熱紅外顯微鏡能高效檢測微尺度半導體電路及MEMS器件的熱問題。在電路檢測方面，這套熱成像顯微鏡可用于電路板失效分析，且配備了電路板檢測用軟件包“模型比較”，能識別缺陷元件；同時還可搭載“缺陷尋找”軟件模塊，專門探測不易發(fā)現(xiàn)的短路問題并定位短路點。在MEMS研發(fā)領域，空間溫度分布與熱響應時間是微反應器、微型熱交換器、微驅動器、微傳感器等MEMS器件的關鍵參數(shù)。目前，非接觸式測量MEMS器件溫度的方法仍存在局限，而紅外成像顯微鏡可提供20微米空間分辨率的熱分布圖像，是迄今為止測量MEMS器件熱分布的高效工具。
熱紅外顯微鏡憑借≤0.001℃的溫度分辨率，助力復雜半導體失效分析 。Thermal EMMI熱紅外顯微鏡

熱紅外顯微鏡與光學顯微鏡雖同屬微觀觀測工具，但在原理、功能與應用場景上存在明顯差異，尤其在失效分析等專業(yè)領域各有側重。

從工作原理看，光學顯微鏡利用可見光（400-760nm 波長）的反射或透射成像，通過放大樣品的物理形態(tài)（如結構、顏色、紋理）呈現(xiàn)細節(jié)，其主要是捕捉 “可見形態(tài)特征”；而熱紅外顯微鏡則聚焦 3-10μm 波長的紅外熱輻射，通過檢測樣品自身發(fā)射的熱量差異生成熱分布圖，本質(zhì)是捕捉 “不可見的熱信號”。

在主要功能上，光學顯微鏡擅長觀察樣品的表面形貌、結構缺陷（如裂紋、變形），適合材料微觀結構分析、生物樣本觀察等；熱紅外顯微鏡則專注于微觀熱行為解析，能識別因電路缺陷、材料熱導差異等產(chǎn)生的溫度異常，即使是納米級的微小熱點（如半導體芯片的漏電區(qū)域）也能精確捕捉，這是光學顯微鏡無法實現(xiàn)的。

從適用場景來看，光學顯微鏡是通用型觀測工具，廣泛應用于基礎科研、教學等領域；而熱紅外顯微鏡更偏向專業(yè)細分場景，尤其在半導體失效分析中，可定位短路、虛焊等隱性缺陷引發(fā)的熱異常，在新材料研發(fā)中能分析不同組分的熱傳導特性，為解決 “熱相關問題” 提供關鍵依據(jù)。 揭西熱紅外顯微鏡熱紅外顯微鏡利用鎖相技術，有效提升熱成像的清晰度與準確性 。

   在產(chǎn)品全壽命周期中，失效分析以解決失效問題、確定根本原因為目標。通過對失效模式開展綜合性試驗分析，它能定位失效部位，厘清失效機理 —— 無論是材料劣化、結構缺陷還是工藝瑕疵引發(fā)的問題，都能被系統(tǒng)拆解。在此基礎上，進一步提出針對性糾正措施，從源頭阻斷失效的重復發(fā)生。

作為貫穿產(chǎn)品質(zhì)量控制全流程的關鍵環(huán)節(jié)，失效分析的價值體現(xiàn)在對全鏈條潛在風險的追溯與排查：在設計（含選型）階段，可通過模擬失效驗證方案合理性；制造環(huán)節(jié)，能鎖定工藝偏差導致的批量隱患；使用過程中，可解析環(huán)境因素對性能衰減的影響；質(zhì)量管理層面，則為標準優(yōu)化提供數(shù)據(jù)支撐。

熱紅外顯微鏡(Thermal EMMI)的突出優(yōu)勢二：

與傳統(tǒng)接觸式檢測方法相比，熱紅外顯微鏡的非接觸式檢測優(yōu)勢更勝——無需與被測設備直接物理接觸，從根本上規(guī)避了傳統(tǒng)檢測中因探針壓力、靜電放電等因素對設備造成的損傷風險，這對精密電子元件與高精度設備的檢測尤為關鍵。在接觸式檢測場景中，探針接觸產(chǎn)生的機械應力可能導致芯片焊點形變或線路微損傷，而靜電放電（ESD）更可能直接擊穿敏感半導體器件。

相比之下，熱紅外顯微鏡通過捕捉設備運行時的熱輻射信號實現(xiàn)非侵入式檢測，不僅能在設備正常工作狀態(tài)下獲取實時數(shù)據(jù)，更避免了因接觸干擾導致的檢測誤差，大幅提升了檢測過程的安全性與結果可靠性。這種非接觸式技術突破，為電子設備的故障診斷與性能評估提供了更優(yōu)解。 在高低溫循環(huán)（-40℃~125℃）中監(jiān)測車載功率模塊、傳感器的熱疲勞退化。

在電子領域，所有器件都會在不同程度上產(chǎn)生熱量。器件散發(fā)一定熱量屬于正?，F(xiàn)象，但某些類型的缺陷會增加功耗，進而導致發(fā)熱量上升。

在失效分析中，這種額外的熱量能夠為定位缺陷本身提供有用線索。熱紅外顯微鏡可以借助內(nèi)置攝像系統(tǒng)來測量可見光或近紅外光的實用技術。該相機對波長在3至10微米范圍內(nèi)的光子十分敏感，而這些波長與熱量相對應，因此相機獲取的圖像可轉化為被測器件的熱分布圖。通常，會先對斷電狀態(tài)下的樣品器件進行熱成像，以此建立基準線；隨后通電再次成像。得到的圖像直觀呈現(xiàn)了器件的功耗情況，可用于隔離失效問題。許多不同的缺陷在通電時會因消耗額外電流而產(chǎn)生過多熱量。例如短路、性能不良的晶體管、損壞的靜電放電保護二極管等，通過熱紅外顯微鏡觀察時會顯現(xiàn)出來，從而使我們能夠精細定位存在缺陷的損壞部位。 在半導體制造中，通過逐點熱掃描篩選熱特性不一致的晶圓，提升良率。檢測用熱紅外顯微鏡用途

熱紅外顯微鏡對電子元件進行無損熱檢測，保障元件完整性 。Thermal EMMI熱紅外顯微鏡

熱紅外顯微鏡(Thermal EMMI)的突出優(yōu)勢一：

熱紅外顯微鏡（Thermal emmi ）能夠檢測到極其微弱的熱輻射和光發(fā)射信號，其靈敏度通常可以達到微瓦甚至納瓦級別。同時，它還具有高分辨率的特點，能夠分辨出微小的熱點區(qū)域，分辨率可以達到微米甚至納米級別。具備極高的探測靈敏度，能夠捕捉微瓦級甚至納瓦級的熱輻射與光發(fā)射信號，適用于識別早期故障及微小異常。同時，該技術具有優(yōu)異的空間分辨能力，能夠準確定位尺寸微小的熱點區(qū)域，其分辨率可達微米級，部分系統(tǒng)也已經(jīng)可實現(xiàn)納米級識別。通過結合熱圖像與光發(fā)射信號分析，熱紅外顯微鏡為工程師提供了精細、直觀的診斷工具，大幅提升了故障排查與性能評估的效率和準確性。 Thermal EMMI熱紅外顯微鏡