隨著半導(dǎo)體市場需求的快速變化,產(chǎn)品迭代周期不斷縮短,這對晶圓切割的快速響應(yīng)能力提出更高要求。中清航科建立了快速工藝開發(fā)團(tuán)隊,承諾在收到客戶新樣品后 72 小時內(nèi)完成切割工藝驗(yàn)證,并提供工藝報告與樣品測試數(shù)據(jù),幫助客戶加速新產(chǎn)品研發(fā)進(jìn)程,搶占市場先機(jī)。晶圓切割設(shè)...
中清航科設(shè)備搭載AI參數(shù)推薦引擎,通過分析晶圓MAP圖自動匹配切割速度、進(jìn)給量及冷卻流量。機(jī)器學(xué)習(xí)模型基于10萬+案例庫持續(xù)優(yōu)化,將工藝調(diào)試時間從48小時縮短至2小時,快速響應(yīng)客戶多品種、小批量需求。SiC材料硬度高、脆性大,傳統(tǒng)切割良率不足80%。中清航科采...
在流片文件的標(biāo)準(zhǔn)化處理方面,中清航科擁有成熟的轉(zhuǎn)換體系。不同晶圓廠對 GDSII、OASIS 等文件格式的要求存在差異,其自主開發(fā)的文件轉(zhuǎn)換工具可實(shí)現(xiàn)一鍵適配,自動檢測并修正圖層、尺寸偏差等問題。針對先進(jìn)制程中的 OPC(光學(xué)鄰近校正)要求,技術(shù)團(tuán)隊會進(jìn)行專項(xiàng)...
隨著半導(dǎo)體市場需求的快速變化,產(chǎn)品迭代周期不斷縮短,這對晶圓切割的快速響應(yīng)能力提出更高要求。中清航科建立了快速工藝開發(fā)團(tuán)隊,承諾在收到客戶新樣品后 72 小時內(nèi)完成切割工藝驗(yàn)證,并提供工藝報告與樣品測試數(shù)據(jù),幫助客戶加速新產(chǎn)品研發(fā)進(jìn)程,搶占市場先機(jī)。晶圓切割設(shè)...
GaN材料硬度高且易產(chǎn)生解理裂紋。中清航科創(chuàng)新水導(dǎo)激光切割(Water Jet Guided Laser),利用高壓水柱約束激光束,冷卻與沖刷同步完成。崩邊尺寸<8μm,熱影響區(qū)只2μm,滿足射頻器件高Q值要求。設(shè)備振動導(dǎo)致切割線寬波動。中清航科應(yīng)用主動磁懸浮...
對于需要多工藝節(jié)點(diǎn)流片的客戶,中清航科構(gòu)建了跨節(jié)點(diǎn)協(xié)同服務(wù)體系。其技術(shù)團(tuán)隊熟悉不同工藝節(jié)點(diǎn)的特性差異,能為客戶提供從低階到高階制程的平滑過渡方案,例如在同一產(chǎn)品系列中,幫助客戶實(shí)現(xiàn)從 180nm 到 28nm 的逐步升級。通過建立統(tǒng)一的設(shè)計數(shù)據(jù)庫,使不同節(jié)點(diǎn)的...
對于需要進(jìn)行車規(guī)級功率器件流片的客戶,中清航科提供符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)的流片代理服務(wù)。其與具備車規(guī)級功率器件生產(chǎn)資質(zhì)的晶圓廠合作,熟悉 IGBT、MOSFET 等功率器件的流片工藝,能為客戶提供芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計、柵極氧化層優(yōu)化、終端結(jié)構(gòu)設(shè)計等專業(yè)服務(wù)。在流...
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的當(dāng)下,其流片代理服務(wù)成為連接設(shè)計企業(yè)與晶圓廠的重要紐帶,而中清航科憑借深厚的行業(yè)積累,構(gòu)建起覆蓋全工藝節(jié)點(diǎn)的流片代理體系。其與全球前 20 晶圓代工廠均建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,包括臺積電、三星電子、中芯國際等,能為客戶提供從 180nm 到...
流片代理的項(xiàng)目管理能力直接影響服務(wù)質(zhì)量,中清航科采用 PMBOK 項(xiàng)目管理體系,每個流片項(xiàng)目配備專屬項(xiàng)目經(jīng)理、技術(shù)專員與商務(wù)專員的三人團(tuán)隊。通過自研的項(xiàng)目管理系統(tǒng)實(shí)時跟蹤進(jìn)度,設(shè)置關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)預(yù)警機(jī)制,當(dāng)某環(huán)節(jié)出現(xiàn)延期風(fēng)險時自動觸發(fā)升級流程。其項(xiàng)目按時交付率連續(xù)三...
在晶圓切割的產(chǎn)能規(guī)劃方面,中清航科為客戶提供專業(yè)的產(chǎn)能評估服務(wù)。通過產(chǎn)能模擬軟件,根據(jù)客戶的晶圓規(guī)格、日產(chǎn)量需求、設(shè)備利用率等參數(shù),精確計算所需設(shè)備數(shù)量與配置方案,并提供投資回報分析,幫助客戶優(yōu)化設(shè)備采購決策,避免產(chǎn)能過?;虿蛔愕膯栴}。針對晶圓切割過程中可能出...
中清航科動態(tài)線寬控制系統(tǒng)利用實(shí)時共焦傳感器監(jiān)測切割槽形貌,通過AI算法自動補(bǔ)償?shù)毒吣p導(dǎo)致的線寬偏差(精度±0.8μm)。該技術(shù)使12英寸晶圓切割道均勻性提升至97%,芯片產(chǎn)出量增加5.3%,年節(jié)省材料成本超$150萬。針對消費(fèi)電子量產(chǎn)需求,中清航科開發(fā)多光束...
流片代理作為連接芯片設(shè)計企業(yè)與晶圓代工廠的關(guān)鍵橋梁,能有效解決中小設(shè)計公司面臨的產(chǎn)能短缺、流程復(fù)雜等難題。中清航科憑借與臺積電、三星、中芯國際等全球 Top10 晶圓廠的深度合作關(guān)系,建立起穩(wěn)定的產(chǎn)能儲備通道,可優(yōu)先保障客戶在 12nm 至 0.18μm 工藝...
中清航科CutSim軟件建立熱-力-流體耦合模型,預(yù)測切割溫度場/應(yīng)力場分布。輸入材料參數(shù)即可優(yōu)化工藝,客戶開發(fā)周期縮短70%,試錯成本下降$50萬/項(xiàng)目。針對MEMS陀螺儀等真空封裝器件,中清航科提供10??Pa級真空切割艙。消除空氣阻尼影響,切割后器件Q值...
隨著半導(dǎo)體市場需求的快速變化,產(chǎn)品迭代周期不斷縮短,這對晶圓切割的快速響應(yīng)能力提出更高要求。中清航科建立了快速工藝開發(fā)團(tuán)隊,承諾在收到客戶新樣品后 72 小時內(nèi)完成切割工藝驗(yàn)證,并提供工藝報告與樣品測試數(shù)據(jù),幫助客戶加速新產(chǎn)品研發(fā)進(jìn)程,搶占市場先機(jī)。晶圓切割設(shè)...
在碳化硅晶圓切割領(lǐng)域,由于材料硬度高達(dá)莫氏 9 級,傳統(tǒng)切割方式面臨效率低下的問題。中清航科創(chuàng)新采用超高壓水射流與激光復(fù)合切割技術(shù),利用水射流的冷卻作用抑制激光切割產(chǎn)生的熱影響區(qū),同時借助激光的預(yù)熱作用降低材料強(qiáng)度,使碳化硅晶圓的切割效率提升 3 倍,熱影響區(qū)...
當(dāng)晶圓切割面臨復(fù)雜圖形切割需求時,中清航科的矢量切割技術(shù)展現(xiàn)出獨(dú)特優(yōu)勢。該技術(shù)可精確識別任意復(fù)雜切割路徑,包括圓弧、曲線及異形圖案,通過分段速度調(diào)節(jié)確保每一段切割的平滑過渡,切割軌跡誤差控制在 2μm 以內(nèi)。目前已成功應(yīng)用于光電子芯片的精密切割,為 AR/VR...
晶圓切割的工藝參數(shù)設(shè)置需要豐富的經(jīng)驗(yàn)積累,中清航科開發(fā)的智能工藝推薦系統(tǒng),基于千萬級切割數(shù)據(jù)訓(xùn)練而成。只需輸入晶圓材料、厚度、切割道寬等基本參數(shù),系統(tǒng)就能自動生成比較好的切割方案,包括激光功率、切割速度、聚焦位置等關(guān)鍵參數(shù),新手操作人員也能快速達(dá)到工程師的工藝...
芯片封裝的知識產(chǎn)權(quán)保護(hù):在技術(shù)密集型的半導(dǎo)體行業(yè),知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)至關(guān)重要。中清航科高度重視知識產(chǎn)權(quán)保護(hù),對自主研發(fā)的封裝技術(shù)、工藝和設(shè)計方案等及時申請專利,構(gòu)建完善的知識產(chǎn)權(quán)體系。同時,公司嚴(yán)格遵守行業(yè)知識產(chǎn)權(quán)規(guī)則,尊重他人知識產(chǎn)權(quán),避免侵權(quán)行為。通過加強(qiáng)知...
中清航科部署封裝數(shù)字孿生系統(tǒng),通過AI視覺檢測實(shí)現(xiàn)微米級缺陷捕捉。在BGA植球工藝中,球徑一致性控制±3μm,位置精度±5μm。智能校準(zhǔn)系統(tǒng)使設(shè)備換線時間縮短至15分鐘,產(chǎn)能利用率提升至90%。針對HBM內(nèi)存堆疊需求,中清航科開發(fā)超薄芯片處理工藝。通過臨時鍵合...
在晶圓切割的產(chǎn)能規(guī)劃方面,中清航科為客戶提供專業(yè)的產(chǎn)能評估服務(wù)。通過產(chǎn)能模擬軟件,根據(jù)客戶的晶圓規(guī)格、日產(chǎn)量需求、設(shè)備利用率等參數(shù),精確計算所需設(shè)備數(shù)量與配置方案,并提供投資回報分析,幫助客戶優(yōu)化設(shè)備采購決策,避免產(chǎn)能過?;虿蛔愕膯栴}。針對晶圓切割過程中可能出...
磷化銦(InP)光子晶圓易產(chǎn)生邊緣散射損耗。中清航科采用等離子體刻蝕輔助裂片技術(shù),切割面垂直度達(dá)89.5°±0.2°,側(cè)壁粗糙度Ra<20nm,插入損耗降低至0.15dB/cm。中清航科SkyEye系統(tǒng)通過5G實(shí)時回傳設(shè)備運(yùn)行數(shù)據(jù)(振動/電流/溫度),AI引擎...
面對半導(dǎo)體行業(yè)的產(chǎn)能波動,中清航科構(gòu)建了靈活的產(chǎn)能調(diào)配機(jī)制,確??蛻舻牧髌枨蟮玫椒€(wěn)定滿足。其建立了動態(tài)產(chǎn)能監(jiān)測系統(tǒng),實(shí)時跟蹤全球主要晶圓廠的產(chǎn)能利用率、交貨周期等數(shù)據(jù),提前了3 個月預(yù)判產(chǎn)能緊張節(jié)點(diǎn),及時通知客戶調(diào)整流片計劃。針對突發(fā)產(chǎn)能短缺,啟動備用晶圓廠...
針對高粘度晶圓切割液的回收處理,中清航科研發(fā)了離心式過濾凈化系統(tǒng)。該系統(tǒng)通過三級過濾工藝,可去除切割液中 99.9% 的固體顆粒雜質(zhì),使切割液循環(huán)利用率提升至 80% 以上,不只降低耗材成本,還減少廢液排放。同時配備濃度自動調(diào)節(jié)功能,確保切割液性能穩(wěn)定,保障切...
磷化銦(InP)光子晶圓易產(chǎn)生邊緣散射損耗。中清航科采用等離子體刻蝕輔助裂片技術(shù),切割面垂直度達(dá)89.5°±0.2°,側(cè)壁粗糙度Ra<20nm,插入損耗降低至0.15dB/cm。中清航科SkyEye系統(tǒng)通過5G實(shí)時回傳設(shè)備運(yùn)行數(shù)據(jù)(振動/電流/溫度),AI引擎...
在芯片設(shè)計企業(yè)的研發(fā)周期不斷壓縮的當(dāng)下,快速流片成為搶占市場的關(guān)鍵。中清航科推出的 “極速流片通道”,針對 28nm 及以上成熟制程,可將傳統(tǒng) 12 周的流片周期縮短至 8 周,其中掩膜版制備環(huán)節(jié)通過與掩膜廠的聯(lián)合調(diào)度,實(shí)現(xiàn) 48 小時快速出片。同時配備專屬項(xiàng)...
特殊工藝芯片的流片需要匹配專業(yè)的晶圓廠資源,中清航科憑借多年積累,構(gòu)建起覆蓋特殊工藝的流片代理網(wǎng)絡(luò)。在 MEMS 芯片領(lǐng)域,與全球 MEMS 晶圓廠合作,可提供從晶圓鍵合、深硅刻蝕到釋放工藝的全流程流片服務(wù),支持壓力傳感器、微鏡、射頻 MEMS 等產(chǎn)品,流片后...
芯片封裝在人工智能領(lǐng)域的應(yīng)用:人工智能芯片對算力、能效比有極高要求,這對芯片封裝技術(shù)提出了更高挑戰(zhàn)。中清航科針對人工智能芯片的特點(diǎn),采用先進(jìn)的 3D 封裝、SiP 等技術(shù),提高芯片的集成度和算力,同時優(yōu)化散熱設(shè)計,降低功耗。公司為人工智能領(lǐng)域客戶提供的封裝解決...
中小設(shè)計企業(yè)往往面臨流片經(jīng)驗(yàn)不足、資金有限等問題,中清航科推出針對性的創(chuàng)業(yè)扶持流片代理方案。為初創(chuàng)企業(yè)提供的 DFM 咨詢服務(wù),幫助優(yōu)化設(shè)計方案,降低流片風(fēng)險;首輪流片享受 30% 的費(fèi)用減免,同時提供分期付款選項(xiàng),較長可分 6 期支付。在技術(shù)支持方面,配備專...
晶圓切割的工藝參數(shù)設(shè)置需要豐富的經(jīng)驗(yàn)積累,中清航科開發(fā)的智能工藝推薦系統(tǒng),基于千萬級切割數(shù)據(jù)訓(xùn)練而成。只需輸入晶圓材料、厚度、切割道寬等基本參數(shù),系統(tǒng)就能自動生成比較好的切割方案,包括激光功率、切割速度、聚焦位置等關(guān)鍵參數(shù),新手操作人員也能快速達(dá)到工程師的工藝...
未來流片技術(shù)將向更先進(jìn)制程、更高集成度發(fā)展,中清航科持續(xù)投入研發(fā),構(gòu)建前瞻性的流片代理能力。在 3D IC 領(lǐng)域,與晶圓廠合作開發(fā) TSV 與混合鍵合流片方案,支持芯片堆疊的高精度對準(zhǔn),已成功代理多個 3D 堆疊芯片的流片項(xiàng)目,鍵合良率達(dá)到 99% 以上。針對...