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RTTLIT E20 微光顯微分析系統(tǒng)（EMMI）是專為半導體器件漏電缺陷檢測量身打造的高精度檢測設備，其系統(tǒng)搭載 -80℃制冷型 InGaAs 探測器與高分辨率顯微物鏡 ，構(gòu)建起超高靈敏度檢測體系 —— 可準確捕捉器件在微弱漏電流下產(chǎn)生的極微弱微光信號，實現(xiàn)納米級缺陷的可視化成像。通過超高靈敏度成像技術(shù)，設備能快速定位漏電缺陷并完成深度分析，為工程師提供直觀的缺陷數(shù)據(jù)支撐，助力優(yōu)化生產(chǎn)工藝、提升產(chǎn)品可靠性。從芯片研發(fā)到量產(chǎn)質(zhì)控，RTTLIT E20 以穩(wěn)定可靠的性能，為半導體器件全生命周期的質(zhì)量保障提供科學解決方案，是半導體行業(yè)提升良率的關(guān)鍵檢測利器。為提升微光顯微鏡探測力，我司多種光學物鏡...

相較于傳統(tǒng)微光顯微鏡，InGaAs（銦鎵砷）微光顯微鏡在檢測先進制程組件微小尺寸組件的缺陷方面具有更高的適用性。其原因在于，較小尺寸的組件通常需要較低的操作電壓，這導致熱載子激發(fā)的光波長增長。InGaAs微光顯微鏡特別適合于檢測先進制程產(chǎn)品中的亮點和熱點（HotSpot）定位。InGaAs微光顯微鏡與傳統(tǒng)EMMI在應用上具有相似性，但InGaAs微光顯微鏡在以下方面展現(xiàn)出優(yōu)勢： 1.偵測到缺陷所需時間為傳統(tǒng)EMMI的1/5~1/10； 2.能夠偵測到微弱電流及先進制程中的缺陷； 3.能夠偵測到較輕微的MetalBridge缺陷； 4.針對芯片背面（Back-Side...

失效分析是指通過系統(tǒng)的檢測、實驗和分析手段，探究產(chǎn)品或器件在設計、生產(chǎn)、使用過程中出現(xiàn)故障、性能異?；蚴У母驹?，進而提出改進措施以預防同類問題再次發(fā)生的技術(shù)過程。它是連接產(chǎn)品問題與解決方案的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，**在于精細定位失效根源，而非*關(guān)注表面現(xiàn)象。在半導體行業(yè)，失效分析具有不可替代的應用價值，貫穿于芯片從研發(fā)到量產(chǎn)的全生命周期。 在研發(fā)階段，針對原型芯片的失效問題（如邏輯錯誤、漏電、功耗過高等），通過微光顯微鏡、探針臺等設備進行失效點定位，結(jié)合電路仿真、材料分析等手段，可追溯至設計缺陷（如布局不合理、時序錯誤）或工藝參數(shù)偏差，為芯片設計優(yōu)化提供直接依據(jù)；在量產(chǎn)環(huán)節(jié)，當出現(xiàn)批量性失...

致晟光電 RTTLIT E20 微光顯微分析系統(tǒng)（EMMI）是一款專為半導體器件漏電缺陷檢測量身打造的高精度檢測設備。該系統(tǒng)搭載先進的 - 80℃制冷型 InGaAs 探測器與高分辨率顯微物鏡，憑借超高檢測靈敏度，可捕捉器件在微弱漏電流信號下產(chǎn)生的極微弱微光。通過超高靈敏度成像技術(shù)，設備能快速定位漏電缺陷并開展深度分析，為工程師優(yōu)化生產(chǎn)工藝、提升產(chǎn)品可靠性提供關(guān)鍵支持，進而為半導體器件的質(zhì)量控制與失效分析環(huán)節(jié)提供安全可靠的解決方案。微光顯微鏡搭配高分辨率鏡頭，可將微小缺陷放大至清晰可見，讓檢測更易觀察分析，提升檢測的準確度。什么是微光顯微鏡品牌 需要失效分析檢測樣品，我們一般會在提前做好前期...

在微光顯微鏡（EMMI) 操作過程中，當對樣品施加合適的電壓時，其失效點會由于載流子加速散射或電子-空穴對復合效應而發(fā)射特定波長的光子。這些光子經(jīng)過采集和圖像處理后，可以形成一張信號圖。隨后，取消施加在樣品上的電壓，在未供電的狀態(tài)下采集一張背景圖。再通過將信號圖與背景圖進行疊加處理，就可以精確地定位發(fā)光點的位置，實現(xiàn)對失效點的精確定位。進一步地，為了提升定位的準確性，可采用多種圖像處理技術(shù)進行優(yōu)化。例如，通過濾波算法去除背景噪聲，增強信號圖的信噪比；利用邊緣檢測技術(shù)，突出顯示發(fā)光點的邊緣特征，從而提高定位精度。我司自研含微光顯微鏡等設備，獲多所高校、科研院所及企業(yè)認可使用，性能佳，廣受贊譽。無...

OBIRCH與EMMI技術(shù)在集成電路失效分析領域中扮演著互補的角色，其主要差異體現(xiàn)在檢測原理及應用領域。具體而言，EMMI技術(shù)通過光子檢測手段來精確定位漏電或發(fā)光故障點，而OBIRCH技術(shù)則依賴于激光誘導電阻變化來識別短路或阻值異常區(qū)域。這兩種技術(shù)通常被整合于同一檢測系統(tǒng)（即PEM系統(tǒng)）中，其中EMMI技術(shù)在探測光子發(fā)射類缺陷，如漏電流方面表現(xiàn)出色，而OBIRCH技術(shù)則對金屬層遮蔽下的短路現(xiàn)象具有更高的敏感度。例如，EMMI技術(shù)能夠有效檢測未開封芯片中的失效點，而OBIRCH技術(shù)則能有效解決低阻抗（<10 ohm）短路問題。但歐姆接觸和部分金屬互聯(lián)短路時，產(chǎn)生的光子十分微弱，難以被微光顯微鏡偵...

需要失效分析檢測樣品，我們一般會在提前做好前期的失效背景調(diào)查和電性能驗證工作，能夠為整個失效分析過程找準方向、提供依據(jù)，從而更高效、準確地找出芯片失效的原因。 1.失效背景調(diào)查收集芯片型號、應用場景、失效模式（如短路、漏電、功能異常等）、失效比例、使用環(huán)境（溫度、濕度、電壓）等。確認失效是否可復現(xiàn)，區(qū)分設計缺陷、制程問題或應用不當（如過壓、ESD）。 2.電性能驗證使用自動測試設備（ATE）或探針臺（ProbeStation）復現(xiàn)失效，記錄關(guān)鍵參數(shù)（如I-V曲線、漏電流、閾值電壓偏移）。對比良品與失效芯片的電特性差異，縮小失效區(qū)域（如特定功能模塊）。 支持離線數(shù)據(jù)分析，可將檢測...

致晟光電作為專注于微光顯微鏡與熱紅外顯微鏡應用的技術(shù)團隊，設備在微小目標定位、熱分布成像等場景中具備高分辨率優(yōu)勢，可廣泛應用于芯片、PCB板、顯示屏等消費電子元器件的檢測環(huán)節(jié)，為您提供客觀的物理位置或熱分布定位數(shù)據(jù)。 為讓您更直觀了解設備的定位精度與適用性，我們誠摯邀請貴單位參與樣品測試合作：若您有需要進行微光定位（如細微結(jié)構(gòu)位置標記、表面瑕疵定位）或熱紅外定位（如元器件發(fā)熱點分布、溫度梯度成像）的樣品，可郵寄至我方實驗室。我們將提供專業(yè)檢測服務，輸出包含圖像、坐標、數(shù)值等在內(nèi)的定位數(shù)據(jù)報告（注：報告呈現(xiàn)客觀檢測結(jié)果，不做定性或定量結(jié)論判斷）。測試過程中，我們會根據(jù)您的需求調(diào)整檢測參...

OBIRCH與EMMI技術(shù)在集成電路失效分析領域中扮演著互補的角色，其主要差異體現(xiàn)在檢測原理及應用領域。具體而言，EMMI技術(shù)通過光子檢測手段來精確定位漏電或發(fā)光故障點，而OBIRCH技術(shù)則依賴于激光誘導電阻變化來識別短路或阻值異常區(qū)域。這兩種技術(shù)通常被整合于同一檢測系統(tǒng)（即PEM系統(tǒng)）中，其中EMMI技術(shù)在探測光子發(fā)射類缺陷，如漏電流方面表現(xiàn)出色，而OBIRCH技術(shù)則對金屬層遮蔽下的短路現(xiàn)象具有更高的敏感度。例如，EMMI技術(shù)能夠有效檢測未開封芯片中的失效點，而OBIRCH技術(shù)則能有效解決低阻抗（<10 ohm）短路問題。它嘗試通過金屬層邊緣等位置的光子來定位故障點，解決了復雜的檢測難題。低...

得注意的是，兩種技術(shù)均支持對芯片進行正面檢測（從器件有源區(qū)一側(cè)觀測）與背面檢測（透過硅襯底觀測），可根據(jù)芯片結(jié)構(gòu)、封裝形式靈活選擇檢測角度，確保在大范圍掃描中快速鎖定微小失效點（如微米級甚至納米級缺陷）。在實際失效分析流程中，PEM系統(tǒng)先通過EMMI與OBIRCH的協(xié)同掃描定位可疑區(qū)域，隨后結(jié)合去層處理（逐層去除芯片的金屬布線層、介質(zhì)層等）、掃描電子顯微鏡（SEM）的高分辨率成像以及光學顯微鏡的細節(jié)觀察，進一步界定缺陷的物理形態(tài)（如金屬線腐蝕、氧化層剝落、晶體管柵極破損等），終追溯失效機理（如電遷移、熱載流子注入、工藝污染等）并完成根因分析。這種“定位-驗證-溯源”的完整閉環(huán)，使得PEM系統(tǒng)在...

光束誘導電阻變化（OBIRCH）功能與微光顯微鏡（EMMI）技術(shù)常被集成于同一檢測系統(tǒng)，合稱為光發(fā)射顯微鏡（PEM，PhotoEmissionMicroscope）。 二者在原理與應用上形成巧妙互補，能夠協(xié)同應對集成電路中絕大多數(shù)失效模式，大幅提升失效分析的全面性與效率。OBIRCH技術(shù)的獨特優(yōu)勢在于，即便失效點被金屬層覆蓋形成“熱點”，其仍能通過光束照射引發(fā)的電阻變化特性實現(xiàn)精細檢測——這恰好彌補了EMMI在金屬遮擋區(qū)域光信號捕捉受限的不足。 介電層漏電時，微光顯微鏡可檢測其光子定位位置，保障電子器件絕緣結(jié)構(gòu)可靠，防止電路故障。鎖相微光顯微鏡設備廠家 企業(yè)用戶何如...

微光顯微鏡的原理是探測光子發(fā)射。它通過高靈敏度的光學系統(tǒng)捕捉芯片內(nèi)部因電子 - 空穴對（EHP）復合產(chǎn)生的微弱光子（如 P-N 結(jié)漏電、熱電子效應等過程中的發(fā)光），進而定位失效點。其探測對象是光信號，且多針對可見光至近紅外波段的光子。熱紅外顯微鏡則基于紅外輻射測溫原理工作。芯片運行時，失效區(qū)域（如短路、漏電點）會因能量損耗異常產(chǎn)生局部升溫，其釋放的紅外輻射強度與溫度正相關(guān)。設備通過檢測不同區(qū)域的紅外輻射差異，生成溫度分布圖像，以此定位發(fā)熱異常點，探測對象是熱信號（紅外波段輻射）。它嘗試通過金屬層邊緣等位置的光子來定位故障點，解決了復雜的檢測難題。鎖相微光顯微鏡對比 例如，當某批芯片在測試中發(fā)...

微光顯微鏡技術(shù)特性差異 探測靈敏度方向：EMMI 追求對微弱光子的高靈敏度（可檢測單光子級別信號），需配合暗場環(huán)境減少干擾；熱紅外顯微鏡則強調(diào)溫度分辨率（部分設備可達 0.01℃），需抑制環(huán)境熱噪聲。 空間分辨率：EMMI 的分辨率受光學系統(tǒng)和光子波長限制，通常在微米級；熱紅外顯微鏡的分辨率與紅外波長、鏡頭數(shù)值孔徑相關(guān)，一般略低于 EMMI，但更注重大面積熱分布的快速成像。 樣品處理要求：EMMI 對部分遮蔽性失效（如金屬下方漏電）需采用背面觀測模式，可能需要減薄、拋光樣品； 處理要求：熱紅外顯微鏡可透過封裝材料（如陶瓷、塑料）探測，對樣品破壞性較小，更適合非侵入式...

微光顯微鏡無法檢測不產(chǎn)生光子的失效（如歐姆接觸、金屬短路），且易受強光環(huán)境干擾；熱紅外顯微鏡則難以識別無明顯溫度變化的失效（如輕微漏電但功耗極低的缺陷），且溫度信號可能受環(huán)境熱傳導影響。 實際分析中，二者常結(jié)合使用，通過 “光 - 熱” 信號交叉驗證，提升失效定位的準確性。致晟光電在技術(shù)創(chuàng)新的征程中，實現(xiàn)了一項突破性成果 —— 將熱紅外顯微鏡與微光顯微鏡集可以集成于一臺設備，只需一次采購，便可以節(jié)省了重復的硬件投入。 通過調(diào)節(jié)探測靈敏度，它能適配不同漏電流大小的檢測需求，靈活應對多樣的檢測場景。工業(yè)檢測微光顯微鏡廠家在半導體芯片漏電檢測中，微光顯微鏡為工程師快速鎖定問題位置提供了關(guān)鍵...

漏電是芯片另一種常見的失效模式，其誘因復雜多樣，既可能源于晶體管長期工作后的老化衰減，也可能由氧化層存在裂紋等缺陷引發(fā)。 與短路類似，芯片內(nèi)部發(fā)生漏電時，漏電路徑中會伴隨微弱的光發(fā)射現(xiàn)象——這種光信號的強度往往遠低于短路產(chǎn)生的光輻射，對檢測設備的靈敏度提出了極高要求。EMMI憑借其的微光探測能力，能夠捕捉到漏電產(chǎn)生的極微弱光信號。通過對芯片進行全域掃描，可將漏電區(qū)域以可視化圖像的形式清晰呈現(xiàn)，使工程師能直觀識別漏電位置與分布特征。 國外微光顯微鏡價格高昂，常達上千萬元，我司國產(chǎn)設備工藝完備，技術(shù)成熟，平替性價比高。紅外光譜微光顯微鏡儀器在微光顯微鏡（EMMI) 操作過程中，當...

失效分析是指通過系統(tǒng)的檢測、實驗和分析手段，探究產(chǎn)品或器件在設計、生產(chǎn)、使用過程中出現(xiàn)故障、性能異?；蚴У母驹?，進而提出改進措施以預防同類問題再次發(fā)生的技術(shù)過程。它是連接產(chǎn)品問題與解決方案的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，**在于精細定位失效根源，而非*關(guān)注表面現(xiàn)象。在半導體行業(yè)，失效分析具有不可替代的應用價值，貫穿于芯片從研發(fā)到量產(chǎn)的全生命周期。 在研發(fā)階段，針對原型芯片的失效問題（如邏輯錯誤、漏電、功耗過高等），通過微光顯微鏡、探針臺等設備進行失效點定位，結(jié)合電路仿真、材料分析等手段，可追溯至設計缺陷（如布局不合理、時序錯誤）或工藝參數(shù)偏差，為芯片設計優(yōu)化提供直接依據(jù)；在量產(chǎn)環(huán)節(jié)，當出現(xiàn)批量性失...

例如，當某批芯片在測試中發(fā)現(xiàn)漏電失效時，我們的微光顯微鏡能定位到具體的失效位置，為后續(xù)通過聚焦離子束（FIB）切割進行截面分析、追溯至柵氧層缺陷及氧化工藝異常等環(huán)節(jié)提供關(guān)鍵前提?？梢哉f，我們的設備是半導體行業(yè)失效分析中定位失效點的工具，其的探測能力和高效的分析效率，為后續(xù)問題的解決奠定了不可或缺的基礎。 在芯片研發(fā)階段，它能幫助研發(fā)人員快速鎖定設計或工藝中的隱患，避免資源的無效投入；在量產(chǎn)過程中，它能及時發(fā)現(xiàn)批量性失效的源頭，為生產(chǎn)線調(diào)整爭取寶貴時間，降低損失；在產(chǎn)品應用端，它能為可靠性問題的排查提供方向，助力企業(yè)提升產(chǎn)品質(zhì)量和市場口碑。無論是先進制程的芯片研發(fā)，還是成熟工藝的量產(chǎn)檢...

此外，可靠的產(chǎn)品質(zhì)量是企業(yè)贏得客戶信任、鞏固市場份額的基礎。通過微光顯微鏡(EMMI)的嚴格檢測，企業(yè)能確保交付給客戶的芯片具備穩(wěn)定的性能和較高的可靠性，減少因產(chǎn)品故障導致的客戶投訴和返工或者退貨風險。這種對質(zhì)量的堅守，會逐漸積累成企業(yè)的品牌口碑，使客戶在選擇供應商時更傾向于信賴具備完善檢測能力的企業(yè)，從而增強企業(yè)的市場競爭力。 微光顯微鏡不僅是一種檢測工具，更是半導體企業(yè)提升產(chǎn)品質(zhì)量、加快研發(fā)進度、筑牢品牌根基的戰(zhàn)略資產(chǎn)。在全球半導體產(chǎn)業(yè)競爭日趨白熱化的當今，配備先進的微光顯微鏡設備，將幫助企業(yè)在技術(shù)創(chuàng)新與市場爭奪中持續(xù)領跑，構(gòu)筑起難以復制的核心競爭力。 當金屬層遮擋導致 OBIR...

例如，當某批芯片在測試中發(fā)現(xiàn)漏電失效時，我們的微光顯微鏡能定位到具體的失效位置，為后續(xù)通過聚焦離子束（FIB）切割進行截面分析、追溯至柵氧層缺陷及氧化工藝異常等環(huán)節(jié)提供關(guān)鍵前提?？梢哉f，我們的設備是半導體行業(yè)失效分析中定位失效點的工具，其的探測能力和高效的分析效率，為后續(xù)問題的解決奠定了不可或缺的基礎。 在芯片研發(fā)階段，它能幫助研發(fā)人員快速鎖定設計或工藝中的隱患，避免資源的無效投入；在量產(chǎn)過程中，它能及時發(fā)現(xiàn)批量性失效的源頭，為生產(chǎn)線調(diào)整爭取寶貴時間，降低損失；在產(chǎn)品應用端，它能為可靠性問題的排查提供方向，助力企業(yè)提升產(chǎn)品質(zhì)量和市場口碑。無論是先進制程的芯片研發(fā)，還是成熟工藝的量產(chǎn)檢...

EMMI 微光顯微鏡作為集成電路失效分析的重要設備，其漏電定位功能對于失效分析工程師而言是不可或缺的工具。在集成電路領域，對芯片的可靠性有著極高的要求。在芯片運行過程中，微小漏電現(xiàn)象較為常見，且在特定條件下，這些微弱的漏電可能會被放大，導致芯片乃至整個控制系統(tǒng)的失效。因此，芯片微漏電現(xiàn)象在集成電路失效分析中占據(jù)著至關(guān)重要的地位。此外，考慮到大多數(shù)集成電路的工作電壓范圍在3.3V至20V之間，工作電流即便是微安或毫安級別的漏電流也足以表明芯片已經(jīng)出現(xiàn)失效。因此，準確判斷漏流位置對于確定芯片失效的根本原因至關(guān)重要。 半導體失效分析中，微光顯微鏡可偵測失效器件光子，定位如 P-N 接面漏電等故障...

致晟光電將熱紅外顯微鏡（Thermal EMMI）與微光顯微鏡 (EMMI) 集成的設備，在維護成本控制上展現(xiàn)出優(yōu)勢。對于分開的兩臺設備，企業(yè)需配備專門人員分別學習兩套系統(tǒng)的維護知識，培訓內(nèi)容涵蓋不同的機械結(jié)構(gòu)、光學原理、軟件操作，還包括各自的故障診斷邏輯與校準流程，往往需要數(shù)月的系統(tǒng)培訓才能確保人員熟練操作，期間產(chǎn)生的培訓費用、時間成本居高不下。而使用一套集成設備只需一套維護體系，維護人員只需掌握一套系統(tǒng)的維護邏輯與操作規(guī)范，無需在兩套差異化的設備間切換學習，培訓周期可縮短近一半，大幅降低了培訓方面的人力與資金投入。針對光器件，能定位光波導中因損耗產(chǎn)生的發(fā)光點，為優(yōu)化光子器件的傳輸性能、降低...

企業(yè)用戶何如去采購適合自己的設備？ 功能側(cè)重的差異，讓它們在芯片檢測中各司其職。微光顯微鏡的 “專長” 是識別電致發(fā)光缺陷，對于邏輯芯片、存儲芯片等高密度集成電路中常見的 PN 結(jié)漏電、柵氧擊穿、互連缺陷等細微電性能問題，它能提供的位置信息，是芯片失效分析中定位 “電故障” 的工具。 例如，在 7nm 以下先進制程芯片的檢測中，其高靈敏度可捕捉到單個晶體管異常產(chǎn)生的微弱信號，為工藝優(yōu)化提供關(guān)鍵依據(jù)。 熱紅外顯微鏡則更關(guān)注 “熱失控” 風險，在功率半導體、IGBT 等大功率器件的檢測中表現(xiàn)突出。這類芯片工作時功耗較高，散熱性能直接影響可靠性，短路、散熱通道堵塞等問題會導致局...

微光顯微鏡下可以產(chǎn)生亮點的缺陷， 如：1.漏電結(jié)(JunctionLeakage);2.接觸毛刺(Contactspiking);3.熱電子效應(Hotelectrons);4.閂鎖效應(Latch-Up);5.氧化層漏電(Gateoxidedefects/Leakage(F-Ncurrent));6.多晶硅晶須(Poly-siliconfilaments);7.襯底損傷(Substratedamage);8.物理損傷(Mechanicaldamage)等。 當然，部分情況下也會出現(xiàn)樣品本身的亮點， 如：1.Saturated/Activebipolartransist...

隨著器件尺寸的逐漸變小，MOS器件的溝道長度也逐漸變短。短溝道效應也愈發(fā)嚴重。短溝道效應會使得MOS管的漏結(jié)存在一個強電場，該電場會對載流子進行加速，同時賦予載流子一個動能，該載流子會造成中性的Si原子被極化，產(chǎn)生同樣帶有能量的電子與空穴對，這種電子與空穴被稱為熱載流子，反映在能帶圖中就是電位更高的電子和電位更低的空穴。一部分熱載流子會在生成后立馬復合，產(chǎn)生波長更短的熒光，另一部分在電場的作用下分離。電子進入柵氧層，影響閾值電壓，空穴進入襯底，產(chǎn)生襯底電流。歸因于短溝道效應能在MOS管的漏端能看到亮點，同樣在反偏PN結(jié)處也能產(chǎn)生強場，也能觀察到亮點。我司自研含微光顯微鏡等設備，獲多所高校、科研...

在微光顯微鏡（EMMI) 操作過程中，當對樣品施加合適的電壓時，其失效點會由于載流子加速散射或電子-空穴對復合效應而發(fā)射特定波長的光子。這些光子經(jīng)過采集和圖像處理后，可以形成一張信號圖。隨后，取消施加在樣品上的電壓，在未供電的狀態(tài)下采集一張背景圖。再通過將信號圖與背景圖進行疊加處理，就可以精確地定位發(fā)光點的位置，實現(xiàn)對失效點的精確定位。進一步地，為了提升定位的準確性，可采用多種圖像處理技術(shù)進行優(yōu)化。例如，通過濾波算法去除背景噪聲，增強信號圖的信噪比；利用邊緣檢測技術(shù)，突出顯示發(fā)光點的邊緣特征，從而提高定位精度。我司微光顯微鏡能檢測內(nèi)部缺陷，通過分析光子發(fā)射評估性能，為研發(fā)、生產(chǎn)和質(zhì)量控制提供支...

半導體企業(yè)購入微光顯微鏡設備，是提升自身競爭力的關(guān)鍵舉措，原因在于芯片測試需要找到問題點 —— 失效分析。失效分析能定位芯片設計缺陷、制造瑕疵或可靠性問題，直接決定產(chǎn)品良率與市場口碑。微光顯微鏡憑借高靈敏度的光子探測能力，可捕捉芯片內(nèi)部微弱發(fā)光信號，高效識別漏電、熱失控等隱性故障，為優(yōu)化生產(chǎn)工藝、提升芯片性能提供關(guān)鍵數(shù)據(jù)支撐。在激烈的市場競爭中，快速完成失效分析意味著縮短研發(fā)周期、降低返工成本，同時通過提升產(chǎn)品可靠性鞏固客戶信任，這正是半導體企業(yè)在技術(shù)迭代與市場爭奪中保持優(yōu)勢的邏輯。微光顯微鏡可搭配偏振光附件，分析樣品的偏振特性，為判斷晶體缺陷方向提供獨特依據(jù)，豐富檢測維度。高分辨率微光顯微鏡...

相較于傳統(tǒng)微光顯微鏡，InGaAs（銦鎵砷）微光顯微鏡在檢測先進制程組件微小尺寸組件的缺陷方面具有更高的適用性。其原因在于，較小尺寸的組件通常需要較低的操作電壓，這導致熱載子激發(fā)的光波長增長。InGaAs微光顯微鏡特別適合于檢測先進制程產(chǎn)品中的亮點和熱點（HotSpot）定位。InGaAs微光顯微鏡與傳統(tǒng)EMMI在應用上具有相似性，但InGaAs微光顯微鏡在以下方面展現(xiàn)出優(yōu)勢： 1.偵測到缺陷所需時間為傳統(tǒng)EMMI的1/5~1/10； 2.能夠偵測到微弱電流及先進制程中的缺陷； 3.能夠偵測到較輕微的MetalBridge缺陷； 4.針對芯片背面（Back-Side...

致晟光電在推動產(chǎn)學研一體化進程中，積極開展校企合作。公司依托南京理工大學光電技術(shù)學院，專注開發(fā)基于微弱光電信號分析的產(chǎn)品及應用。雙方聯(lián)合攻克技術(shù)難題，不斷優(yōu)化實時瞬態(tài)鎖相紅外熱分析系統(tǒng)（RTTLIT），使該系統(tǒng)溫度靈敏度可達0.0001℃，功率檢測限低至1uW，部分功能及參數(shù)優(yōu)于進口設備。此外，致晟光電還與其他高校建立合作關(guān)系，搭建起學業(yè)-就業(yè)貫通式人才孵化平臺。為學生提供涵蓋研發(fā)設計、生產(chǎn)實踐、項目管理全鏈條的育人平臺，輸送了大量實踐能力強的專業(yè)人才，為企業(yè)持續(xù)創(chuàng)新注入活力。通過建立科研成果產(chǎn)業(yè)孵化綠色通道，高校的前沿科研成果得以快速轉(zhuǎn)化為實際生產(chǎn)力，實現(xiàn)了高?？蒲匈Y源與企業(yè)市場轉(zhuǎn)化能力的優(yōu)...

致晟光電 RTTLIT E20 微光顯微分析系統(tǒng)（EMMI）是一款專為半導體器件漏電缺陷檢測量身打造的高精度檢測設備。該系統(tǒng)搭載先進的 - 80℃制冷型 InGaAs 探測器與高分辨率顯微物鏡，憑借超高檢測靈敏度，可捕捉器件在微弱漏電流信號下產(chǎn)生的極微弱微光。通過超高靈敏度成像技術(shù)，設備能快速定位漏電缺陷并開展深度分析，為工程師優(yōu)化生產(chǎn)工藝、提升產(chǎn)品可靠性提供關(guān)鍵支持，進而為半導體器件的質(zhì)量控制與失效分析環(huán)節(jié)提供安全可靠的解決方案。微光顯微鏡支持寬光譜探測模式，探測范圍從紫外延伸至近紅外，能滿足不同材料的光子檢測，適用范圍更廣。高分辨率微光顯微鏡性價比為了讓客戶對設備品質(zhì)有更直觀的了解，我們大...

在故障分析領域，微光顯微鏡（EmissionMicroscope,EMMI）是一種極具實用價值且效率出眾的分析工具。其功能是探測集成電路（IC）內(nèi)部釋放的光子。在IC元件中，電子-空穴對（ElectronHolePairs,EHP）的復合過程會伴隨光子（Photon）的釋放。具體可舉例說明：當P-N結(jié)施加偏壓時，N區(qū)的電子會向P區(qū)擴散，同時P區(qū)的空穴也會向N區(qū)擴散，隨后這些擴散的載流子會與對應區(qū)域的載流子（即擴散至P區(qū)的電子與P區(qū)的空穴、擴散至N區(qū)的空穴與N區(qū)的電子）發(fā)生EHP復合，并在此過程中釋放光子。通過與光譜儀聯(lián)用，可分析光子的光譜信息，為判斷缺陷類型提供更多依據(jù)，增強分析的全面性。直銷...