核工業(yè)乏燃料處理的絕緣加工件,需耐受強輻射與核廢料腐蝕,選用玄武巖纖維增強鎂橄欖石陶瓷。通過熱壓燒結工藝(溫度 1200℃,壓力 30MPa)制備,使材料耐輻射劑量達 102?n/cm2,在硝酸(濃度 8mol/L)中浸泡 30 天后,質(zhì)量損失率≤1%。加工時采用超聲振動切削技術,在 10mm 厚板材上加工 0.3mm 寬的微流道,表面粗糙度 Ra≤1.6μm,避免放射性廢液殘留。成品在乏燃料后處理池中,可承受 100℃高溫與 0.1MPa 流體壓力,體積電阻率維持在 1011Ω?cm 以上,同時通過 10 年長期輻照測試,力學性能保留率≥85%,為核廢料分離設備提供安全絕緣保障。注塑加工件通過模流分析優(yōu)化澆口設計,減少縮水變形,成品合格率超 98%。杭州輕量化加工件價格
深海探測設備的絕緣加工件,需耐受萬米級水壓與海水腐蝕。選用超高分子量聚乙烯(UHMWPE)經(jīng)冷壓成型,在200MPa壓力下燒結成整體,使材料孔隙率≤0.01%,水滲透率≤1×10?12m/s。加工時采用金剛石車削工藝,表面粗糙度控制在Ra0.4以下,配合O型圈密封槽的精密加工(尺寸公差±0.02mm),確保在11000米深海中承受110MPa水壓不滲漏。成品經(jīng)3.5%氯化鈉溶液浸泡5000小時后,體積電阻率下降率≤5%,且沖擊強度≥80kJ/m2,滿足深海機器人電纜接頭的絕緣與耐壓需求。杭州低成本注塑加工件表面處理該絕緣件在低溫環(huán)境中仍保持良好韌性,不易開裂影響絕緣性能。
光伏追蹤系統(tǒng)注塑加工件選用耐候性 ASA 與納米二氧化鈦復合注塑,添加 5% 金紅石型 TiO?(粒徑 50nm)經(jīng)雙螺桿擠出(溫度 220℃,轉(zhuǎn)速 280rpm)均勻分散,使材料紫外線吸收率≥99%,黃變指數(shù) ΔE≤3。加工時運用低壓注塑工藝(注射壓力 80MPa),在追蹤支架連接件上成型加強筋結構(筋高 4mm,壁厚 1.5mm),配合模內(nèi)貼膜技術(PET 膜厚度 50μm)提升表面耐磨度,摩擦系數(shù)降至 0.2。成品在 QUV 加速老化測試(4000 小時)后,拉伸強度保留率≥85%,且在 - 40℃~85℃溫度循環(huán) 1000 次后,連接孔尺寸變化率≤0.1%,滿足光伏電站 25 年戶外使用的耐候與結構需求。
5G 基站天線的注塑加工件,需實現(xiàn)低介電損耗與高精度成型,采用液態(tài)硅膠(LSR)與玻璃纖維微珠復合注塑。在 LSR 原料中添加 20% 空心玻璃微珠(粒徑 10μm),通過精密計量泵(計量精度 ±0.1g)注入熱流道模具(溫度 120℃),成型后介電常數(shù)穩(wěn)定在 2.8±0.1,介質(zhì)損耗 tanδ≤0.002(10GHz)。加工時運用多組分注塑技術,同步成型天線罩與金屬嵌件,嵌件定位公差≤0.03mm,配合后電磁波透過率≥95%。成品在 - 40℃~85℃環(huán)境中經(jīng) 1000 次熱循環(huán)測試,尺寸變化率≤0.1%,且耐鹽霧腐蝕(5% NaCl 溶液,1000h)后表面無粉化,滿足戶外基站的長期穩(wěn)定運行需求。這款注塑件通過模溫控制技術,內(nèi)部應力分布均勻,減少開裂風險。
航空航天輕量化注塑加工件采用碳纖維增強 PEKK(聚醚酮酮)材料,通過高壓 RTM 工藝成型。將 T800 碳纖維(體積分數(shù) 60%)預浸 PEKK 樹脂后放入模具,在 300℃、15MPa 壓力下固化 5 小時,制得密度 1.8g/cm3、拉伸強度 1500MPa 的結構件。加工時運用五軸聯(lián)動數(shù)控銑削(轉(zhuǎn)速 50000rpm,進給量 800mm/min),在 2mm 薄壁上加工出精度 ±0.01mm 的榫卯結構,配合激光表面織構技術(坑徑 50μm)提升界面結合力。成品在 - 196℃液氮環(huán)境中測試,尺寸變化率≤0.03%,且通過 10 萬次熱循環(huán)(-150℃~200℃)后層間剪切強度保留率≥92%,滿足航天器艙門密封件的輕量化與耐極端溫度需求。這款注塑件的螺紋嵌件采用模內(nèi)注塑工藝,結合強度高于后裝配方式。杭州防腐蝕加工件定做
該注塑件的流道系統(tǒng)采用熱流道設計,減少材料浪費,提高生產(chǎn)效率。杭州輕量化加工件價格
半導體晶圓傳輸注塑加工件采用靜電耗散型 POM(聚甲醛)與碳納米管復合注塑。添加 5% 碳納米管(直徑 10nm)通過雙螺桿擠出(溫度 200℃,轉(zhuǎn)速 300rpm)實現(xiàn)均勻分散,使表面電阻穩(wěn)定在 10?-10?Ω,摩擦起電量≤0.1μC。加工時運用微注塑技術,在 1mm 厚載具上成型精度 ±3μm 的 V 型槽,槽面經(jīng)等離子體刻蝕(功率 150W,時間 60s)后粗糙度 Ra≤0.05μm,避免晶圓劃傷。成品在 Class 10 潔凈室環(huán)境中,粒子脫落量≤0.05 個 / 小時,且通過 1000 次晶圓傳輸循環(huán)測試,接觸電阻波動≤3mΩ,滿足 12 英寸晶圓的高精度、低靜電傳輸要求。杭州輕量化加工件價格