半導體企業(yè)購入微光顯微鏡設備，是提升自身競爭力的關鍵舉措，原因在于芯片測試需要找到問題點 —— 失效分析。失效分析能定位芯片設計缺陷、制造瑕疵或可靠性問題，直接決定產品良率與市場口碑。微光顯微鏡憑借高靈敏度的光子探測能力，可捕捉芯片內部微弱發(fā)光信號，高效識別漏電、熱失控等隱性故障，為優(yōu)化生產工藝、提升芯片性能提供關鍵數(shù)據(jù)支撐。在激烈的市場競爭中，快速完成失效分析意味著縮短研發(fā)周期、降低返工成本，同時通過提升產品可靠性鞏固客戶信任，這正是半導體企業(yè)在技術迭代與市場爭奪中保持優(yōu)勢的邏輯。微光顯微鏡可搭配偏振光附件，分析樣品的偏振特性，為判斷晶體缺陷方向提供獨特依據(jù)，豐富檢測維度。高分辨率微光顯微鏡儀器

當芯片內部存在漏電缺陷，如結漏電、氧化層漏電時，電子-空穴對復合會釋放光子，微光顯微鏡(EMMI)能捕捉并定位。對于載流子復合異常情況，像閂鎖效應、熱電子效應引發(fā)的失效，以及器件在飽和態(tài)晶體管、正向偏置二極管等工作狀態(tài)下的固有發(fā)光，它也能有效探測，為這類與光子釋放相關的失效提供關鍵分析依據(jù)。

而熱紅外顯微鏡則主要用于排查與熱量異常相關的芯片問題。金屬互聯(lián)短路、電源與地短接會導致局部過熱，其可通過檢測紅外輻射差異定位。對于高功耗區(qū)域因設計缺陷引發(fā)的電流集中導致的熱分布異常，以及封裝或散熱結構失效造成的整體溫度異常等情況，它能生成溫度分布圖像，助力找出熱量異常根源。 什么是微光顯微鏡品牌排行微光顯微鏡的快速預熱功能，可縮短設備啟動至正常工作的時間，提高檢測效率。

失效分析是指通過系統(tǒng)的檢測、實驗和分析手段，探究產品或器件在設計、生產、使用過程中出現(xiàn)故障、性能異?；蚴У母驹?，進而提出改進措施以預防同類問題再次發(fā)生的技術過程。它是連接產品問題與解決方案的關鍵環(huán)節(jié)，**在于精細定位失效根源，而非*關注表面現(xiàn)象。在半導體行業(yè)，失效分析具有不可替代的應用價值，貫穿于芯片從研發(fā)到量產的全生命周期。

在研發(fā)階段，針對原型芯片的失效問題（如邏輯錯誤、漏電、功耗過高等），通過微光顯微鏡、探針臺等設備進行失效點定位，結合電路仿真、材料分析等手段，可追溯至設計缺陷（如布局不合理、時序錯誤）或工藝參數(shù)偏差，為芯片設計優(yōu)化提供直接依據(jù)；在量產環(huán)節(jié)，當出現(xiàn)批量性失效時，失效分析能快速判斷是光刻、蝕刻等制程工藝的穩(wěn)定性問題，還是原材料（如晶圓、光刻膠）的質量波動，幫助生產線及時調整參數(shù)，降低報廢率；在應用端，針對芯片在終端設備（如手機、汽車電子）中出現(xiàn)的可靠性失效（如高溫環(huán)境下性能衰減、長期使用后的老化失效），通過環(huán)境模擬測試、失效機理分析，可推動芯片在封裝設計、材料選擇上的改進，提升產品在復雜工況下的穩(wěn)定性。

致晟光電作為專注于微光顯微鏡與熱紅外顯微鏡應用的技術團隊，設備在微小目標定位、熱分布成像等場景中具備高分辨率優(yōu)勢，可廣泛應用于芯片、PCB板、顯示屏等消費電子元器件的檢測環(huán)節(jié)，為您提供客觀的物理位置或熱分布定位數(shù)據(jù)。

為讓您更直觀了解設備的定位精度與適用性，我們誠摯邀請貴單位參與樣品測試合作：若您有需要進行微光定位（如細微結構位置標記、表面瑕疵定位）或熱紅外定位（如元器件發(fā)熱點分布、溫度梯度成像）的樣品，可郵寄至我方實驗室。我們將提供專業(yè)檢測服務，輸出包含圖像、坐標、數(shù)值等在內的定位數(shù)據(jù)報告（注：報告呈現(xiàn)客觀檢測結果，不做定性或定量結論判斷）。測試過程中，我們會根據(jù)您的需求調整檢測參數(shù)，確保定位數(shù)據(jù)貼合實際應用場景。若您對設備的定位效果認可，可進一步洽談設備采購或長期檢測服務合作。 熱電子與晶格相互作用及閂鎖效應發(fā)生時也會產生光子，在顯微鏡下呈現(xiàn)亮點。

相較于傳統(tǒng)微光顯微鏡，InGaAs（銦鎵砷）微光顯微鏡在檢測先進制程組件微小尺寸組件的缺陷方面具有更高的適用性。其原因在于，較小尺寸的組件通常需要較低的操作電壓，這導致熱載子激發(fā)的光波長增長。InGaAs微光顯微鏡特別適合于檢測先進制程產品中的亮點和熱點（HotSpot）定位。InGaAs微光顯微鏡與傳統(tǒng)EMMI在應用上具有相似性，但InGaAs微光顯微鏡在以下方面展現(xiàn)出優(yōu)勢：

1.偵測到缺陷所需時間為傳統(tǒng)EMMI的1/5~1/10；

2.能夠偵測到微弱電流及先進制程中的缺陷；

3.能夠偵測到較輕微的MetalBridge缺陷；

4.針對芯片背面（Back-Side）的定位分析中，紅外光對硅基板具有較高的穿透率。 針對光器件，能定位光波導中因損耗產生的發(fā)光點，為優(yōu)化光子器件的傳輸性能、降低損耗提供關鍵數(shù)據(jù)。鎖相微光顯微鏡設備制造

它嘗試通過金屬層邊緣等位置的光子來定位故障點，解決了復雜的檢測難題。高分辨率微光顯微鏡儀器

選擇國產 EMMI 微光顯微鏡，既是擁抱技術自主，更是搶占效率與成本的雙重優(yōu)勢！致晟光電全本土化研發(fā)實力，與南京理工大學光電技術學院深度攜手，致力于光電技術研究和產業(yè)化應用，充分發(fā)揮其科研優(yōu)勢，構建起產學研深度融合的技術研發(fā)體系。

憑借這一堅實后盾，我們的 EMMI 微光顯微鏡在性能上實現(xiàn)更佳突破：-80℃制冷型探測器搭配高分辨率物鏡，輕松捕捉極微弱漏電流光子信號，漏電缺陷定位精度與國際設備同步，讓每一個細微失效點無所遁形。 高分辨率微光顯微鏡儀器