機(jī)輸出更穩(wěn)定。同時(shí)，柵極控制特性?xún)?yōu)異，能靈活調(diào)節(jié)電機(jī)轉(zhuǎn)速，滿(mǎn)足不同工況下的動(dòng)力需求，用戶(hù)可依據(jù)電機(jī)功率輕松選型。...

MOSFET是汽車(chē)電子中的重要元件，被廣泛應(yīng)用于汽車(chē)中涉及（有刷、無(wú)刷）直流電機(jī)、電源等零部件中，汽車(chē)引擎、驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的變速箱控制器以及制動(dòng)、轉(zhuǎn)向控制，車(chē)身、照明及智能出行都離不開(kāi)MOSFET?，F(xiàn)今社會(huì)，汽車(chē)已不再是單純的代步工具，逐步在變成一種生活方式互聯(lián)網(wǎng)+，各種智能化電子設(shè)備的使用在不斷促進(jìn)這種趨勢(shì)；新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展帶來(lái)大量的MOSFET新增需求，汽車(chē)電氣化帶來(lái)巨大MOSFET增量空間，有刷電機(jī)往無(wú)刷電機(jī)的應(yīng)用轉(zhuǎn)移使MOSFET用量成倍增加，傳統(tǒng)汽車(chē)單車(chē)MOSFET用量大概100-200個(gè)，如今新能源汽車(chē)單車(chē)MOSFET用量達(dá)400顆以上。MOSFET、IGBT 選商甲半導(dǎo)體。廣...