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由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達(dá)到20～30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。 因此使用中要注意以下幾點(diǎn)：1. 在使用模塊時(shí)，盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子...

另外，在測(cè)量控制極正反向電阻時(shí)，萬(wàn)用表應(yīng)放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿。若測(cè)得元件陰陽(yáng)極正反向已短路，或陽(yáng)極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞。可控硅是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)...

高傳導(dǎo)點(diǎn)接觸型二極管它與高反向電阻型相反。其反向特性盡管很差，但使正向電阻變得足夠小。對(duì)高傳導(dǎo)點(diǎn)接觸型二極管而言，有SD56、1N56A等等。對(duì)高傳導(dǎo)鍵型二極管而言，能夠得到更優(yōu)良的特性。這類二極管，在負(fù)荷電阻特別低的情況下，整流效率較高。 在開關(guān)電源中,所需...

（3）現(xiàn)今產(chǎn)品多具有智能特點(diǎn)，除保護(hù)功能外，還有電量測(cè)量、故障記錄，以及通信接口，實(shí)現(xiàn)配電裝置及系統(tǒng)集中監(jiān)控管理。2、主要問題（1）價(jià)格很高，因此只宜在配電線路首端和特別重要場(chǎng)所的分干線使用；（2）尺寸較大。信息技術(shù)設(shè)備(ITE)熔斷器標(biāo)識(shí)要求依照GB4943...

安裝過程中，螺絲刀決不能對(duì)器件塑料體施加任何力量；和接頭片接觸的散熱器表面應(yīng)處理，保證平坦，10mm上允許偏差0.02mm；安裝力矩（帶墊圈）應(yīng)在0.55nm 和0.8nm 之間；應(yīng)避免使用自攻絲螺釘，因?yàn)閿D壓可能導(dǎo)致安裝孔周圍的隆起，影響器件和散熱器之間的熱...

正式商用的高壓大電流IGBT器件至今尚未出現(xiàn)，其電壓和電流容量還很有限，遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足電力電子應(yīng)用技術(shù)發(fā)展的需求，特別是在高壓領(lǐng)域的許多應(yīng)用中，要求器件的電壓等級(jí)達(dá)到10KV以上。目前只能通過IGBT高壓串聯(lián)等技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)高壓應(yīng)用。國(guó)外的一些廠家如瑞士ABB公司采...

另外，在測(cè)量控制極正反向電阻時(shí)，萬(wàn)用表應(yīng)放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿。若測(cè)得元件陰陽(yáng)極正反向已短路，或陽(yáng)極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞?？煽毓枋强煽毓枵髟暮?jiǎn)稱，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)...

為防止發(fā)生越級(jí)熔斷、擴(kuò)大事故范圍，上、下級(jí)（即供電干、支線）線路的熔斷器間應(yīng)有良好配合。選用時(shí)，應(yīng)使上級(jí)（供電干線）熔斷器的熔體額定電流比下級(jí)（供電支線）的大1～2個(gè)級(jí)差。常用的熔斷器有管式熔斷器R1系列、螺旋式熔斷器RLl系列、填料封閉式熔斷器RT0系列及快...

觸發(fā)二極管又稱雙向觸發(fā)二極管（DIAC）屬三層結(jié)構(gòu)，具有對(duì)稱性的二端半導(dǎo)體器件。常用來(lái)觸發(fā)雙向可控硅 ，在電路中作過壓保護(hù)等用途。圖1是它的構(gòu)造示意圖。圖2、圖3分別是它的符號(hào)及等效電路，可等效于基極開路、發(fā)射極與集電極對(duì)稱的NPN型晶體管。因此完全可用二只N...

額定速態(tài)平均屯成系列共分為14個(gè)，如表1一5所示。正反向重復(fù)蜂值屯壓級(jí)別規(guī)定1000V以下的管子每100V為一級(jí)，1000V以上的管子每200V為一級(jí)。取電壓教除以100做為級(jí)別標(biāo)志，如表1-6所示。通態(tài)平均電壓組別依電壓大小分為9組，用宇毋表示，如表1一所示...

紅外發(fā)光二極管1. 判別紅外發(fā)光二極管的正、負(fù)電極。紅外發(fā)光二極管有兩個(gè)引腳，通常長(zhǎng)引腳為正極，短引腳為負(fù)極。因紅外發(fā)光二極管呈透明狀，所以管殼內(nèi)的電極清晰可見，內(nèi)部電極較寬較大的一個(gè)為負(fù)極，而較窄且小的一個(gè)為正極。 [8]2. 先測(cè)量紅個(gè)發(fā)光二極管的正、反向...

額定速態(tài)平均屯成系列共分為14個(gè)，如表1一5所示。正反向重復(fù)蜂值屯壓級(jí)別規(guī)定1000V以下的管子每100V為一級(jí)，1000V以上的管子每200V為一級(jí)。取電壓教除以100做為級(jí)別標(biāo)志，如表1-6所示。通態(tài)平均電壓組別依電壓大小分為9組，用宇毋表示，如表1一所示...

因此，在本征半導(dǎo)體的兩個(gè)不同區(qū)域摻入三價(jià)和五價(jià)雜質(zhì)元素，便形成了P型區(qū)和N型區(qū)，根據(jù)N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體的特性，可知在它們的交界處就出現(xiàn)了電子和空穴的濃度差異，電子和空穴都要從濃度高的區(qū)域向濃度低的區(qū)域擴(kuò)散，它們的擴(kuò)散使原來(lái)交界處的電中性被破壞。 [6]PN...

反向電流反向電流是指二極管在常溫（25℃）和比較高反向電壓作用***過二極管的反向電流。反向電流越小，管子的單方向?qū)щ娦阅茉胶?。值得注意的是反向電流與溫度有著密切的關(guān)系，大約溫度每升高10℃，反向電流增大一倍。例如2AP1型鍺二極管，在25℃時(shí)反向電流若為25...

（4）不能實(shí)現(xiàn)遙控，需要與電動(dòng)刀開關(guān)、開關(guān)組合才有可能。非選擇型斷路器：1、主要優(yōu)點(diǎn)和特點(diǎn)（1）故障斷開后，可以手操?gòu)?fù)位，不必更換元件，除非切斷大短路電流后需要維修；（2）有反時(shí)限特性的長(zhǎng)延時(shí)脫扣器和瞬時(shí)電流脫扣器兩段保護(hù)功能，分別作為過載和短路防護(hù)用，各司其...

此外，熔斷器根據(jù)分?jǐn)嚯娏鞣秶€可分為一般用途熔斷器，后備熔斷器和全范圍熔斷器。一般用途熔斷器的分?jǐn)嚯娏鞣秶笍倪^載電流大于額定電流1.6～2倍起，到比較大分?jǐn)嚯娏鞯姆秶?。這種熔斷器主要用于保護(hù)電力變壓器和一般電氣設(shè)備。后備熔斷器的分?jǐn)嚯娏鞣秶笍倪^載電流大于額...

至于型號(hào)后綴字母的觸發(fā)電流，各個(gè)廠家的**含義如下：PHILIPS公司：D=5mA，E=10mA，C=15mA，F(xiàn)=25mA，G=50mA，R=200uA或5mA，型號(hào)沒有后綴字母之觸發(fā)電流，通常為25-35mA；PHILIPS公司的觸發(fā)電流**字母沒有統(tǒng)一的...

測(cè)量方法鑒別可控硅三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單，根據(jù)P-N結(jié)的原理，只要用萬(wàn)用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以。陽(yáng)極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽(yáng)極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個(gè)P-N結(jié)，而且方向相反，因此陽(yáng)極和控制極正反向都...

導(dǎo)通壓降電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)使電阻RN減小，使通態(tài)壓降小。關(guān)斷當(dāng)在柵極施加一個(gè)負(fù)偏壓或柵壓低于門限值時(shí)，溝道被禁止，沒有空穴注入N-區(qū)內(nèi)。在任何情況下，如果MOSFET電流在開關(guān)階段迅速下降，集電極電流則逐漸降低，這是因?yàn)閾Q向開始后，在N層內(nèi)還存在少數(shù)的載流子（少子）...

絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在***的電力電子領(lǐng)域中已經(jīng)得到廣泛的應(yīng)用，在實(shí)際使用中除IGBT自身外，IGBT 驅(qū)動(dòng)器的作用對(duì)整個(gè)換流系統(tǒng)來(lái)說同樣至關(guān)重要。驅(qū)動(dòng)器的選擇及輸出功率的計(jì)算決定了換流系統(tǒng)的可靠性。驅(qū)動(dòng)器功率不足或選擇錯(cuò)誤可能會(huì)直接導(dǎo)致 IGBT ...

通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)的時(shí)間，就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術(shù)中，常把交流電的半個(gè)周期定為180°，稱為電角度。這樣，在U2的每個(gè)正半周，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來(lái)瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α；在每個(gè)正半周內(nèi)可控...

圖7是雙向觸發(fā)二極管與雙向可控硅等元件構(gòu)成的臺(tái)燈調(diào)光電路。通過調(diào)節(jié)電位器R2，可以改變雙向可控硅的導(dǎo)通角，從而改變通過燈泡的電流（平均值）實(shí)現(xiàn)連續(xù)調(diào)光。如果將燈泡換電熨斗、電熱褥還可實(shí)現(xiàn)連續(xù)調(diào)溫。該電路在雙向可控硅加散熱器的情況下，可控負(fù)載功率可達(dá)500W，各...

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。...

可控硅這種通過觸發(fā)信號(hào)（小的觸發(fā)電流）來(lái)控制導(dǎo)通（可控硅中通過大電流）的可控特性，正是它區(qū)別于普通硅整流二極管的重要特征。普通可控硅的三個(gè)電極可以用萬(wàn)用表歐姆擋R×100擋位來(lái)測(cè)。大家知道，晶閘管G、K之間是一個(gè)PN結(jié)（a），相當(dāng)于一個(gè)二極管，G為正極、K為負(fù)...

2、保護(hù)單臺(tái)長(zhǎng)期工作的電機(jī)熔體電流可按比較大起動(dòng)電流選取，也可按下式選?。篒RN ≥ (1.5～2.5)IN式中IRN--熔體額定電流；IN--電動(dòng)機(jī)額定電流。如果電動(dòng)機(jī)頻繁起動(dòng)，式中系數(shù)可適當(dāng)加大至3～3.5，具體應(yīng)根據(jù)實(shí)際情況而定。3、保護(hù)多臺(tái)長(zhǎng)期工作的電...

②限流特性好，分?jǐn)嗄芰Ω撸虎巯鄬?duì)尺寸較小；NT系列熔斷器④價(jià)格較便宜。（2）熔斷器的主要缺點(diǎn)①故障熔斷后必須更換熔斷體；②保護(hù)功能單一，只有一段過電流反時(shí)限特性，過載、短路和接地故障都用此防護(hù)；③發(fā)生一相熔斷時(shí)，對(duì)三相電動(dòng)機(jī)將導(dǎo)致兩相運(yùn)轉(zhuǎn)的不良后果，當(dāng)然可用帶...

在晶閘管導(dǎo)通后，如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻，使陽(yáng)極電流Ia減小到維持電流IH以下時(shí)，由于a1和a1迅速下降，當(dāng)1-（a1+a2）≈0時(shí)，晶閘管恢復(fù)阻斷狀態(tài)。普通可控硅**基本的用途就是可控整流。二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成可控硅...

熔斷器是**簡(jiǎn)單的保護(hù)電器，它用來(lái)保護(hù)電氣設(shè)備免受過載和短路電流的損害；按安裝條件及用途選擇不同類型高壓熔斷器如屋外跌落式、屋內(nèi)式，對(duì)于一些**設(shè)備的高壓熔斷器應(yīng)選**系列；我們常說的保險(xiǎn)絲就是熔斷器類。當(dāng)今社會(huì)能源危機(jī)和環(huán)境污染問題與日俱增，全國(guó)大面積的霧霾...

大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說的普通晶閘管，它是由四層半導(dǎo)體材料組成的，有三個(gè)PN結(jié)，對(duì)外有三個(gè)電極〔圖2（P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽(yáng)極A，第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號(hào)〔圖2（以硅單晶為基本...

2. 額定電壓：熔斷器所在電路中的最高電壓不應(yīng)超過熔斷器的額定電壓。3.額定電流：通過熔斷器的工作電流不應(yīng)超過額定電流的75%。4. 短路截流能力：熔斷器所在的電路中可能出現(xiàn)的最大短路電流不應(yīng)超過熔斷器的短路截流能力。5. 熔斷特性：熔斷器在出現(xiàn)需要切斷的過載...