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我司專注于微弱信號處理技術(shù)的深度開發(fā)與場景化應(yīng)用，憑借深厚的技術(shù)積累，已成功推出多系列失效分析檢測設(shè)備及智能化解決方案。更懂本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的需求，軟件界面貼合工程師操作習慣，無需額外適配成本即可快速融入產(chǎn)線流程。 性價比優(yōu)勢直擊痛點：相比進口設(shè)備，采購成本降低 30% 以上，且本土化售后團隊實現(xiàn) 24 小時響應(yīng)、48 小時現(xiàn)場維護，備件供應(yīng)周期縮短至 1 周內(nèi)，徹底擺脫進口設(shè)備 “維護慢、成本高” 的困境。用國產(chǎn)微光顯微鏡，為芯片質(zhì)量把關(guān)，讓失效分析更高效、更經(jīng)濟、更可控！ 微光顯微鏡的自動瑕疵分類系統(tǒng)，可依據(jù)發(fā)光的強度、形狀等特征進行歸類，提高檢測報告的生成效率。廠家微光顯微鏡品牌...

OBIRCH與EMMI技術(shù)在集成電路失效分析領(lǐng)域中扮演著互補的角色，其主要差異體現(xiàn)在檢測原理及應(yīng)用領(lǐng)域。具體而言，EMMI技術(shù)通過光子檢測手段來精確定位漏電或發(fā)光故障點，而OBIRCH技術(shù)則依賴于激光誘導(dǎo)電阻變化來識別短路或阻值異常區(qū)域。這兩種技術(shù)通常被整合于同一檢測系統(tǒng)（即PEM系統(tǒng)）中，其中EMMI技術(shù)在探測光子發(fā)射類缺陷，如漏電流方面表現(xiàn)出色，而OBIRCH技術(shù)則對金屬層遮蔽下的短路現(xiàn)象具有更高的敏感度。例如，EMMI技術(shù)能夠有效檢測未開封芯片中的失效點，而OBIRCH技術(shù)則能有效解決低阻抗（<10 ohm）短路問題。漏電結(jié)和接觸毛刺會產(chǎn)生亮點，這些亮點產(chǎn)生的光子能被微光顯微鏡捕捉到。微...

此外，可靠的產(chǎn)品質(zhì)量是企業(yè)贏得客戶信任、鞏固市場份額的基礎(chǔ)。通過微光顯微鏡(EMMI)的嚴格檢測，企業(yè)能確保交付給客戶的芯片具備穩(wěn)定的性能和較高的可靠性，減少因產(chǎn)品故障導(dǎo)致的客戶投訴和返工或者退貨風險。這種對質(zhì)量的堅守，會逐漸積累成企業(yè)的品牌口碑，使客戶在選擇供應(yīng)商時更傾向于信賴具備完善檢測能力的企業(yè)，從而增強企業(yè)的市場競爭力。 微光顯微鏡不僅是一種檢測工具，更是半導(dǎo)體企業(yè)提升產(chǎn)品質(zhì)量、加快研發(fā)進度、筑牢品牌根基的戰(zhàn)略資產(chǎn)。在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競爭日趨白熱化的當今，配備先進的微光顯微鏡設(shè)備，將幫助企業(yè)在技術(shù)創(chuàng)新與市場爭奪中持續(xù)領(lǐng)跑，構(gòu)筑起難以復(fù)制的核心競爭力。 靜電放電破壞半導(dǎo)體器件時，...

需要失效分析檢測樣品，我們一般會在提前做好前期的失效背景調(diào)查和電性能驗證工作，能夠為整個失效分析過程找準方向、提供依據(jù)，從而更高效、準確地找出芯片失效的原因。 1.失效背景調(diào)查收集芯片型號、應(yīng)用場景、失效模式（如短路、漏電、功能異常等）、失效比例、使用環(huán)境（溫度、濕度、電壓）等。確認失效是否可復(fù)現(xiàn)，區(qū)分設(shè)計缺陷、制程問題或應(yīng)用不當（如過壓、ESD）。 2.電性能驗證使用自動測試設(shè)備（ATE）或探針臺（ProbeStation）復(fù)現(xiàn)失效，記錄關(guān)鍵參數(shù)（如I-V曲線、漏電流、閾值電壓偏移）。對比良品與失效芯片的電特性差異，縮小失效區(qū)域（如特定功能模塊）。 微光顯微鏡能檢測半導(dǎo)體器件...

通過對這些微光信號的成像與定位，它能直接“鎖定”電性能缺陷的物理位置，如同在黑夜中捕捉螢火蟲的微光，實現(xiàn)微米級的定位。而熱紅外顯微鏡則是“溫度的解讀師”，依托紅外熱成像技術(shù)，它檢測的是芯片工作時因能量損耗產(chǎn)生的溫度差異。電流通過芯片時的電阻損耗、電路短路時的異常功耗，都會轉(zhuǎn)化為局部溫度的細微升高，這些熱量以紅外輻射的形式散發(fā)，被熱紅外顯微鏡捕捉并轉(zhuǎn)化為熱分布圖。通過分析溫度異常區(qū)域，它能間接推斷電路中的故障點，尤其擅長發(fā)現(xiàn)與能量損耗相關(guān)的問題。升級后的冷卻系統(tǒng)，能減少設(shè)備自身熱噪聲，讓對微弱光子的探測更靈敏，提升檢測下限。微光顯微鏡與光學顯微鏡對比 光束誘導(dǎo)電阻變化（OBIRCH）功能與微光...

在半導(dǎo)體芯片漏電檢測中，微光顯微鏡為工程師快速鎖定問題位置提供了關(guān)鍵支撐。當芯片施加工作偏壓時，設(shè)備即刻啟動檢測模式 —— 此時漏電區(qū)域因焦耳熱效應(yīng)會釋放微弱的紅外輻射，即便輻射功率為 1 微瓦，高靈敏度探測器也能捕捉到這一極微弱信號。這種檢測方式的在于，通過熱成像技術(shù)將漏電點的紅外輻射轉(zhuǎn)化為可視化熱圖，再與電路版圖進行疊加分析，可實現(xiàn)漏電點的微米級精確定位。相較于傳統(tǒng)檢測手段，微光設(shè)備無需拆解芯片即可完成非接觸式檢測，既避免了對芯片的二次損傷，又能在不干擾正常電路工作的前提下，捕捉到漏電區(qū)域的細微熱信號。其內(nèi)置的圖像分析軟件，可測量亮點尺寸與亮度，為量化評估缺陷嚴重程度提供數(shù)據(jù)。國內(nèi)微光顯微...

相較于傳統(tǒng)微光顯微鏡，InGaAs（銦鎵砷）微光顯微鏡在檢測先進制程組件微小尺寸組件的缺陷方面具有更高的適用性。其原因在于，較小尺寸的組件通常需要較低的操作電壓，這導(dǎo)致熱載子激發(fā)的光波長增長。InGaAs微光顯微鏡特別適合于檢測先進制程產(chǎn)品中的亮點和熱點（HotSpot）定位。InGaAs微光顯微鏡與傳統(tǒng)EMMI在應(yīng)用上具有相似性，但InGaAs微光顯微鏡在以下方面展現(xiàn)出優(yōu)勢： 1.偵測到缺陷所需時間為傳統(tǒng)EMMI的1/5~1/10； 2.能夠偵測到微弱電流及先進制程中的缺陷； 3.能夠偵測到較輕微的MetalBridge缺陷； 4.針對芯片背面（Back-Side...

在半導(dǎo)體芯片的精密檢測領(lǐng)域，微光顯微鏡與熱紅外顯微鏡如同兩把功能各異的 “利劍”，各自憑借獨特的技術(shù)原理與應(yīng)用優(yōu)勢，在芯片質(zhì)量管控與失效分析中發(fā)揮著不可替代的作用。二者雖同服務(wù)于芯片檢測，但在邏輯與適用場景上的差異，使其成為互補而非替代的檢測組合。從技術(shù)原理來看，兩者的 “探測語言” 截然不同。 微光顯微鏡是 “光子的捕捉者”，其重心在于高靈敏度的光子傳感器，能夠捕捉芯片內(nèi)部因電性能異常釋放的微弱光信號 —— 這些信號可能來自 PN 結(jié)漏電時的電子躍遷，或是柵氧擊穿瞬間的能量釋放，波長多集中在可見光至近紅外范圍。 微光顯微鏡能檢測半導(dǎo)體器件微小缺陷和失效點，及時發(fā)現(xiàn)隱患，保障...

為了讓客戶對設(shè)備品質(zhì)有更直觀的了解，我們大力支持現(xiàn)場驗貨。您可以親臨我們的實驗室，近距離觀察設(shè)備的外觀細節(jié)，親身操作查驗設(shè)備的運行性能、精度等關(guān)鍵指標。每一臺設(shè)備都經(jīng)過嚴格的出廠檢測，我們敢于將品質(zhì)擺在您眼前，讓您在采購前就能對設(shè)備的實際狀況了然于胸，消除后顧之憂。一位來自汽車零部件廠商的客戶分享道：“之前采購設(shè)備總擔心實際性能和描述有差距，在致晟光電現(xiàn)場驗貨時，工作人員耐心陪同我們測試，設(shè)備的精度和穩(wěn)定性都超出預(yù)期，這下采購心里踏實多了?！贬槍Φ壍葘捊麕О雽?dǎo)體，它能適應(yīng)其寬波長探測需求，助力寬禁帶器件的研發(fā)與應(yīng)用。什么是微光顯微鏡工作原理 對半導(dǎo)體研發(fā)工程師而言，排查的過程層層受阻。...

致晟光電在推動產(chǎn)學研一體化進程中，積極開展校企合作。公司依托南京理工大學光電技術(shù)學院，專注開發(fā)基于微弱光電信號分析的產(chǎn)品及應(yīng)用。雙方聯(lián)合攻克技術(shù)難題，不斷優(yōu)化實時瞬態(tài)鎖相紅外熱分析系統(tǒng)（RTTLIT），使該系統(tǒng)溫度靈敏度可達0.0001℃，功率檢測限低至1uW，部分功能及參數(shù)優(yōu)于進口設(shè)備。此外，致晟光電還與其他高校建立合作關(guān)系，搭建起學業(yè)-就業(yè)貫通式人才孵化平臺。為學生提供涵蓋研發(fā)設(shè)計、生產(chǎn)實踐、項目管理全鏈條的育人平臺，輸送了大量實踐能力強的專業(yè)人才，為企業(yè)持續(xù)創(chuàng)新注入活力。通過建立科研成果產(chǎn)業(yè)孵化綠色通道，高校的前沿科研成果得以快速轉(zhuǎn)化為實際生產(chǎn)力，實現(xiàn)了高?？蒲匈Y源與企業(yè)市場轉(zhuǎn)化能力的優(yōu)...

芯片制造工藝復(fù)雜精密，從設(shè)計到量產(chǎn)的每一個環(huán)節(jié)都可能潛藏缺陷，而失效分析作為測試流程的重要一環(huán)，是攔截不合格產(chǎn)品、追溯問題根源的 “守門人”。微光顯微鏡憑借其高靈敏度的光子探測技術(shù)，能夠捕捉到芯片內(nèi)部因漏電、熱失控等故障產(chǎn)生的微弱發(fā)光信號，定位微米級甚至納米級的缺陷。這種檢測能力，能幫助企業(yè)快速鎖定問題所在 —— 無論是設(shè)計環(huán)節(jié)的邏輯漏洞，還是制造過程中的材料雜質(zhì)、工藝偏差，都能被及時發(fā)現(xiàn)。這意味著企業(yè)可以針對性地優(yōu)化生產(chǎn)工藝、改進設(shè)計方案，從而提升芯片良率。在當前芯片制造成本居高不下的背景下，良率的提升直接轉(zhuǎn)化為生產(chǎn)成本的降低，讓企業(yè)在價格競爭中占據(jù)更有利的位置。微光顯微鏡在 LED 故障分...

挑選適配自身的微光顯微鏡 EMMI，關(guān)鍵在于明確需求、考量性能與評估預(yù)算。先梳理應(yīng)用場景，若聚焦半導(dǎo)體失效分析，需關(guān)注能否定位漏電結(jié)、閂鎖效應(yīng)等缺陷產(chǎn)生的光子；性能層面，探測器是主要考察對象，像 -80℃制冷型 InGaAs 探測器，靈敏度高、波長檢測范圍廣（900 - 1700nm），能捕捉更微弱信號；物鏡分辨率也重要，高分辨率物鏡可清晰呈現(xiàn)微小失效點。操作便捷性也不容忽視，軟件界面友好、具備自動聚焦等功能，能提升工作效率。預(yù)算方面，進口設(shè)備價格高昂，國產(chǎn)設(shè)備性價比優(yōu)勢凸顯，如部分國產(chǎn)品牌雖價格低 30% 以上，但性能與進口相當，還能提供及時售后?？傊?，綜合這些因素，多對比不同品牌、型號設(shè)備...

隨著器件尺寸的逐漸變小，MOS器件的溝道長度也逐漸變短。短溝道效應(yīng)也愈發(fā)嚴重。短溝道效應(yīng)會使得MOS管的漏結(jié)存在一個強電場，該電場會對載流子進行加速，同時賦予載流子一個動能，該載流子會造成中性的Si原子被極化，產(chǎn)生同樣帶有能量的電子與空穴對，這種電子與空穴被稱為熱載流子，反映在能帶圖中就是電位更高的電子和電位更低的空穴。一部分熱載流子會在生成后立馬復(fù)合，產(chǎn)生波長更短的熒光，另一部分在電場的作用下分離。電子進入柵氧層，影響閾值電壓，空穴進入襯底，產(chǎn)生襯底電流。歸因于短溝道效應(yīng)能在MOS管的漏端能看到亮點，同樣在反偏PN結(jié)處也能產(chǎn)生強場，也能觀察到亮點。微光顯微鏡能檢測半導(dǎo)體器件微小缺陷和失效點，...

得注意的是，兩種技術(shù)均支持對芯片進行正面檢測（從器件有源區(qū)一側(cè)觀測）與背面檢測（透過硅襯底觀測），可根據(jù)芯片結(jié)構(gòu)、封裝形式靈活選擇檢測角度，確保在大范圍掃描中快速鎖定微小失效點（如微米級甚至納米級缺陷）。在實際失效分析流程中，PEM系統(tǒng)先通過EMMI與OBIRCH的協(xié)同掃描定位可疑區(qū)域，隨后結(jié)合去層處理（逐層去除芯片的金屬布線層、介質(zhì)層等）、掃描電子顯微鏡（SEM）的高分辨率成像以及光學顯微鏡的細節(jié)觀察，進一步界定缺陷的物理形態(tài)（如金屬線腐蝕、氧化層剝落、晶體管柵極破損等），終追溯失效機理（如電遷移、熱載流子注入、工藝污染等）并完成根因分析。這種“定位-驗證-溯源”的完整閉環(huán)，使得PEM系統(tǒng)在...

在故障分析領(lǐng)域，微光顯微鏡（EmissionMicroscope,EMMI）是一種極具實用價值且效率出眾的分析工具。其功能是探測集成電路（IC）內(nèi)部釋放的光子。在IC元件中，電子-空穴對（ElectronHolePairs,EHP）的復(fù)合過程會伴隨光子（Photon）的釋放。具體可舉例說明：當P-N結(jié)施加偏壓時，N區(qū)的電子會向P區(qū)擴散，同時P區(qū)的空穴也會向N區(qū)擴散，隨后這些擴散的載流子會與對應(yīng)區(qū)域的載流子（即擴散至P區(qū)的電子與P區(qū)的空穴、擴散至N區(qū)的空穴與N區(qū)的電子）發(fā)生EHP復(fù)合，并在此過程中釋放光子。其低噪聲電纜連接設(shè)計，減少信號傳輸過程中的損耗，確保微弱光子信號完整傳遞至探測器。檢測用微...

可探測到亮點的情況 一、由缺陷導(dǎo)致的亮點結(jié)漏電（Junction Leakage）接觸毛刺（Contact Spiking）熱電子效應(yīng)（Hot Electrons）閂鎖效應(yīng)（Latch-Up）氧化層漏電（Gate Oxide Defects / Leakage (F-N Current)）多晶硅晶須（Poly-silicon Filaments）襯底損傷（Substrate Damage）物理損傷（Mechanical Damage）等。 二、器件本身固有的亮點飽和 / 有源狀態(tài)的雙極晶體管（Saturated/Active Bipolar Transistors）飽和狀態(tài)的 ...

隨著器件尺寸的逐漸變小，MOS器件的溝道長度也逐漸變短。短溝道效應(yīng)也愈發(fā)嚴重。短溝道效應(yīng)會使得MOS管的漏結(jié)存在一個強電場，該電場會對載流子進行加速，同時賦予載流子一個動能，該載流子會造成中性的Si原子被極化，產(chǎn)生同樣帶有能量的電子與空穴對，這種電子與空穴被稱為熱載流子，反映在能帶圖中就是電位更高的電子和電位更低的空穴。一部分熱載流子會在生成后立馬復(fù)合，產(chǎn)生波長更短的熒光，另一部分在電場的作用下分離。電子進入柵氧層，影響閾值電壓，空穴進入襯底，產(chǎn)生襯底電流。歸因于短溝道效應(yīng)能在MOS管的漏端能看到亮點，同樣在反偏PN結(jié)處也能產(chǎn)生強場，也能觀察到亮點。在航空航天芯片檢測中，它可定位因輻射導(dǎo)致的芯...

相較于傳統(tǒng)微光顯微鏡，InGaAs（銦鎵砷）微光顯微鏡在檢測先進制程組件微小尺寸組件的缺陷方面具有更高的適用性。其原因在于，較小尺寸的組件通常需要較低的操作電壓，這導(dǎo)致熱載子激發(fā)的光波長增長。InGaAs微光顯微鏡特別適合于檢測先進制程產(chǎn)品中的亮點和熱點（HotSpot）定位。InGaAs微光顯微鏡與傳統(tǒng)EMMI在應(yīng)用上具有相似性，但InGaAs微光顯微鏡在以下方面展現(xiàn)出優(yōu)勢： 1.偵測到缺陷所需時間為傳統(tǒng)EMMI的1/5~1/10； 2.能夠偵測到微弱電流及先進制程中的缺陷； 3.能夠偵測到較輕微的MetalBridge缺陷； 4.針對芯片背面（Back-Side...

在半導(dǎo)體芯片漏電檢測中，微光顯微鏡為工程師快速鎖定問題位置提供了關(guān)鍵支撐。當芯片施加工作偏壓時，設(shè)備即刻啟動檢測模式 —— 此時漏電區(qū)域因焦耳熱效應(yīng)會釋放微弱的紅外輻射，即便輻射功率為 1 微瓦，高靈敏度探測器也能捕捉到這一極微弱信號。這種檢測方式的在于，通過熱成像技術(shù)將漏電點的紅外輻射轉(zhuǎn)化為可視化熱圖，再與電路版圖進行疊加分析，可實現(xiàn)漏電點的微米級精確定位。相較于傳統(tǒng)檢測手段，微光設(shè)備無需拆解芯片即可完成非接觸式檢測，既避免了對芯片的二次損傷，又能在不干擾正常電路工作的前提下，捕捉到漏電區(qū)域的細微熱信號。為提升微光顯微鏡探測力，我司多種光學物鏡可選，用戶可依樣品工藝與結(jié)構(gòu)選裝，滿足不同微光探...

需要失效分析檢測樣品，我們一般會在提前做好前期的失效背景調(diào)查和電性能驗證工作，能夠為整個失效分析過程找準方向、提供依據(jù)，從而更高效、準確地找出芯片失效的原因。 1.失效背景調(diào)查收集芯片型號、應(yīng)用場景、失效模式（如短路、漏電、功能異常等）、失效比例、使用環(huán)境（溫度、濕度、電壓）等。確認失效是否可復(fù)現(xiàn)，區(qū)分設(shè)計缺陷、制程問題或應(yīng)用不當（如過壓、ESD）。 2.電性能驗證使用自動測試設(shè)備（ATE）或探針臺（ProbeStation）復(fù)現(xiàn)失效，記錄關(guān)鍵參數(shù)（如I-V曲線、漏電流、閾值電壓偏移）。對比良品與失效芯片的電特性差異，縮小失效區(qū)域（如特定功能模塊）。 半導(dǎo)體失效分析中，微光顯微...

在半導(dǎo)體芯片的精密檢測領(lǐng)域，微光顯微鏡與熱紅外顯微鏡如同兩把功能各異的 “利劍”，各自憑借獨特的技術(shù)原理與應(yīng)用優(yōu)勢，在芯片質(zhì)量管控與失效分析中發(fā)揮著不可替代的作用。二者雖同服務(wù)于芯片檢測，但在邏輯與適用場景上的差異，使其成為互補而非替代的檢測組合。從技術(shù)原理來看，兩者的 “探測語言” 截然不同。 微光顯微鏡是 “光子的捕捉者”，其重心在于高靈敏度的光子傳感器，能夠捕捉芯片內(nèi)部因電性能異常釋放的微弱光信號 —— 這些信號可能來自 PN 結(jié)漏電時的電子躍遷，或是柵氧擊穿瞬間的能量釋放，波長多集中在可見光至近紅外范圍。 我司微光顯微鏡探測芯片封裝打線及內(nèi)部線路短路產(chǎn)生的光子，快速定...

致晟光電在推動產(chǎn)學研一體化進程中，積極開展校企合作。公司依托南京理工大學光電技術(shù)學院，專注開發(fā)基于微弱光電信號分析的產(chǎn)品及應(yīng)用。雙方聯(lián)合攻克技術(shù)難題，不斷優(yōu)化實時瞬態(tài)鎖相紅外熱分析系統(tǒng)（RTTLIT），使該系統(tǒng)溫度靈敏度可達0.0001℃，功率檢測限低至1uW，部分功能及參數(shù)優(yōu)于進口設(shè)備。此外，致晟光電還與其他高校建立合作關(guān)系，搭建起學業(yè)-就業(yè)貫通式人才孵化平臺。為學生提供涵蓋研發(fā)設(shè)計、生產(chǎn)實踐、項目管理全鏈條的育人平臺，輸送了大量實踐能力強的專業(yè)人才，為企業(yè)持續(xù)創(chuàng)新注入活力。通過建立科研成果產(chǎn)業(yè)孵化綠色通道，高校的前沿科研成果得以快速轉(zhuǎn)化為實際生產(chǎn)力，實現(xiàn)了高?？蒲匈Y源與企業(yè)市場轉(zhuǎn)化能力的優(yōu)...

此外，可靠的產(chǎn)品質(zhì)量是企業(yè)贏得客戶信任、鞏固市場份額的基礎(chǔ)。通過微光顯微鏡(EMMI)的嚴格檢測，企業(yè)能確保交付給客戶的芯片具備穩(wěn)定的性能和較高的可靠性，減少因產(chǎn)品故障導(dǎo)致的客戶投訴和返工或者退貨風險。這種對質(zhì)量的堅守，會逐漸積累成企業(yè)的品牌口碑，使客戶在選擇供應(yīng)商時更傾向于信賴具備完善檢測能力的企業(yè)，從而增強企業(yè)的市場競爭力。 微光顯微鏡不僅是一種檢測工具，更是半導(dǎo)體企業(yè)提升產(chǎn)品質(zhì)量、加快研發(fā)進度、筑牢品牌根基的戰(zhàn)略資產(chǎn)。在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競爭日趨白熱化的當今，配備先進的微光顯微鏡設(shè)備，將幫助企業(yè)在技術(shù)創(chuàng)新與市場爭奪中持續(xù)領(lǐng)跑，構(gòu)筑起難以復(fù)制的核心競爭力。 當二極管處于正向偏置或反向...

考慮到部分客戶的特殊應(yīng)用場景，我們還提供Thermal&EMMI的個性化定制服務(wù)。無論是設(shè)備的功能模塊調(diào)整、性能參數(shù)優(yōu)化，還是外觀結(jié)構(gòu)適配，我們都能根據(jù)您的具體需求進行專屬設(shè)計與研發(fā)。憑借高效的研發(fā)團隊和成熟的生產(chǎn)體系，定制項目通常在 2-3 個月內(nèi)即可完成交付，在保證定制靈活性的同時，充分兼顧了交付效率，讓您的特殊需求得到及時且滿意的答案。致晟光電始終致力于為客戶提供更可靠、更貼心的服務(wù)，期待與您攜手共進，共創(chuàng)佳績。我司團隊改進算法等技術(shù)，整合出 EMMI 芯片漏電定位系統(tǒng)，價低且數(shù)據(jù)整理準、操作便，性價比高，居行業(yè)先頭。廠家微光顯微鏡價格挑選適配自身的微光顯微鏡 EMMI，關(guān)鍵在于明確需求...

同時，微光顯微鏡（EMMI）帶來的高效失效分析能力，能大幅縮短研發(fā)周期。在新產(chǎn)品研發(fā)階段，快速發(fā)現(xiàn)并解決失效問題，可避免研發(fā)過程中的反復(fù)試錯，加快產(chǎn)品從實驗室走向市場的速度。當市場需求瞬息萬變時，更快的研發(fā)響應(yīng)速度意味著企業(yè)能搶先推出符合市場需求的產(chǎn)品，搶占市場先機。例如，在當下市場 5G 芯片、AI 芯片等領(lǐng)域，技術(shù)迭代速度極快，誰能更早解決研發(fā)中的失效難題，誰就能在技術(shù)競爭中爭先一步，建立起差異化的競爭優(yōu)勢。通過與光譜儀聯(lián)用，可分析光子的光譜信息，為判斷缺陷類型提供更多依據(jù)，增強分析的全面性。什么是微光顯微鏡與光學顯微鏡對比 企業(yè)用戶何如去采購適合自己的設(shè)備？ 功能側(cè)重的差異，讓它...

在故障分析領(lǐng)域，微光顯微鏡（EmissionMicroscope,EMMI）是一種極具實用價值且效率出眾的分析工具。其功能是探測集成電路（IC）內(nèi)部釋放的光子。在IC元件中，電子-空穴對（ElectronHolePairs,EHP）的復(fù)合過程會伴隨光子（Photon）的釋放。具體可舉例說明：當P-N結(jié)施加偏壓時，N區(qū)的電子會向P區(qū)擴散，同時P區(qū)的空穴也會向N區(qū)擴散，隨后這些擴散的載流子會與對應(yīng)區(qū)域的載流子（即擴散至P區(qū)的電子與P區(qū)的空穴、擴散至N區(qū)的空穴與N區(qū)的電子）發(fā)生EHP復(fù)合，并在此過程中釋放光子。它嘗試通過金屬層邊緣等位置的光子來定位故障點，解決了復(fù)雜的檢測難題。國產(chǎn)微光顯微鏡備件考慮...

需要失效分析檢測樣品，我們一般會在提前做好前期的失效背景調(diào)查和電性能驗證工作，能夠為整個失效分析過程找準方向、提供依據(jù)，從而更高效、準確地找出芯片失效的原因。 1.失效背景調(diào)查收集芯片型號、應(yīng)用場景、失效模式（如短路、漏電、功能異常等）、失效比例、使用環(huán)境（溫度、濕度、電壓）等。確認失效是否可復(fù)現(xiàn)，區(qū)分設(shè)計缺陷、制程問題或應(yīng)用不當（如過壓、ESD）。 2.電性能驗證使用自動測試設(shè)備（ATE）或探針臺（ProbeStation）復(fù)現(xiàn)失效，記錄關(guān)鍵參數(shù)（如I-V曲線、漏電流、閾值電壓偏移）。對比良品與失效芯片的電特性差異，縮小失效區(qū)域（如特定功能模塊）。 針對光器件，能定位光波導(dǎo)中...

得注意的是，兩種技術(shù)均支持對芯片進行正面檢測（從器件有源區(qū)一側(cè)觀測）與背面檢測（透過硅襯底觀測），可根據(jù)芯片結(jié)構(gòu)、封裝形式靈活選擇檢測角度，確保在大范圍掃描中快速鎖定微小失效點（如微米級甚至納米級缺陷）。在實際失效分析流程中，PEM系統(tǒng)先通過EMMI與OBIRCH的協(xié)同掃描定位可疑區(qū)域，隨后結(jié)合去層處理（逐層去除芯片的金屬布線層、介質(zhì)層等）、掃描電子顯微鏡（SEM）的高分辨率成像以及光學顯微鏡的細節(jié)觀察，進一步界定缺陷的物理形態(tài)（如金屬線腐蝕、氧化層剝落、晶體管柵極破損等），終追溯失效機理（如電遷移、熱載流子注入、工藝污染等）并完成根因分析。這種“定位-驗證-溯源”的完整閉環(huán)，使得PEM系統(tǒng)在...

微光顯微鏡技術(shù)特性差異 探測靈敏度方向：EMMI 追求對微弱光子的高靈敏度（可檢測單光子級別信號），需配合暗場環(huán)境減少干擾；熱紅外顯微鏡則強調(diào)溫度分辨率（部分設(shè)備可達 0.01℃），需抑制環(huán)境熱噪聲。 空間分辨率：EMMI 的分辨率受光學系統(tǒng)和光子波長限制，通常在微米級；熱紅外顯微鏡的分辨率與紅外波長、鏡頭數(shù)值孔徑相關(guān)，一般略低于 EMMI，但更注重大面積熱分布的快速成像。 樣品處理要求：EMMI 對部分遮蔽性失效（如金屬下方漏電）需采用背面觀測模式，可能需要減薄、拋光樣品； 處理要求：熱紅外顯微鏡可透過封裝材料（如陶瓷、塑料）探測，對樣品破壞性較小，更適合非侵入式...

EMMI的本質(zhì)只是一臺光譜范圍廣，光子靈敏度高的顯微鏡。 但是為什么EMMI能夠應(yīng)用于IC的失效分析呢？ 原因就在于集成電路在通電后會出現(xiàn)三種情況：1.載流子復(fù)合；2.熱載流子；3.絕緣層漏電。當這三種情況發(fā)生時集成電路上就會產(chǎn)生微弱的熒光，這時EMMI就能捕獲這些微弱熒光，這就給了EMMI一個應(yīng)用的機會而在IC的失效分析中，我們給予失效點一個偏壓產(chǎn)生熒光，然后EMMI捕獲電流中產(chǎn)生的微弱熒光。原理上，不管IC是否存在缺陷，只要滿足其機理在EMMI下都能觀測到熒光 微光顯微鏡可搭配偏振光附件，分析樣品的偏振特性，為判斷晶體缺陷方向提供獨特依據(jù)，豐富檢測維度。非制冷微光顯微鏡貨源...