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電子束光刻基本上分兩大類，一類是大生產光掩模版制造的電子束曝光系統(tǒng)，另一類是直接在基片上直寫納米級圖形的電子束光刻系統(tǒng)。電子束光刻技術起源于掃描電鏡，**早由德意志聯(lián)邦共和國杜平根大學的G．Mollenstedt等人在20世紀60年代提出。電子束曝光的波長取決...

6.齒輪傳動箱上蓋拆卸,內部機件磨損及鍵位松動狀況之檢查并進行油槽清洗,潤滑油換新及運轉狀況,噪音,振動測試檢查.7.傳動系統(tǒng)各部位注油點之吐出油量及壓力測試與調整.8.離剎機構之活塞動作,剎車角度,離剎間隙及來令片磨耗量之測試點檢與必要調整.9.滑快導軌與導...

鏡頭的改變：在相同物距 和光圈的情況下，使用不同焦距的鏡頭可改變景深，鏡頭焦距越短，**深越大，對于超廣角鏡（8---15毫米），景深非常大，以致無需調焦，因為每一級光圈的景深都是清晰。光學工業(yè)鏡頭***用于反射度極高的物體定位檢測，如：金屬、玻璃、膠片、晶片...

德瑞克·約翰·德索拉·普萊斯提出該裝置可能是公開展示，地點或許是羅德島上的博物館或公共會堂。羅德島在當時是以機械工程聞名，尤其是羅德島人擅長的自動機械。古希臘九大抒情詩人中的品達在他的第七首奧林匹克頌中提及：The animated figures stand...

●高剛性高剛性、高精密的構架，采用鋼板焊接，并經熱處理、消除床身內應力?！裰匦钠胶?．傳動中心與機器整體的中心趨于一致，確保沖壓的精確、穩(wěn)定?！癫僮鞣€(wěn)定、安全離合器/剎車器裝置高度靈敏，再加國際前列的雙聯(lián)電磁閥和過負荷保護裝置，確保沖床滑塊運轉及停止的精確性與...

現(xiàn)代學者的共識是該機械是在希臘語使用區(qū)域制造，所有機械上組件的文字都是通用希臘語。一種假說認為，該機械是在希臘當時的天文和機械工程中心羅德島上的斯多亞學派學者波希多尼制造，而天文學家喜帕恰斯參與了設計，因為該機械采用了喜帕恰斯的月球運動理論。但由安提基特拉機械...

世界三 大光刻機 生產商ASML，Nikon和Cannon的*** 代 浸 沒 式 光 刻 機 樣 機 都 是 在 原 有193nm干式光刻機的基礎上改進研制而成，**降低了研發(fā)成本和風險。因為浸沒式光刻系統(tǒng)的原理清晰而且配合現(xiàn)有的光刻技術變動不大，目前193...

已找到一個制造于5或6世紀拜占庭帝國，和一個日晷相連接的日期齒輪的殘?。辉搩x器可能是做為報時輔助。在**世界中，西元9世紀早期阿拉伯帝國的哈里發(fā)委托巴努·穆薩寫下的《巧妙設備之書》（Book of Ingenious Devices，暫譯）。該書描述了超過一百...

光致抗蝕劑，簡稱光刻膠或抗蝕劑，指光照后能改變抗蝕能力的高分子化合物。光蝕劑分為兩大類。①正性光致抗蝕劑：受光照部分發(fā)生降解反應而能為顯影液所溶解。留下的非曝光部分的圖形與掩模版一致。正性抗蝕劑具有分辨率高、對駐波效應不敏感、曝光容限大、***密度低和無毒性等...

由測量系統(tǒng)、指示部分和表殼部分等組成。2.測量系統(tǒng)——由接頭，彈簧管和齒輪轉動機構等組成。3.由被測介質的壓力作用，使彈簧管的末端（自由端）相應地產生位移，借助連桿帶動機構中的扇形齒輪產生一角位移，而使齒輪軸得以偏轉——傳給指示部分。4.指示部分——由分度盤、...

決定光刻膠涂膠厚度的關鍵參數(shù)：光刻膠的黏度（Viscosity），黏度越低，光刻膠的厚度越?。恍D速度，速度越快，厚度越薄；影響光刻膠均勻性的參數(shù)：旋轉加速度，加速越快越均勻；與旋轉加速的時間點有關。一般旋涂光刻膠的厚度與曝光的光源波長有關（因為不同級別的曝光...

準分子光刻技術作為當前主流的光刻技術，主要包括：特征尺寸為0．1μm的248 nm KrF準分子激光技術；特征尺寸為90 nm的193 nm ArF準分子激光技術；特征尺寸為65 nm的193 nm ArF浸沒式技術（Immersion，193i）。其中193...

目 前EUV技 術 采 用 的 曝 光 波 長 為13．5nm，由于其具有如此短的波長，所有光刻中不需要再使用光學鄰近效應校正（OPC）技術，因而它可以把光刻技術擴展到32nm以下技術節(jié)點。2009年9月Intel*** 次 向 世 人 展 示 了22 nm工...

2、廣角鏡頭使用遮光罩或濾色鏡時，很容易遮擋鏡頭視角的周圍，使像場發(fā)暗，而這一情況，在取景時不容易察覺，但在照片上卻很明顯。因此，運用附件時， 一定要從說明書上了解清楚它們的使用范圍。如果說明書中沒有說明，拍攝時就要加倍小心。3、電子閃光燈閃光涵蓋角一般與13...

2006年時，萊特完成了他相信幾乎正確的復制品。萊特和安提基特拉機械研究計劃成員仍同時進行安提基特拉機械的研究。萊特稍微修改他的模型，引進了計劃團隊建議的針狀和槽狀嚙合齒輪，這更精確模擬了月球的角速度異常變化。2007年3月6日他在希臘的雅典國家考古博物館展示...

早在80年代，極紫外光刻技術就已經開始理論的研究和初步的實 驗，該技術 的光源是波 長 為11～14 nm的極端遠紫外光，其原理主要是利用曝光光源極短的波長達到提高光刻技術分辨率的目的。由于所有的光學材料對該波長的光有強烈的吸收，所以只能采取反射式的光路。EU...

我們建議攝影入門用戶在攝影學習階段，除了相機上已經配備的套裝鏡頭之外，不必再購買任何鏡頭。以后成為“高手”時，再考慮較長焦距的鏡頭。即使到那時，除非對遠攝鏡頭具有特殊的需求，并且資金也不成問題，否則我們建議不要考慮超過200mm的任何鏡頭。如果偶爾需要遠攝鏡頭...

安提基特拉機械以其小型化和其部分裝置的復雜性可與19世紀機械鐘表相比而聞名。它有超過30個齒輪，雖然麥可·萊特認為它可多達72個有正三角形齒的齒輪。當借由一個曲柄輸入一個日期，該機械就可算出日月或行星等其他天**置。因為該機械是以地球表面觀測天球者為參考座標，...

使用長焦鏡頭拍攝時，測光比較好采用機內TTL測光方式。因為，普通的入射式或反射式測光表的受光角往往大于鏡頭視角，直接按測光表數(shù)值曝光會出現(xiàn)偏差 [6]。1、使用較高快門速度高速快門可以降低或避免相機抖動造成的圖像發(fā)虛。尤其是手持相機時，應首先考慮通過提高快門速...

能強調前景和突出遠近對比。這是廣角鏡頭的另一個重要性能。所謂強調前景和突出遠近對比，是指廣角鏡頭能比其他鏡頭更加強調近大遠小的對比度。也就是說，用廣角鏡頭拍出來的照片，近的東西更大，遠的東西更小，從而讓人感到拉開了距離，在縱深方向上產生強烈的******效果。...

以適用于35毫米單鏡頭反光照相機的交換鏡頭為例，魚眼鏡頭是一種焦距約在6-16毫米之間的短焦距超廣角攝影鏡頭，“魚眼鏡頭”是它的俗稱。為使鏡頭達到比較大的攝影視角，這種攝影鏡頭的前鏡片直徑且呈拋物狀向鏡頭前部凸出，與魚的眼睛頗為相似，“魚眼鏡頭”因此而得名。魚...

得指出的是，EUV光刻技術的研發(fā)始于20世紀80年代。**早希望在半周期為70nm的節(jié)點（對應邏輯器件130nm節(jié)點）就能用上EUV光刻機 [1]?？墒?，這一技術一直達不到晶圓廠量產光刻所需要的技術指標和產能要求。一拖再拖，直到2016年，EUV光刻機仍然沒能...

以適用于35毫米單鏡頭反光照相機的交換鏡頭為例，標準鏡頭通常是指焦距在40至55毫米之間的攝影鏡頭，它是所有鏡頭中**基本的一種攝影鏡頭。 標準鏡頭給人以記實性的視覺效果畫面，所以在實際的拍攝中，它的使用頻率是較高的。但是，從另一方面看，由于標準鏡頭的畫面效果...

⒉較小的畸變：畸變是變焦鏡頭比較大的軟肋，幾乎所有涉及廣角的變焦鏡頭都存在明顯的畸變問題，而定焦鏡頭因為只需對一個焦段的成像進行糾正與優(yōu)化，所以往往很少會出現(xiàn)畸變現(xiàn)象。另外值得一提的是，旁軸相機在廣角畸變上比單反相機有天生優(yōu)勢，例如15mm/f4.5等超廣角鏡...

主要技術指標：○精密壓力表測量范圍、精確度等級○型號、彈簧管材料、測量范圍MPa、精確度等級、結構特點○精密壓力表使用環(huán)境條件：5～40℃，相對濕度不大于80%，且環(huán)境震動和壓力源的波動對儀表的精確讀數(shù)無影響?！鹁軌毫Ρ頊囟扔绊懀菏褂铆h(huán)境溫度如偏離20±3℃...

舉例來說，對某一確定的被攝體，水平方向需要200個像素才能再現(xiàn)其細節(jié)，如果成像寬度為10mm，則光學分辨率為20線/mm的鏡頭就能勝任，如果成像寬度為1mm，則要求鏡頭的光學分辨率必須在200線/毫米以上。另一方面，傳統(tǒng)膠卷對紫外線比較敏感，外拍時常需要加裝U...

⒉較小的畸變：畸變是變焦鏡頭比較大的軟肋，幾乎所有涉及廣角的變焦鏡頭都存在明顯的畸變問題，而定焦鏡頭因為只需對一個焦段的成像進行糾正與優(yōu)化，所以往往很少會出現(xiàn)畸變現(xiàn)象。另外值得一提的是，旁軸相機在廣角畸變上比單反相機有天生優(yōu)勢，例如15mm/f4.5等超廣角鏡...

廣角鏡頭的基本特點是，鏡頭視角大，視野寬闊。從某一視點觀察到的景物范圍要比人眼在同一視點所看到的大得多；景深長，可以表現(xiàn)出相當大的清晰范圍；能強調畫面的******效果，善于夸張前景和表現(xiàn)景物的遠近感，這有利于增強畫面的***力。 [1]焦距比標準鏡頭 短，但...

光刻系統(tǒng)SUSS是一種應用于半導體制造領域的工藝試驗儀器，其比較大基片尺寸為6英寸，可實現(xiàn)0.5μm的分辨率和1μm的**小線寬 [1]。該系統(tǒng)通過精密光學曝光技術完成微電子器件的圖形轉移，為集成電路研發(fā)和生產提供關鍵工藝支持。比較大基片處理能力：支持直徑6英...

英特爾高級研究員兼技術和制造部先進光刻技術總監(jiān)YanBorodovsky在去年說過“針對未來的IC設計，我認為正確的方向是具有互補性的光刻技術。193納米光刻是當前能力**強且**成熟的技術，能夠滿足精確度和成本要求，但缺點是分辨率低。利用一種新技術作為193...